台积电SoW技术发展 - 台积电正在研发先进封装技术"晶圆系统（SoW）"，将超大规模、超高速系统集成在直径300毫米的硅晶圆或圆盘状载体上，具有高运算能力、高速数据传输和低功耗特性 [1] - SoW技术源于台积电针对移动处理器研发的InFO封装技术，该技术已扩展应用于高性能逻辑芯片的CoWoS和InFO_oS封装 [3] - InFO_SoW是InFO技术在大型晶圆尺寸封装中的应用，将RDL扩展至300毫米晶圆尺寸，采用六层布线设计（5/5μm和15/20μm宽度/间距），支持约7,000W功耗的水冷散热 [5][6] InFO_SoW与WSE技术对比 - InFO_SoW与Cerebras的WSE技术主要区别在于硅片处理方式：前者将多个小芯片安装在晶圆尺寸RDL上，后者直接在300毫米晶圆上制造84个微型芯片 [10] - WSE技术通过测试后形成连接微型芯片的布线，故障核心可被冗余核心替换，测试后确定RDL布线布局 [11][14] - WSE采用215毫米见方的RDL板（外接圆直径304毫米），通孔用于连接电源模块和冷却板 [15] Cerebras WSE技术演进 - Cerebras已发布三代WSE产品（WSE/WSE-2/WSE-3），均采用台积电InFO_SoW技术，保持215mm²面积和84个芯片数量 [17] - 三代产品工艺从16nm升级至7nm和5nm，晶体管数量从1.2万亿增至4万亿（增长3.3倍），处理器核心从40万增至90万 [17][18] - WSE-3的片上内存达44GB，I/O带宽21PB/秒，内部传输速度214Pbit/秒，核心内置512字节缓存和48KB SRAM [18] 技术优势与未来发展 - InFO_SoW相比传统MCM技术，布线密度提高一倍，数据传输率翻倍，电源阻抗仅为1/33，显著降低功耗 [19][20] - 台积电正在开发下一代SoW-X技术，将处理器与内存模块分布封装，现有InFO_SoW更名为SoW-P [21][23] - 300mm晶圆InFO_SoW目前是终极大规模电路模块技术，垂直电源线设计有助于稳定电压 [19]