公司与行业合作 - DDN作为全球领先的AI数据平台提供商，宣布与NVIDIA深化合作，以支持NVIDIA在CES 2026上发布的下一代AI工厂架构，包括NVIDIA Rubin平台和NVIDIA BlueField-4 DPU [1] - 此次合作旨在通过消除限制性能、利用率和实现价值时间的数据瓶颈，帮助企业及超大规模数据中心更快地实现大规模AI的运营化 [1] AI行业发展趋势与挑战 - 生成式AI和智能体AI工作负载正向百万令牌上下文窗口、分布式推理和数据密集型推理演进，企业发现仅靠原始计算能力已不足够 [2] - 业务成果现在取决于数据在GPU、DPU、网络和存储之间移动、缓存、保护和提供服务的效率 [2] - AI正从实验阶段转向生产阶段，企业必须在性能与治理、安全及运营效率之间取得平衡 [6] 技术架构与创新 - NVIDIA Rubin平台代表了一个根本性转变，从以加速器为中心的设计转向采用协同设计、紧密集成CPU、GPU、DPU、NVLink交换结构和高速Spectrum-X以太网网络的机架级AI工厂架构 [4] - BlueField-4通过将网络、存储、安全和基础设施服务从主机CPU卸载，扩展了此架构，为大规模AI创建了一个可编程的操作层 [4] - BlueField-4数据存储处理器驱动了一个新的快速、高效的KV缓存存储层，以扩展AI工厂的长记忆推理能力 [4] - DDN确保其AI数据智能平台经过设计，能原生运行于此统一技术栈中，将架构创新转化为实际成果 [5] 解决方案与性能优势 - DDN平台与NVIDIA最新的硬件和软件创新对齐，包括用于存储的NVIDIA Spectrum-X以太网以及BlueField-4上由NVIDIA DOCA加速的服务 [5] - DDN是全球超过1,000,000个GPU的驱动者，服务于要求最严苛的AI和HPC环境，确保模型在规模、复杂性和并发性增长时性能保持一致 [5] - 合作带来的可衡量影响包括：在大规模AI环境中实现高达99%的GPU利用率；针对长上下文推理工作负载，首次令牌时间减少20–40%；通过简化、集成的数据管道加快模型部署时间；通过减少CPU负载和消除低效数据移动来降低基础设施开销；以线速为高密度Rubin GPU配置提供艾级数据访问；支持NVIDIA推理上下文内存存储平台的分布式KV缓存分层，在保持超低延迟的同时将推理上下文扩展到GPU内存之外；利用BlueField-4加速引擎进行元数据处理、遥测和控制平面操作的网络集成存储服务；动态的、遥测驱动的数据放置，以在工作负载实时变化时优化性能 [7] 数据管理与安全 - 通过集成的数据智能和BlueField-4卸载能力，客户可以：端到端保护静态和传输中的AI数据安全；在共享的AI基础设施上强制执行多租户隔离；实时了解数据访问模式和性能瓶颈；通过统一的观测性和访问智能，将审计和合规准备时间减少高达70% [11] 合作愿景与行业影响 - DDN与NVIDIA的合作专注于一个单一目标：确保由NVIDIA Rubin和BlueField-4驱动的全球最先进AI平台能够以全速、全规模和可预测的性能获得数据供给 [3] - 当内置数据智能时，客户可以看到更高的GPU利用率、更快的推理速度和显著降低的运营摩擦 [3] - AI基础设施的未来是跨计算、网络和数据的统一，NVIDIA Rubin和BlueField-4平台体现了这一转变，而DDN的AI数据智能平台确保数据成为竞争优势而非制约因素 [8] - 通过与NVIDIA合作，DDN正在帮助客户将AI基础设施转变为AI工厂——这些系统不仅用于计算，更是为了更快、大规模且可靠地交付业务成果而设计 [9]

产品发布与战略定位 - 公司发布专为英伟达800 VDC AI工厂架构设计的新款100 V GaN FET、650 V GaN以及高压SiC器件，旨在实现突破性的效率、功率密度和性能 [1][22] - 作为纯宽禁带功率半导体公司，公司提供从电网到GPU的AI数据中心全阶段高效、高功率密度电源转换方案 [7] - 公司正经历由GaN和SiC技术融合驱动的根本性转型，业务重点从移动领域扩展至AI工厂、智能能源基础设施和工业平台的兆瓦级需求 [13] 技术规格与产品优势 - 新款100V GaN FET产品组合在先进双面冷却封装中提供卓越效率、功率密度和热性能，特别针对GPU电源板上的低压DC-DC阶段进行优化 [8] - 650V GaN产品组合包括新款大功率GaN FET和先进的GaNSafe™功率IC，集成控制、驱动、传感和内置保护功能，确保卓越的鲁棒性和可靠性 [10] - GaNSafe™平台具备超快短路保护（最快350纳秒响应）、所有引脚2 kV ESD保护、无需负栅极驱动和可编程压摆率控制，仅需4引脚控制 [11] - GeneSiC™采用专有“沟槽辅助平面”技术，在650 V至6,500 V的宽电压范围内提供卓越性能，已应用于多个兆瓦级储能和并网逆变器项目 [12] 市场背景与技术需求 - AI工厂作为专为大规模同步AI和高性能计算工作负载设计的新型数据中心，对电源架构提出新要求，传统依赖54V机架内供电的架构已无法满足兆瓦级机架密度需求 [3] - 800 VDC配电架构通过固态变压器和工业级整流器，实现从13.8 kVAC市电到800 VDC的直接转换，消除多个传统AC/DC和DC/DC转换阶段，最大化能效并提高系统可靠性 [4][5] - 800 VDC架构直接为IT机架供电，并通过两个高效DC-DC阶段（800 VDC至54 V/12 VDC，再至GPU负载点电压）为英伟达Rubin Ultra平台等先进基础设施供电 [5] 制造合作与产业影响 - 高效率100V GaN FET通过与Power Chip的新战略合作伙伴关系，在200mm GaN-on-Si工艺上制造，实现可扩展的大批量生产 [9] - 800 VDC架构与IEC的低压DC分类（≤1,500 VDC）全球对齐，通过减少电阻损耗和铜使用来提高效率，并提供高度紧凑的解决方案以实现兆瓦级机架功率的可扩展基础设施 [16]