研究背景与突破 - 比利时微电子研究中心与根特大学在300毫米晶圆上成功堆叠120层硅和硅锗材料 实现三维DRAM制造的关键进展[2] - 通过交替生长硅和硅锗材料层 每层厚度为纳米级 层间存在晶格失配导致的原子间距差异[2] - 采用应变控制技术 通过调整硅锗层中锗含量并添加碳元素缓解应力 同时保持沉积过程温度均匀性[2] 技术工艺特点 - 使用先进外延沉积技术 通过硅烷和锗烷气体在晶圆表面分解形成精确纳米薄层[4] - 严格控制每层厚度 成分和均匀性 微小偏差会导致缺陷在整个堆叠结构中放大[4] - 成功构建120个双层结构 证明垂直扩展可行性 单位面积可容纳数千存储单元[4] 行业应用前景 - 该技术突破将推动3D DRAM发展 使存储芯片在相同占用空间内容纳更多存储单元[4] - 多层结构生长技术可应用于3D晶体管 堆叠逻辑器件及量子计算架构领域[6] - 与栅极环绕场效应晶体管和互补场效应晶体管技术开发形成协同效应 支持电子设备进一步小型化[6] 产业影响 - 三星已将3D DRAM列入发展规划并设立专门研发机构[6] - 该技术突破可能重塑芯片设计方式 实现更密集 更快速 更可靠的存储设备[6]