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基于SOI的低零漂压力芯片高效制备方法及系统
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安培龙:“基于SOI的低零漂压力芯片高效制备方法及系统”取得专利证书
每日经济新闻
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2025-08-18 19:06
公司技术突破 - 深圳安培龙科技股份有限公司获得国家知识产权局颁发的1项发明专利证书 专利名称为"基于SOI的低零漂压力芯片高效制备方法及系统" [2] 行业技术发展 - 专利涉及基于SOI(绝缘体上硅)技术的低零漂压力芯片制备方法 体现行业在传感器精度和稳定性方面的技术进展 [2]
安培龙(SZ:301413)
基于SOI的低零漂压力芯片高效制备方法及系统
基于SOI的低零漂压力芯片高效制备方法及系统