三星电子引入High-NA EUV光刻机 - 三星电子于3月初在华城园区引入首台ASML生产的High-NA EUV光刻机EXE:5000，价值5000亿韩元（约24.88亿元人民币）[2] - EXE:5000是全球唯一能提供此类设备的供应商，通过增大透镜和反射镜尺寸将数值孔径从0.33提升至0.55，显著提高光刻精度，是2纳米及以下制程必备工具[2] - 与现有EUV设备相比，High-NA EUV能实现更窄电路线宽，降低功耗并提升数据处理速度，三星自去年起已开始评估该设备的工艺应用[2] - 三星计划在完成设备安装后全面构建2纳米工艺生态系统，晶圆代工业务部负责人强调2纳米工艺快速量产是首要任务[2] 全球半导体巨头High-NA EUV布局 - 英特尔在2023年率先采购ASML首台High-NA EUV设备，并已签订合同购买总计6台[3] - 英特尔前两台High-NA EUV设备已投入生产，每季度可处理3万片晶圆[3] - 英特尔预计将率先获得EXE:5200设备用于其14A节点，台积电计划在2028年启动High-NA量产[3] 全球晶圆代工市场竞争格局 - 2023年第四季度三星在全球晶圆代工市场排名第二，收入环比下降1.4%至32.6亿美元，市场份额为8.1%[4] - 台积电以67%的市场份额保持全球晶圆代工市场领先地位[4]