核心技术方向 - 4F2和CBA技术有望成为DRAM芯片提升PPA（性能、功耗、面积）的重要突破口 [1] - 当前DRAM升级主要通过平面制程微缩和架构升级实现 但改进幅度存在瓶颈 [1] - 三星、海力士及国内存储厂正积极探索4F2和CBA技术的应用 [1] 4F2技术特点 - 4F2结构采用3D垂直布局 将晶体管和电容器垂直排列 [2] - 该技术可将DRAM Cell尺寸较6F2缩小约30% 实现更高存储密度 [2] - 三星通过VCT技术使Cell面积缩小30% 海力士计划在10nm以下节点采用4F2VG平台 [2] CBA技术特点 - CBA技术将存储阵列晶圆和逻辑控制单元分开制造 通过键合工艺实现系统级性能优化 [3] - 采用熔融键合或混合键合工艺将两片晶圆键合 [3] 设备需求影响 - 4F2技术提升对沉积、刻蚀等工艺设备的依赖 [4] - CBA技术增加对键合、CMP、电镀等工艺设备的需求 [4] - 新兴技术路线推动设备需求多元化 打开相关设备成长空间 [4] 国产化机遇 - 新兴技术发展带动DRAM行业设备需求持续提升 [1] - 设备国产化趋势使本土半导体设备成长空间进一步拓宽 [1]