中国EUV光刻机原型机研发进展 - 中国一家秘密实验室已组装出第一台EUV极紫外光刻系统原型机 该原型机通过逆向工程ASML现有产品而来 目前正处于秘密测试阶段 并计划在2028年试产原型芯片 [1][6] - 该EUV光刻机原型于2025年初在深圳一处安保严密的设施内组装完成 其体积巨大 几乎覆盖了整个厂房 [3][8] 技术路径与团队构成 - 该原型机未采用国内高校研发的SSMB或DPP技术 而是采用了与ASML Twinscan NXE系列相同的激光等离子体技术 能够产生波长为13.5纳米的极紫外光 [5][8] - 研发团队由前ASML工程师和应届大学毕业生组成 不仅聘请了ASML中国分公司的前员工 还吸纳了ASML在美国 欧洲 中国台湾的前雇员 [5][8] 当前能力与主要瓶颈 - 中国版EUV光刻机已具备极紫外光的生成能力 但其体积显著大于ASML同类产品 且目前尚未能制造出可用芯片 [5][8] - 关键瓶颈在于无法复刻ASML的高精度光学系统 目前甚至无法将极紫外光精准投射到晶圆上 更无法完成光刻成像 [6][8]