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碳化硅芯片技术
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国际大牌碳化硅芯片供应商和理想联系获取技术IP和合作机会
理想TOP2· 2025-11-29 16:46
文章核心观点 - 公司通过全栈自研碳化硅芯片及电驱动系统,在性能、效率、安全性和生产制造方面实现显著突破,并获得国际供应商的关注与合作意向 [1][2][3][4][5] 用户价值 - 自研电机、电控系统及碳化硅芯片带来30公里续航提升 [2] - 支持整车高压网络从400V向800V平台升级,实现更快充电速度 [2] - 更快的开关速度实现更精细电机电流控制,降低电磁噪声,提升静谧性 [2] - 碳化硅功率模块作为动力系统核心,负责直流电到交流电的转换 [2] - 耐压高、导热好、损耗低,显著减少电驱动系统重量和体积 [2] - 基于大量测试数据,较进口芯片有5%以上良率优势 [2] - 通过对30万颗芯片流片与测试数据分析,筛选出严苛环境下易烧毁的隐患芯片 [2] - 截至2025年8月9日,i8全栈自研电驱动效率达到93.08%,为公司掌握数据中最高 [2] 设计理念 - 采用自主芯片设计加国产晶圆代工模式 [3] - 将安全可靠放在首位,进行100%针对电驱应用的定制化设计 [3] - 创新采用正六边形元胞替代行业95%通用的条形元胞,同等面积下电子通道比例大幅增加,芯片导通电流能力提升15% [3] - 得益于电流能力富余,采用2倍能量注入的超深PN结,面对1000安培短路电流测试通过率超99.9% [4] - 依靠元胞架构的高通道优势,不再依赖极限线宽,将工艺制造窗口扩大50%,提升可制造性与良品率 [4] 全链路数据闭环管理 - 定制开发连芯系统,打通碳化硅材料、晶圆制造、芯片测试至模块、电控及整车制造数据,形成芯片到整车的大数据闭环 [5] - 可在30分钟内追溯到车辆上任一自研碳化硅芯片的全流程测试数据、晶圆位置及晶体材料信息 [5] - 系统升级为与生产时间耦合的网式结构,能对短期缺陷良率波动、测试数据离群等进行放大和提前预警 [5] - 开发阶段按行业标准2倍以上进行考核,指出需基于电驱实况下的双维应力及用户驻车时长延长的新场景加严预测寿命模型 [5] 工厂情况:常州电驱动生产基地 - 基地占地12万平方米 [6] - 2024年6月部署DeepSeek-VL 7B模型于产线质检,检测速度相当于2-3个熟练人工,提高检测准确性约2%,能快速适应不同产品检测 [6] - 工厂总体自动化率达80%,电机控制器自动化率91% [6] - 单条年产20万台产线仅需2名操作员工,每台含200多零件的电驱总成人工操作时间压缩至15分钟以内 [6] 工厂情况:苏州半导体生产基地 - 基地占地3.2万平方米,承担碳化硅功率模块封装与测试 [7] - 洁净度达万级,相当于医疗手术室标准 [7] - 实施KGD极限筛选,在1.5微秒内注入1500A电流模拟极限加速工况,系统具备120纳秒极速熔断保护能力 [7] - 通过塑封封装技术将功率模块体积缩减50%,采用分区域压力补偿技术解决塑封开裂与溢胶,实现零缺陷 [7] - 针对陶瓷基板分层隐患,通过材料与工艺创新将结合强度提升300%以上,消除微米级分层风险 [7]