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国林科技:臭氧在ALD中作氧前驱体,与TMA等反应沉积单原子层氧化物薄膜
证券日报
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2025-12-17 16:41
公司技术说明 - 国林科技在互动平台说明其臭氧技术在原子层沉积与原子层刻蚀中的核心差异在于作用相反[2] - 在原子层沉积中臭氧作为氧前驱体与三甲基铝等反应沉积单原子层氧化物薄膜[2] - 在原子层刻蚀中臭氧作为氧化剂先氧化基底表面原子随后剥离以实现单原子层刻蚀[2] - 两项技术均依托自限性循环原理[2]
国林科技(SZ:300786)
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