行业技术趋势 - 量产闪存（eFlash）技术在28nm节点达到极限，磁性随机存储器（MRAM）作为新型存储技术在高可靠高性能MCU及SoC中逐步应用[1] - 半导体头部代工厂如台积电、三星、格罗方德等的eMRAM IP早期服务物联网、可穿戴及AI领域，现已开始服务多家高可靠工业级和车规级MCU客户[1] - 行业代表案例包括瑞萨基于22nm MRAM平台的RA8系列MCU和恩智浦基于16nm MRAM工艺平台的S32K5系列MCU[1] 驰拓科技产品与技术进展 - 公司独立式MRAM系列产品通过AEC-Q100 Grade1车规认证，典型产品为4Mb MRAM[2] - 独立式MRAM产品提供Kb至64Mb多种容量、SPI/IIC/ASRAM多种接口选择，已在工业自动化、电力、计量等行业头部企业获得应用[2] - 公司推出基于90nm、40nm及28nm平台的多款嵌入式MRAM IP，具备非易失、百万次擦写次数、-40~125℃宽温区、125℃下20年数据保持等优异可靠性[4] - 嵌入式MRAM IP可应用于工控、低功耗SOC、汽车电子、身份认证、智能穿戴等多种场景[4] 驰拓科技行业地位与产能 - 公司建有12英寸MRAM量产中试线，是中国第一家实现MRAM量产的企业[6] - 公司拥有先进的新型存储芯片研发与产业化平台，掌握了MRAM设计、制造全套关键技术[6] - 公司可提供90/55/40/28nm等多个工艺节点下的芯片定制、工艺研发、流片、测试分析等全方位服务[6] - 公司在MRAM工艺制造、嵌入式eMRAM IP和独立式MRAM设计方面核心指标已与国际头部MRAM厂商比肩[1]