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III-V族化合物半导体材料
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磷化铟衬底,被抢到2027年底!
半导体芯闻· 2026-11-11 18:16
文章核心观点 - AI数据中心建设持续升温,光通信产业链供需紧张从光模块、激光器芯片向更上游的半导体材料延伸,磷化铟衬底这一细分材料开始呈现供不应求态势 [2] - 云南锗业作为磷化铟晶片供应商,现有及在建产能已被锁定至2027年底,客户涵盖国内外知名下游厂商 [2] - 海外光通信厂商通过长期协议锁定上游衬底供应,反映下游企业对未来磷化铟材料供应的重视程度正在提高 [5] - AI数据中心带来的光通信需求正在改变上游材料市场供需格局,磷化铟衬底已成为光通信产业链中值得重点关注的一环 [10] 云南锗业磷化铟业务订单情况 - 云南锗业磷化铟晶片业务由控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司负责 [4] - 目前云南鑫耀6英寸磷化铟晶片在手订单约1.3万片,合计金额约3亿元,部分订单已取得出口许可并处于持续交付状态 [4] - 客户结构以海外头部下游厂商为主,今年6月以来已与客户签订多份6英寸磷化铟晶片正式销售合同 [4] - 11月3日披露长期供货协议,云南鑫耀与美国光通信企业Applied Optoelectronics(AOI)约定2027年至2031年AOI预计合计采购90万片4英寸N型磷化铟衬底,平均每年采购18万片 [4] - 仅2027年拟供应的磷化铟衬底产品金额约为1.94亿美元,折合人民币约13.05亿元,相当于云南锗业2025年营业收入的122.46% [4] - 该协议约定的是未来采购预期,并不意味着90万片已全部转化为确定订单 [5] 磷化铟材料在AI光通信中的核心地位 - 磷化铟(InP)是重要的III-V族化合物半导体材料,在光通信、激光器以及高频射频器件等领域具有重要应用 [7] - 磷化铟具有直接带隙等材料特性,能够实现高效光电转换,被广泛用于激光器、探测器以及高速调制器等光电子器件 [7] - 随着AI数据中心对网络带宽要求不断提高,800G光模块加速部署,1.6T光模块逐步推进,光通信器件向更高传输速率演进,对上游激光器芯片性能和制造能力提出更高要求 [7] - EML(电吸收调制激光器)将激光器与电吸收调制器集成在同一芯片上,是目前高速光通信的重要技术方案,磷化铟是其核心材料基础之一 [8] - 需求沿产业链逐级传导:下游光模块厂商扩大生产需要更多高速光芯片,光芯片厂商扩大产能则需要稳定的磷化铟衬底供应,上游材料厂商因此获得新的增长机会 [8] 云南锗业产能建设与原材料保障 - 公司从2026年4月开始实施高品质磷化铟单晶片建设项目,计划在现有产能基础上扩建一条年产30万片的生产线,按照4英寸折算,其中包括6000片6英寸产品 [10] - 项目完成后,公司高品质磷化铟单晶片年产能将达到45万片(折合4英寸) [10] - 项目首批设备已完成入场、安装及调试,产能正随着建设进度逐步释放 [10] - 公司已与供应商签订原材料采购合同,锁定2027年度磷化铟产品原材料供应,为后续产能释放和订单交付提供保障 [10] - 公司正在同时推进订单获取、产能建设和原材料保障 [10] - 产能扩张并不意味着可以立即形成有效供应,晶体生长、晶片加工以及产品品质控制都需要相应的技术和制造积累,尤其是6英寸产品如何持续提高良率和稳定交付能力将直接影响企业后续市场竞争力 [10] 行业展望 - 云南锗业的订单和扩产进展或许只是这一轮产业变化的一个缩影 [11] - 随着800G、1.6T光模块继续推进,上游磷化铟材料的供应能力值得持续关注 [11]