微型发光二极管晶圆制备技术

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华灿光电申请微型发光二极管晶圆及其制备方法专利,提高曝光准确度
金融界· 2025-08-23 17:37
公司专利技术进展 - 京东方华灿光电(苏州)有限公司于2025年4月申请微型发光二极管晶圆制备方法专利(公开号CN120529707A),涉及外延层制备、基准线刻蚀及曝光轨迹控制等半导体技术流程 [1] - 公司成立于2012年,注册资本150000万人民币,专注于化学原料和化学制品制造业,拥有566条专利信息和49项行政许可 [1] - 公司累计参与91次招投标项目,体现其在供应链和市场活动中的活跃度 [1] 行业技术发展动态 - 专利技术聚焦微型发光二极管晶圆制备领域,通过优化曝光轨迹与基准线刻蚀工艺提升半导体制造精度 [1] - 技术方案属于半导体技术领域,强调外延层处理与图形制备环节的创新性 [1]