投资评级与核心观点 - 首次覆盖给予“增持”评级，目标价为51.18美元/股 [2][10][24] - 报告核心观点：公司具备完备的先进封装产品谱系，支撑盈利质量结构性好转；强劲的现金底座支撑股东回报政策转变与全球产能扩张 [3][10] - 预测公司2025E~2027E总收入分别为68.74亿美元、82.04亿美元、86.37亿美元，归母净利润分别为3.42亿美元、5.62亿美元、6.06亿美元 [5][10][25] 财务预测与估值 - **收入预测**：预计总收入将从2024年的63.18亿美元增长至2027年的86.37亿美元，2025E-2027E同比增速分别为8.8%、19.4%、5.3% [5][10][25] - **盈利预测**：预计归母净利润将从2024年的3.54亿美元增长至2027年的6.06亿美元，2026E同比大幅增长64.4% [5][10][25] - **毛利率预测**：预计2025E-2027E毛利率分别为13.56%、15.00%、15.00% [15][17] - **分部收入预测**：先进封装系列2025E-2027E收入增速预计分别为10.84%、24.02%、7.84%；主流封装系列同期收入预计萎缩，增速分别为-0.43%、-4.11%、-11.47% [16][17] - **估值方法**：采用PE与PS两种方法，选取Kulicke & Soffa、FormFactor、Cohu三家美股公司作为可比对象 [19][20][21] - **估值结果**：PE法给予2025E 34x~40x，PS法给予2025E 1.7x~2x，综合取低得出合理市值126.51亿美元，目标价51.18美元 [22][23][24] 财务表现分析 - **历史业绩**：FY2022-FY2024营业收入分别为70.92亿、65.03亿、63.18亿美元，近两年同比分别下降8.3%、2.9%；同期归母净利润分别为7.65亿、3.60亿、3.54亿美元 [25] - **研发投入**：FY2022-FY2024研发费用分别为1.49亿、1.77亿、1.63亿美元，研发费用率分别为2.1%、2.7%、2.6% [35][37] - **费用控制**：预计销售及行政费用率将从2024年的5.3%逐步下降至2027E的3.9% [35][37] - **资产负债表**：公司资产负债率从FY2022的45.8%温和下降至FY2024的39.8%，预测将有所回升 [38][44] - **现金流强劲**：经营性现金流表现稳健，2023年创下12.7亿美元新高；自由现金流在2023年达到5.29亿美元的历史峰值 [45][49][50] - **股东回报**：自2021年开启分红，现金分红规模从最初的5100万美元迅速攀升至TTM的1.82亿美元 [10][50] 行业分析与竞争格局 - **行业规模**：2024年全球OSAT市场规模约为484.7亿美元，预计至2033年将扩大至约1010.1亿美元，期间CAGR约为8.5% [51][52] - **竞争格局**：行业集中度高，CR3市场份额超五成，2022年达52.14% [57] - **公司地位**：安靠技术为全球头部OSAT厂商，2024年收入在CR10中占比约15.50%，位居全球第二 [57] - **行业趋势**：AI与异构集成驱动先进封装创新，2.5D/3D封装、扇出型封装等技术需求旺盛；供应链本地化趋势正在重塑产业格局 [59][60][64] 增长驱动因素 - **先进封装技术优势**：公司已形成覆盖主流异构集成需求的完整产品谱系，包括已量产的FCMCM与2.5D TSV方案，以及处于客户项目阶段的S-SWIFT® HDFO和S-Connect平台 [10][74][75] - **全球产能扩张**：公司正在美国亚利桑那州建设先进封装与测试园区，已获得《芯片法案》4亿美元资助及2亿美元贷款支持，预计2027~2028年投产；同时在韩国扩建K5测试设施 [71][81] - **高增长领域布局**：深耕汽车电子与高性能计算领域，新增2.5D封装产能专门用于支持HBM存储堆叠的高性能计算芯片封装 [10][84][85] - **研发与生态协作**：截至2024年初拥有全球专利超过3200项；与台积电等晶圆代工厂深度合作，提供从晶圆级封装到后段测试的一站式服务 [75][89][90]

