Workflow
氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)技术
icon
搜索文档
小米手机射频团队论文入选 IEDM 2025
半导体行业观察· 2025-12-13 09:08
来源:内容转自小米技术,谢谢。 近日, 第71届国际电子器件大会 IEDM 2025 (International Electron Devices Meeting,简称 IEDM)在美国旧 金山召开。 IEDM 是 全球半导体与电子器件领域最具权威和影响力的顶级会议之一, 以其严苛的评审标准与前瞻性的技 术视野,被誉为"电子器件突破性技术的风向标"和"器件的奥林匹克盛会",在国际半导体技术界享有很高的学 术地位和广泛的影响力。 会议始于1955年,距今已有七十余年历史,是报告半导体和电子器件技术、设计、制造、物理和建模等领域的 关键技术突破的世界顶级论坛,同时它也是国际著名高校、研发机构和 Intel、 TSMC、三星、 IBM 等发布先 进技术和最新进展的重要窗口和平台。 每一年的 IEDM 盛会,都是全球半导体行业关注的焦点。 本次会议以100 YEARS of FETs: SHAPING the FUTURE of DEVICE INNOVATIONS 为主题,于2025年12月6日至10日召开。 论文简介 入选论文题目:《First Integration of GaN Low-Voltage PA ...