行业与公司 * **行业**：半导体存储行业，具体为DRAM与NAND Flash领域[1] * **公司**：国内厂商包括长鑫存储（DRAM）、长江存储（NAND Flash）、晶合集成、中芯国际、华虹等代工厂，以及拓荆科技、百奥化学、华创、中微、微导纳米、晶智达、中科飞测等设备厂商[4][19]；海外厂商包括三星、海力士、美光、凯霞[1][2][8][13] 核心观点与论据 * **技术演进趋势**：全球DRAM发展正转向 **4F²架构** 与 **CBA（Chip-By-Chip Assembly）技术** 相结合的道路，以提升存储密度、突破制程微缩瓶颈[1][2][6] * **4F²架构**：通过将晶体管从水平改为垂直方向，使存储单元占用面积减少约30%，从而提升单位面积内的存储密度[10] * **CBA技术**：将存储单元阵列和外围逻辑电路分别制造在不同晶圆上，然后通过键合工艺结合，可避免高温损害逻辑电路、减小芯片面积、缩短生产周期并降低成本[3][12] * **国内厂商地位**：国内厂商在此技术路径上进展超前，显示出领先地位[2][4] * 长鑫存储正积极推进4F²与CBA相结合的DRAM技术路径[4] * 长江存储率先在NAND Flash中应用CBA技术（X-Tacking工艺），是该领域的全球领先者[1][12][13] * **技术优势与挑战**： * **优势**：4F²架构能提升电子进出效率、减少漏电干扰并降低EUV光刻成本[10]；CBA技术预计可提升约30%的芯片密度[14] * **挑战**：4F²架构需要将水平晶体管改为垂直晶体管，对高深宽比蚀刻设备提出更高要求[11]；DRAM制程微缩在10纳米及以下面临电容器和感应放大器微缩的难题，影响电连接稳定性、读取速度和可靠性[9] * **全球进展**： * **DRAM**：三星、海力士、美光及长鑫均在推进4F²与CBA技术[8]；三星计划2025年发布CF Square DRAM样品，海力士计划2025年发布4F²键合工艺论文[16][17]；预计海外将在2027至2028年间取得显著进展[16] * **NAND Flash**：更早采用CBA技术，长江存储的128层和232层产品表现突出；凯霞、三星、海力士等厂商也在跟进，并向300层以上发展[1][2][13] 其他重要内容 * **DRAM芯片构成**：存储单元阵列约占芯片面积50%，外围逻辑电路约占25%至30%[5]；关键性能参数包括容量、带宽和功耗[5] * **技术路径背景**：由于光刻机技术达到瓶颈，以及国内在获取先进制程关键设备上面临困难，架构创新（4F²+CBA）成为提升存储密度的关键路径[6][16] * **具体技术细节**： * **CF Square**：一种采用CBA技术的具体结构，存储单元在下，逻辑电路在上，间距更短，能降低对逻辑电路的耐高温要求[3][15] * **键合方式**：主要分为混合键合和熔融键合，国内企业主要使用混合键合[18] * **产业链影响与投资机会**： * **产业链机遇**：新路径将带来逻辑晶圆代工和相关设备需求的大幅增加[2] * **投资建议**：可关注国内DRAM逻辑晶圆代工产业链、核心设备厂商（特别是新增的混合键合设备），以及受益于整体扩产和刻蚀/沉积设备需求增加的国产设备链[19]

核心技术方向 - 4F2和CBA技术有望成为DRAM芯片提升PPA（性能、功耗、面积）的重要突破口 [1] - 当前DRAM升级主要通过平面制程微缩和架构升级实现 但改进幅度存在瓶颈 [1] - 三星、海力士及国内存储厂正积极探索4F2和CBA技术的应用 [1] 4F2技术特点 - 4F2结构采用3D垂直布局 将晶体管和电容器垂直排列 [2] - 该技术可将DRAM Cell尺寸较6F2缩小约30% 实现更高存储密度 [2] - 三星通过VCT技术使Cell面积缩小30% 海力士计划在10nm以下节点采用4F2VG平台 [2] CBA技术特点 - CBA技术将存储阵列晶圆和逻辑控制单元分开制造 通过键合工艺实现系统级性能优化 [3] - 采用熔融键合或混合键合工艺将两片晶圆键合 [3] 设备需求影响 - 4F2技术提升对沉积、刻蚀等工艺设备的依赖 [4] - CBA技术增加对键合、CMP、电镀等工艺设备的需求 [4] - 新兴技术路线推动设备需求多元化 打开相关设备成长空间 [4] 国产化机遇 - 新兴技术发展带动DRAM行业设备需求持续提升 [1] - 设备国产化趋势使本土半导体设备成长空间进一步拓宽 [1]