今日，玻璃基Micro-LED(COG-基于TFT背板的玻璃基Micro-LED技术)领军企业辰显光电与高端半导体 装备制造商新益昌正式签订战略合作框架协议。双方将聚焦玻璃基Micro-LED芯片巨量转移这一核心工 艺环节，共同攻克技术瓶颈，展望其在商业显示、智慧会议、透明显示、车载显示等广阔场景的应用前 景，携手破解行业量产化与成本优化的核心痛点，共赴千亿蓝海市场。 当前，玻璃基Micro-LED技术已从实验室验证阶段，全面进入工程化、产业化的加速期。尤其是在大尺 寸高像素密度、高亮度、高精度无缝拼接显示及车载、创新商业展示、舞台、智能医疗与家居等新型空 间显示领域，玻璃基技术凭借其高可靠性、结构简洁性、超高像素密度、高透光率及微米级拼接精度等 显著优势，正加速推动COG Micro-LED技术在智能显示时代的渗透与革新。 此外，随着AI芯片算力需求爆发式增长，先进封装技术对基板材料提出了更高要求，玻璃基板替代传 统有机基板的趋势已然显现。AMD、苹果、英伟达、英特尔、台积电、微软等全球半导体与科技巨头 纷纷布局玻璃基方案，为其在半导体先进封装及高端光通信领域的产业化应用注入强大动力。 辰显光电在此领域布局 ...

行业趋势与市场前景 - AI应用快速普及与高速运算芯片大量导入先进封装，推升封测需求 [1] - 根据工研院产科国际所预估，2025年台湾半导体封测产业产值将达新台币7,104亿元，年成长率达13.9% [1] - 2026年，在AI/HPC基础设施大规模部署需求下，封测产值将稳定成长至新台币7,590亿元，年增6.8% [1] - 摩尔定律逼近物理极限，封装技术成为决定芯片效能的关键，通过多芯片整合提升数据传输频宽并降低能耗与延迟 [2] - AI加速器普遍采用HBM，使得可整合逻辑芯片与HBM的先进封装技术成为AI芯片供应链关键解方 [2] - 先进封装技术使芯片量产时间从客户设计定案到量产，由过去的7个季度缩短至3个季度 [9] 台积电先进封装技术布局 - 台积电CoWoS成为家喻户晓的先进封装技术，并积极开发下一代技术如CoPoS和CoWoP [1] - CoPoS旨在将CoWoS面板化，通过“化圆为方”提升面积利用率与单位产量 [1][10] - CoWoP将芯片和中介层直接装在高精度PCB板上，有助于芯片散热 [1] - 台积电开发出CoWoS、InFO以及SoIC等技术，在竹科、中科、南科、嘉义都具备产能 [2] - 从2022年到2026年，台积电SoIC产能年复合成长率将超过100%，CoWoS产能年复合成长率将超过80% [2] - CoWoS细分为CoWoS-S、CoWoS-R和CoWoS-L，其中CoWoS-L在AI应用兴起后需求大幅提升，销量约占CoWoS系列六成 [6] - 台积电3D封装技术包括SoIC-P和SoIC-X，后者采用混合键合技术 [8] - 台积电在美国兴建的两座先进封装厂将专注于CoPoS和SoIC技术，计划2026年启动CoPoS测试生产，目标2027年底完成验证 [8] - 台积电将通过子公司采钰科技于2026年设立首条CoPoS实验线，预计2028年底至2029年上半年在嘉义AP7厂启动量产 [8] - 预估两年内，台积电先进封装扩产重心仍以CoWoS为主，预计明年产能将成长60% [9] - 预计到2028年，将有5%先进封装产能从CoWoS移转至CoPoS，GPU体系如辉达可能会采用CoPoS封装 [9] 下一代封装技术发展与挑战 - CoPoS将原本的圆形硅中介层改用310×310mm矩形面板，以提升面积利用率 [10] - CoPoS主要挑战来自于面板翘曲度的控制，且散热效能受限需额外加装散热解决方案 [11] - CoWoP无须使用ABF基板，采用精简路径和衔接大面积的PCB板有助于芯片散热，但高精度PCB制造为其最大挑战 [11] - 半导体业界持续研发通过异质整合结合先进与成熟制程节点来设计制造SoC，再利用2.5D和3D先进封装技术达到降低成本、缩短上市时间、提升系统效能的目的 [2] 供应链与竞争格局 - 为缓解产能不足，台积电CoWoS先进封装采取与美商Amkor合作方式 [8] - Amkor在亚利桑那皮奥里亚市将建置一座价值20亿美元的先进封测设施，预计2028年初投产 [8] - 除了台积电，日月光于全台北中南建置先进封装产能，亦是全球最大的OSAT半导体封测厂 [9] - 海外厂商如英特尔于美国、马来西亚两地建置封装产能；三星在韩国、中国和美国都有设厂 [9] - 对OSAT委外封测厂而言，在海外设厂将增加营运成本，且封测厂毛利可能不到晶圆厂（近60%）的一半，议价能力受限 [9] - 先进封装对供应链造成压力，IC制造业须在产品制造时同步投入开发和验证工作，考验供应链弹性 [10] - 业界成立了3DIC先进封装制造联盟和硅光子产业联盟，以强化业界整合 [10]

