台积电技术路线 - 台积电重申1.4nm级工艺技术（A14）无需采用高数值孔径（High-NA）EUV光刻机，认为当前技术已能满足需求 [1] - A16（1.6nm级）和A14（1.4nm级）工艺技术均不会使用高NA EUV设备，公司将持续优化现有EUV技术以延长寿命并保持微缩优势 [1] - A14工艺基于第二代纳米片环栅晶体管及全新标准单元架构，在相同功率下性能提升15%，或在相同频率下功耗降低25%-30% [2] 高NA EUV光刻机市场现状 - ASML高NA EUV光刻机单价高达4亿美元，目前全球仅交付5台，主要客户为Intel和三星 [2] - 设备重达180吨，体积相当于双层巴士，是全球最昂贵的半导体制造设备之一 [2] - Intel于2023年12月率先获得全球首台High NA EUV光刻机 [2] 台积电技术决策逻辑 - 公司采用高NA EUV的前提是其能带来可衡量的效益和投资回报，当前A14技术已通过创新实现显著性能提升，无需依赖该设备 [1][2] - 技术团队持续探索现有EUV技术的优化方案，以推迟高NA EUV的采用时间点 [1]