EUV光刻技术挑战 - 高数值孔径EUV光刻中平衡分辨率、灵敏度和线宽粗糙度(RLS三角)的权衡日益困难[1] - 光刻胶与EUV光子相互作用复杂，光掩模到晶圆的图案化步骤是最不可预测的环节[1] - 模拟可预测照明和光掩模组合的区域图像，但光刻胶的多成分特性使实际图案化更复杂[1] 化学放大光刻胶(CAR) - CAR光刻胶改善RLS任一参数通常需牺牲其他两个参数[3] - 光刻胶聚合物尺寸和光酸扩散距离决定最终分辨率，灵敏度影响系统吞吐量和成本[3] - 曝光剂量减少1毫焦耳/cm²可为每台扫描仪年节省100万美元[3] - 杜邦研究发现高电子亲和力PAG分子虽未提升灵敏度，但改善了特征粗糙度和对比度[4] - 薄光刻胶层对高NA曝光至关重要，但会降低光子吸收率和有效灵敏度[5] 金属氧化物光刻胶(MOR) - 金属氧化物光刻胶比聚合物抗蚀剂更坚固，具有优异蚀刻选择性[8] - Inpria正在开发正性光刻胶的反极性配体以克服负性材料限制[8] - 锡氧笼和氧化锆基光刻胶研究显示局部环境比-CH基团总数更重要[9] - 适当底层可将MOR必要曝光剂量减少约20%[10] - imec与Brewer Science合作通过旋涂底漆层与SiON硬掩模组合取得良好效果[10] 新兴光刻胶技术 - Lam Research干法抗蚀剂工艺允许实时调整化学成分，优化底层和显影过程[11] - Irresistible Materials多触发光刻胶利用光酸去除配体促进交联，抑制暗区反应[13] - 杜邦开发光酸解开主链技术，可选择单体优化显影剂溶解度[14] 行业现状 - 光刻胶行业充满创新活力但尚未出现明显技术赢家[14] - High NA EUV曝光带来巨大图案化挑战，多种解决方案处于探索阶段[14]