硅光切割在硅光芯片生产中的卡位与所需工艺 20261018 硅光渗透率跃升驱动切割需求，九州一轨凭工艺壁垒垄断细分赛道 摘要 硅光渗透率随速率提升激增，800G/1.6T 阶段已大幅增长，预计 3.2T 时代光模块硅光占比达 80%-90%，NPO/CPO 方案渗透率接近 100%。 硅光切割环节具备极高技术壁垒，激光切割因非接触、无应力特性成为 主流，需针对特定材料进行复杂工艺调试，设备商 DISCO 仅售设备不 提供工艺支持。 九州一轨（九州光电）为切割环节绝对龙头，市占率达 80%-90%；单 片 12 英寸晶圆切割费约 4,000-5,000 元，对应单只光模块加工费约 10 元。 市场规模测算：以 2 亿只光模块需求计，切割服务市场约 20 亿元，利 润率约 60%；公司拟增 6 亿固定资产投资，满产后年化净利润有望达 5 亿元。 NPO 方案将使 PIC 芯片面积翻倍，带动单颗加工费提升；九州一轨业 务有望向芯片级检测延伸，并布局金刚石等新兴领域。 核心客户西河（矽河光电）上市进程为关键催化剂，其高毛利表现有望 重塑资本市场对硅光独立细分赛道的稀缺性定价。 Q&A 硅光方案在光模块及其他形态（如 ...