基于英特尔1.8纳米(18A)技术的芯片

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台湾重申,投产美国的芯片工艺要N-1
半导体行业观察· 2025-03-14 08:53
如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ 来源:内容编译自chosun,谢谢。 中国台湾当局重申,将对全球最大半导体代工厂台积电美国工厂实施"技术落后一步"的规定。 据台媒13日报道,台湾高官表示,台积电在美1000亿美元(约145万亿韩元)投资就是其中一部 分。他们指出,台积电在美国的投资,也将适用"N-1"规定,即台商在台湾设厂先进制程(N),在 海外设厂低一代制程(N-1)。 他说:"政府将严格遵守'最新技术不交叉'、'最关键的技术不交叉'和'安全是首要'三大原则。" 陈建仁院长也表示,"若有违反安全之虞,则不会核准",并指出,在政府与产业界多次沟通中,首 次提及"N-1"相关规定。 高管表示,台积电不可能成为"美国的台积电(ASMC)"。 经济部官员透露,台积电尖端2纳米半导体今年将在台完成试产并进入量产,而美国2纳米产品量产 计划在2028年左右,比台湾至少落后48个月。并补充称,台湾计划在2028年左右推动1.4纳米及1纳 米产品的量产,仍将符合N-1相关规定。 与此同时,台湾专家表示担心,台积电提议对美国主要半导体公司进行股权投资,以成立合资企业 经营英特尔工厂,此举可能"弊大于利"。 此前一天 ...