投资计划与设备规格 - 三星电子计划在明年上半年前投资约1.1万亿韩元，引进两台最新的高数值孔径极紫外曝光设备 [1] - 每套高数值孔径EUV设备成本约为5500亿韩元，是半导体制造领域最昂贵的设备 [1] - 高数值孔径EUV设备的数值孔径从0.33提升至0.55，能够绘制比现有EUV设备精细1.7倍的电路 [1] 技术应用与生产部署 - 三星电子计划在其2纳米晶圆生产线上部署新机器，该生产线已在生产Exynos 2600应用处理器 [3] - 公司计划使用最新EUV设备在2纳米生产线上为特斯拉公司生产和供应下一代人工智能芯片 [3] - 该设备将支持三星未来垂直通道晶体管DRAM的生产，这是一种高性能、低功耗内存芯片，计划于2027年左右量产 [3] 行业竞争与战略意义 - 三星是业内首家将传统EUV光刻技术应用于2018年7纳米晶圆生产线和2020年DRAM生产的公司 [2] - 除三星外，SK海力士是目前已知唯一一家订购生产级高数值孔径EUV设备的芯片制造商 [2] - 三星早期采用High NA EUV被视为其在人工智能计算时代重新确立逻辑和存储器领导地位的潜在催化剂 [3] 性能提升与市场背景 - 高数值孔径EUV对下一代晶圆代工厂和高性能DRAM生产至关重要 [1] - 新一代High NA光刻技术能够实现人工智能和数据密集型应用所需的先进芯片的超精确图案化 [2] - 三星最近缩小了与SK海力士在下一代高带宽存储器方面的性能差距，并计划将HBM4E芯片的数据速率提升至每引脚13千兆位每秒 [3]