ZAM完成全球首次公开亮相，与传统DRAM相比，ZAM设计承诺实现更低功耗、更高容量和更宽带宽。通过垂直堆叠， 每个芯片产生的热量可均匀向上传导，解决了长期困扰平面堆叠的散热难题。原型产品计划于2027年推出，全面商业化 预计在2030年实现。 硬·AI 作者 | 赵 颖 编辑 | 硬 AI 英特尔与软银合作开发的下一代AI内存技术Z-Angle Memory（ZAM）完成全球首次公开亮相，这项旨在 挑战高带宽内存（HBM）市场主导地位的新技术展示了显著的性能优势。该产品采用垂直堆叠架构，有望 在降低功耗的同时大幅提升容量。 周三，根据Wccftech的报道，早期数据显示ZAM可将功耗降低40%至50%，单芯片容量最高可达 512GB，并通过Z-Angle互连技术简化生产流程。这些特性使其成为应对当前AI应用能耗瓶颈和供应链紧 张的潜在解决方案。 ZAM以Z轴命名，采用垂直堆叠芯片的设计。PC Watch指出， 与传统DRAM相比，这种设计承诺实现更 低功耗、更高容量和更宽带宽。通过垂直堆叠，每个芯片产生的热量可均匀向上传导，解决了长期困扰平 软银子公司SAIMEMORY于2月3日在Intel Connect ...