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俄应实现微电子主权独立
环球网资讯· 2025-12-29 06:53
俄罗斯微电子产业现状与认知转变 - 西方制裁三年半以来,俄罗斯微电子产业形势未发生根本性变化,此前已具备建设180纳米及90纳米制程洁净室的能力 [4] - 微电子领域长期受外部限制,早在苏联时期及2016年,相关研究所即已面临美国制裁 [5] - 关键变化在于国家与社会层面已清晰认识到,追求主权独立的国家必须在战略领域发展自有核心技术,摆脱进口依赖 [5] 技术依赖与自主研发进展 - 在人工智能/机器学习领域,俄罗斯大公司模型仍使用英伟达处理器进行训练,大数据处理短期内仍依赖进口微处理器 [6] - 俄罗斯的研发处于设计中心水平,拥有自有架构和设计(如神经形态处理器、NeuroMatrix),但制造环节在国外 [6] - 国内正等待生产达到28纳米以下水平,同时也在发展自有架构、数学优化方法(如张量列车)及生产技术 [6][7] 产业发展成就、障碍与政府支持 - 微电子是资本与科技最密集的产业之一,一座现代化洁净室价值达数百亿美元 [8] - 苏联时期曾拥有完整产业链,但后来被放弃,目前国家已启动大规模计划,涵盖超纯材料、生产设备、计算机辅助设计及锗硅结构等技术攻关 [8] - 与2020年-2021年相比,相关方向的政府拨款增长了数十倍,国家领导人明确指出了微电子的战略意义 [8] - 发展障碍包括三年半时间对于技术突破而言太短,目前处于积累阶段,预计几年后才能看到实际成果 [8] 产学研协同与人才培养 - 过去“一切靠买”导致基础科研与产业脱节,目前正积极恢复科研机构与高科技公司的联系,合作已产生效果 [9] - 人才培养需要雇主深度参与,例如让学生在研究机构进行实习并完成论文答辩 [9] - 需将教育机构与拥有实际基础设施的行业中心联系起来,并针对科学家、工程师、技术员等不同人才类型采取差异化培养方法 [9] 全球微电子技术发展趋势 - 全球微电子发展有明确路线图,目前正在掌握2纳米制程技术,计划到2037年实现1.6、1.4甚至0.2纳米 [10] - 22纳米之后晶体管进入三维结构(FinFET, GAAFET),但仍面临散热、漏电及RC延迟等基础物理挑战 [10]