台积电2nm技术进展 - 台积电将于2025年下半年量产2纳米制程，首次采用纳米片（Nanosheet）晶体管结构 [3] - 2纳米生产基地规划包括竹科宝山四期四个厂和高雄厂区五期五个厂，南科厂区也可动态升级导入2纳米 [3] - 2纳米技术相比N3E在相同功耗下速度增加10~15%，相同速度下功耗降低25~30%，芯片密度增加15%以上 [4] - 2纳米采用NanoFlex技术，通过元件宽度调节实现效能、功耗和面积优化，可提升15%速度 [4] - 苹果已包下宝山厂首批产能，高雄厂将支援非苹客户群，英特尔也争取2024年内投片 [3] - 台积电计划2026年下半年量产N2P制程，为智能手机和HPC应用提供更佳效能及功耗优势 [5] 英特尔1.8nm技术布局 - 英特尔18A工艺预计2025年上半年投产，与Intel 3相比每瓦性能提高15%，芯片密度提高30% [8] - 英特尔18A采用PowerVia背面供电技术，可提高密度和单元利用率5-10%，ISO功率性能提高达4% [8] - RibbonFET环栅晶体管技术可精确控制电流，缩小组件体积并减少漏电 [8] - 英特尔计划2024年下半年推出Panther Lake处理器，2026年发布Nova Lake和Clearwater Forest服务器芯片 [7] - 博通和英伟达考虑采用英特尔18A工艺，AMD也表现出兴趣 [8] - 英特尔准备性能增强型18A-P制造技术，有望在相同功率下提高性能 [9] 三星2nm技术发展 - 三星2nm GAA工艺试产良率达30%，目标提升至70%才能接受客户订单 [13] - 三星已获得Preferred Networks的2nm订单，将提供AI加速器解决方案 [10] - 三星计划2026年推出SF2P改进节点，2027年推出增加背面供电的SF2Z [14] - 三星优化了BSPDN技术并纳入SF2Z节点，瞄准电压降问题 [14] - 高通和苹果可能采用三星2nm工艺，但目前仅为猜测 [14] - 三星3nm GAA工艺良率问题影响其2nm进展 [10][11] 行业竞争格局 - 日本Rapidus计划2025年4月启用2nm试产线，2027年量产 [17] - 台积电在1.4nm制程获突破，计划2024年装设试产线，原2nm厂区可能转为1.4nm生产据点 [18] - 三星计划2027年推出1.4nm级节点SF1.4，但不会采用背面供电 [18] - 英特尔计划2027年或之前推出14A（1.4nm级）工艺，性能目标提升15% [18] - 三大厂商在2nm及更先进制程的竞争日趋激烈 [19]