三星晶圆代工业务现状 - 三星晶圆代工部门在5/3纳米制程遭遇挫折，现全力投入2纳米制程研发，目标年底将2纳米良率提高到70%以吸引大客户[1] - 三星晶圆代工业务每季度亏损达数十兆韩圜，德州泰勒市晶圆厂2026年投产后可能面临低稼动率困境，进一步扩大亏损[1] - 三星决定采取集中资源策略，暂缓1纳米等级投资，专注2纳米制程，因主要AI半导体需求未来三年将集中在2纳米[1] 三星2纳米制程进展 - 三星2纳米与3纳米相比，效能提升12%，功耗提升25%，但当前良率估计低于30%，内部评估显示初始良率有所提升[2] - 台积电2纳米良率已达约60%，三星需在六个月内将良率提升至60%-70%才能改变市场地位[2] - 三星已赢得日本AI半导体设计公司PFN的2纳米订单，并积极与高通磋商争取更多订单[2] 三星市场策略调整 - 三星推迟前景不明的1.4纳米制程推出计划，专注优化2纳米制程[1] - 三星3月聘请台积电前高管Margaret Han担任美国代工部门副总裁，加强与美国潜在客户的联系[2] - 三星在SAFE 2025会议上宣布新蓝图，努力挽回因5/3纳米性能未达承诺而受损的客户信任[1] 行业竞争格局 - 当前服务器芯片代工市场被辉达、AMD和博通等大客户主导，其他客户处于落后状态[2] - 三星近期与多家潜在客户洽谈2纳米量产状况，被视为积极信号[2]

Rapidus的2纳米芯片发展计划 - Rapidus目标在2027年量产2纳米芯片，2纳米试产线已于4月1日启动，所有工序预计4月内全数启动，最迟7月中旬前向客户提供产品数据 [1] - Rapidus社长透露2纳米芯片有40-50家潜在客户，正与GAFAM美国科技巨头及AI芯片设计新创公司洽谈 [1] - 公司计划在2纳米量产后进一步开发1.4纳米芯片，预计需在2年半至3年内采用次世代技术以保持竞争力 [2] Rapidus的生产与技术优势 - Rapidus采用新生产方式，从下单到芯片生产、组装的速度可达台积电的2-3倍以上，试作品改善速度快且良率逐步提升 [1] - 公司正与美国博通合作，将提供2纳米试作品供博通验证性能，验证通过后博通可能委托Rapidus生产半导体，间接供应谷歌、Meta等科技巨头 [2] 日本政府对Rapidus的支持 - 日本经济产业省决定在2025年度对Rapidus追加援助，最高补助8,025亿日元，加上此前已援助的9,200亿日元及计划出资的1,000亿日元，总援助金额达1兆8,225亿日元 [2] 行业合作与客户动态 - 英伟达执行长黄仁勋暗示未来可能考虑委托Rapidus代工AI芯片，强调供应多元化需求并对Rapidus有信心 [3] - Rapidus社长指出美国客户因美中脱钩对第二供应商的需求与日俱增 [5] Rapidus的产能扩张计划 - 若2纳米芯片量产顺利，Rapidus计划兴建第二座工厂，专门生产1.4纳米芯片 [3]

文章核心观点 日本芯片制造商Rapidus正与苹果等潜在客户洽谈，计划2027年开始大规模生产先进半导体，目标是2纳米芯片生产，还计划在实现2纳米量产后开发1.4纳米技术，旨在成为半导体竞赛关键参与者 [1][4][5] 公司进展 - 本周在北海道工厂启动原型芯片生产线部分运营，预计4月底全面投入运营 [1] - 最迟7月中旬与潜在客户分享制造芯片的性能数据 [1] 客户洽谈 - 与40到50个潜在客户谈判，包括GAFAM集团成员及AI芯片设计初创公司，但目前不愿接受中国制造商订单 [1] - 已与两家初创公司达成谅解备忘录，包括美国AI芯片设计公司Tenstorrent [1] 技术优势 - 凭借IBM授权技术目标是2纳米芯片生产，与日本公司目前生产的40纳米芯片相比有重大飞跃 [1] - 工程师掌握2纳米技术，能加快工艺，将从订单到制造和组装的时间缩短两到三倍 [2] 未来规划 - 实现2纳米量产后的两到三年内开始开发1.4纳米技术 [4] - 目前专注于改进原型并提高产量 [4]

台积电2nm技术进展 - 台积电将于2025年下半年量产2纳米制程，首次采用纳米片（Nanosheet）晶体管结构 [3] - 2纳米生产基地规划包括竹科宝山四期四个厂和高雄厂区五期五个厂，南科厂区也可动态升级导入2纳米 [3] - 2纳米技术相比N3E在相同功耗下速度增加10~15%，相同速度下功耗降低25~30%，芯片密度增加15%以上 [4] - 2纳米采用NanoFlex技术，通过元件宽度调节实现效能、功耗和面积优化，可提升15%速度 [4] - 苹果已包下宝山厂首批产能，高雄厂将支援非苹客户群，英特尔也争取2024年内投片 [3] - 台积电计划2026年下半年量产N2P制程，为智能手机和HPC应用提供更佳效能及功耗优势 [5] 英特尔1.8nm技术布局 - 英特尔18A工艺预计2025年上半年投产，与Intel 3相比每瓦性能提高15%，芯片密度提高30% [8] - 英特尔18A采用PowerVia背面供电技术，可提高密度和单元利用率5-10%，ISO功率性能提高达4% [8] - RibbonFET环栅晶体管技术可精确控制电流，缩小组件体积并减少漏电 [8] - 英特尔计划2024年下半年推出Panther Lake处理器，2026年发布Nova Lake和Clearwater Forest服务器芯片 [7] - 博通和英伟达考虑采用英特尔18A工艺，AMD也表现出兴趣 [8] - 英特尔准备性能增强型18A-P制造技术，有望在相同功率下提高性能 [9] 三星2nm技术发展 - 三星2nm GAA工艺试产良率达30%，目标提升至70%才能接受客户订单 [13] - 三星已获得Preferred Networks的2nm订单，将提供AI加速器解决方案 [10] - 三星计划2026年推出SF2P改进节点，2027年推出增加背面供电的SF2Z [14] - 三星优化了BSPDN技术并纳入SF2Z节点，瞄准电压降问题 [14] - 高通和苹果可能采用三星2nm工艺，但目前仅为猜测 [14] - 三星3nm GAA工艺良率问题影响其2nm进展 [10][11] 行业竞争格局 - 日本Rapidus计划2025年4月启用2nm试产线，2027年量产 [17] - 台积电在1.4nm制程获突破，计划2024年装设试产线，原2nm厂区可能转为1.4nm生产据点 [18] - 三星计划2027年推出1.4nm级节点SF1.4，但不会采用背面供电 [18] - 英特尔计划2027年或之前推出14A（1.4nm级）工艺，性能目标提升15% [18] - 三大厂商在2nm及更先进制程的竞争日趋激烈 [19]