Rapidus展示的2纳米半导体晶圆。2纳米产品已确认运作（7月18日，北海道千岁市） 展示了直径30厘米、呈金色光泽的晶圆，"确认了足以令客户候选满意的运作性能"。此次公 开的晶圆仍处于中间阶段，仅包含部分必要功能。Rapidus计划进一步改善晶体管性能，争取 在年内完成开发…… Rapidus成立于2022年8月，由包括丰田汽车在内的8家民间企业共同出资730亿日元。日本 政府累计提供了1.7万亿日元的支持，计划在2025财年下半年再出资1000亿日元。Rapidus 通过美国IBM提供的设计技术，致力于开展电子设备核心所需的逻辑半导体代工业务。 此次公开的晶圆仍处于中间阶段，仅包含部分必要功能。Rapidus计划进一步改善晶体管性 能，争取在年内完成开发。如果样品能展现预期的运算能力与电力性能，将有助于吸引客 户。此外，距离量产还需要逾3万亿日元资金，样品性能的优劣对融资也有重大影响。 Rapidus计划在本财年内向潜在客户提供用于芯片设计的最新"PDK（工艺设计包）"。客户 将可据此评估Rapidus的技术实力。小池淳义社长表示，"预计到2025年底，将明确掌握客户 名单"。 日本致力于实现最先进半导 ...

三星半导体业务现状与挑战 - 公司在HBM和晶圆代工领域落后，DRAM市场份额被SK海力士反超，晶圆代工与台积电差距扩大[1] - 竞争对手美光通过HBM技术突破对三星形成压力[1] - 2023年因客户退出先进制程导致晶圆代工开工率下降，亏损达4万亿韩元[4] 晶圆代工战略调整 - 1.4nm量产计划从2027年推迟至2029年，比台积电晚1年[4] - 将资源聚焦于2nm工艺（SF2）的稳定化，2028年前完成SF2P（第二代）和SF2X（第三代）开发[4] - 优先提升4nm/5nm/8nm等成熟工艺的运营率以改善盈利，联合Telechips、Rebellion等合作伙伴开发设计资产(IP)[5] - 历史性成果包括2016年全球首推10nm、2022年领先台积电量产3nm，但工艺完善度评价仍落后[5] HBM领域突破进展 - 副董事长全永铉近期两度访问英伟达，推进HBM3E 12层芯片供应谈判，目标切入Blackwell Ultra供应链[7] - 基于1a制程的HBM3E 12层已通过AMD MI350X验证，性能超预期[7] - 英伟达Blackwell Ultra初始订单由SK海力士和美光包揽，但2026年长期供应合同尚未确定[8][10] - HBM3E 12层ASP比8层高60%，三星加入可能引发供应商价格竞争[10] HBM4技术布局 - 三星计划7-8月交付HBM4样品，采用第六代1c技术，区别于SK海力士/美光的第五代1b技术[10][11] - 管理层强调HBM3E 12层将在2024年下半年取得市场主导地位[11] - 英伟达推迟HBM4决策以评估三星样品，该技术将用于2025年底量产的Vera Rubin芯片[10] 行业竞争格局影响 - 三星潜在加入HBM3E供应链可能削弱SK海力士和美光的议价能力[10] - 公司技术路线调整被视为从"争夺第一"转向务实提升代工业务竞争力[5]

本田于2023年与台积电（TSMC）就车载半导体的采购展开合作。台积电将从2025年下半年 开始量产最先进的2纳米半导体。本田除了与台积电的合作之外，还通过向Rapidus出资应对 地缘政治风险。 Rapidus为了增强资本，正在寻求丰田等现有股东出资。本田将成为新股东，支持日本国产半 导体的生产计划。 Rapidus成立于2022年8月，由丰田、NTT、索尼集团、电装、三菱UFJ银行等8家企业共出 资73亿日元。 此外，除富士通、北洋银行之外，三井住友银行、瑞穗银行、日本政策投资银行也表明了出 资意向。Rapidus将与各公司协商，计划筹集共计1000亿日元资金。 本田计划2025年度后半对Rapidus进行出资，预计出资额达到数十亿日元规模。丰田也投资 了Rapidus，两大汽车厂商将为确保日本国产半导体铺平道路。这将有助于Rapidus量产最先 进半导体和开拓客户…… 本田将向力争实现最先进半导体日本国产化的Rapidus出资。探讨采购成为自动驾驶汽车等新 一代汽车大脑的半导体。丰田也投资了Rapidus，两大汽车厂商将为确保日本国产半导体铺平 道路。这将有助于Rapidus量产最先进半导体和开拓客户。 ...

