中国EUV光刻机技术突破 - 中国自主研发的EUV光刻机取得实质性突破 采用与荷兰ASML不同的激光诱导放电等离子体（LDP）技术路径 [2] - LDP技术通过电极间锡材料汽化和高压放电产生等离子体 相比ASML的LPP技术具有设计简洁、结构紧凑、能耗低和成本优势明显等特点 [2] - 原型机试产报告显示LDP技术路线展现出颠覆性创新潜力 可能改变传统高成本高能耗模式 [2] - 关键时间节点为2025年第三季度 届时国产EUV光刻机将进入试产阶段 [2] 技术路线对比 - ASML采用LPP技术 依赖高能激光器轰击锡滴产生等离子体 控制系统基于精密FPGA [2] - 中国LDP技术核心在于电极间锡材料汽化和高压放电 被描述为"精准控制的定向爆破" [2] - 两种技术路径在实现方式上存在根本性差异 中国路线可能带来显著成本优势 [2] 行业影响 - 中国长期受限于EUV设备缺失 制造7纳米及以下芯片需采用成本高、良率低的多重曝光技术 [3] - 使用旧技术生产5纳米芯片成本比国际领先水平高出50% 制约国产高端芯片竞争力 [3] - 国产EUV光刻机落地将打破技术瓶颈 使下一代手机处理器、AI芯片和高性能计算芯片可能在国内生产 [3]