Rapidus的2纳米半导体量产计划 - 公司计划在2027年实现2纳米半导体的量产，比台积电晚2年 [2] - 采用每片晶圆高速处理的生产方式，生产速度可达台积电的2～3倍以上 [1][2] - 试生产线预计在7月中旬前向客户展示产品数据 [1] 客户开发与合作进展 - 正在与40～50家企业进行代工磋商，包括美国GAFAM和AI芯片设计初创企业 [1] - 已与美国AI芯片设计公司Tenstorrent等两家初创企业签署合作备忘录 [2] - 目前难以从中国制造商获得代工订单 [1] 技术优势与差异化 - 从美国IBM获得2纳米制造技术 [2] - 日本技术人员掌握2纳米技术，目前进展顺利 [2] - 2纳米采用全新半导体结构，为后来者提供卷土重来机会 [2] - 试制品改进速度快，良品率持续提升 [2] 下一代技术规划 - 对1.4纳米半导体表现出积极态度 [3] - 计划在2纳米量产后2年半至3年内推进下一代技术 [3] 行业竞争格局 - 台积电目前独家代工英伟达AI芯片，处于一家独大状态 [1] - 美国客户因中美分裂日益需要第二供应商 [1]

日本政府对Rapidus的投资支持 - 日本政府将向Rapidus投资高达8025亿日元（约7910亿韩元）用于半导体制造设备采购和生产管理系统开发 [2] - 若相关立法通过，日本政府还将以投资形式额外提供1000亿日元（约985亿韩元） [2] - 截至目前日本政府已决定向Rapidus投资9200亿日元（约9600亿韩元） [2] - 总资金支持（包括投资）将增至1.8225万亿日元（约1.796万亿韩元） [2] Rapidus公司概况 - 公司成立于2022年，由日本政府主导成立 [2] - 已在北海道千岁市设立工厂，计划下月开始生产2纳米原型 [2] - 目标2027年实现2纳米产品量产，预计需要5万亿日元（约49万亿韩元）资金 [2] - 股东包括丰田、铠侠、索尼等8家日本大企业，总投资额仅73亿日元（约7.19亿韩元） [2] 半导体技术发展 - Rapidus正在开发2纳米制程技术（1纳米为十亿分之一米） [2]

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容编译自chosun，谢谢。 中国台湾当局重申，将对全球最大半导体代工厂台积电美国工厂实施"技术落后一步"的规定。 据台媒13日报道，台湾高官表示，台积电在美1000亿美元（约145万亿韩元）投资就是其中一部 分。他们指出，台积电在美国的投资，也将适用"N-1"规定，即台商在台湾设厂先进制程（N），在 海外设厂低一代制程（N-1）。 他说："政府将严格遵守'最新技术不交叉'、'最关键的技术不交叉'和'安全是首要'三大原则。" 陈建仁院长也表示，"若有违反安全之虞，则不会核准"，并指出，在政府与产业界多次沟通中，首 次提及"N-1"相关规定。 高管表示，台积电不可能成为"美国的台积电（ASMC）"。 经济部官员透露，台积电尖端2纳米半导体今年将在台完成试产并进入量产，而美国2纳米产品量产 计划在2028年左右，比台湾至少落后48个月。并补充称，台湾计划在2028年左右推动1.4纳米及1纳 米产品的量产，仍将符合N-1相关规定。 与此同时，台湾专家表示担心，台积电提议对美国主要半导体公司进行股权投资，以成立合资企业 经营英特尔工厂，此举可能"弊大于利"。 此前一天 ...