18A制程工艺进展 - 英特尔正在量产Panther Lake芯片，预计于1月5日正式上市 [1] - 18A制程的良率是决定该工艺能否为代工部门带来利润的关键因素 [1] - 自今年3月新CEO就任以来，18A良率取得了显著进展，目前正逐月稳步提升，与行业平均水平相符 [1] 客户与市场反馈 - 针对18A-P工艺节点，PDK已“相当成熟”，公司正重新与外部客户接洽以评估兴趣 [2] - 18A-P和18A-PT工艺节点将同时应用于内部和外部，客户兴趣浓厚部分源于PDK早期进展顺利 [2] - 外部客户正在考虑英特尔晶圆代工部门提供的芯片和封装解决方案 [3] 先进封装业务机遇 - 考虑到台积电CoWoS产能瓶颈，先进封装技术对英特尔晶圆代工而言前景广阔 [2] - 一些先进封装客户已取得“良好成果”，EMIB、EMIB-T和Foveros封装解决方案被视为台积电产品的替代方案 [2] - 客户主动联系英特尔是“溢出效应”的结果，公司目前正在进行“战略对话” [2] - 公司可能在Foveros的产能提升方面略有不足，但此举带来了客户并使讨论从战术转向战略层面 [3] 公司整体战略与信心 - 公司对即将推出的工艺以及目前的先进封装产品组合充满乐观 [1] - 公司对先进封装技术感到兴奋，并可能低估了该业务的潜力 [2] - 英特尔管理层对晶圆代工部门能够改善现状充满信心 [3]

公司核心产品与技术应用 - 公司核心产品电镀液及光刻胶均可服务于HBM、CoWoS等先进封装技术 [1] 公司市场策略与发展规划 - 公司将持续关注市场需求，通过技术创新和优质服务扩大在高端封装领域的市场份额 [1]

先进封装技术市场格局 - 人工智能和高性能计算快速发展推动异构集成需求增长，先进封装技术成为战略重点 [1] - 台积电CoWoS平台是目前该领域的领先解决方案 [1] - 芯片服务提供商加速自主研发ASIC芯片以满足复杂功能需求，对封装尺寸要求大幅增长 [1] 技术路线对比：CoWoS vs EMIB - CoWoS技术通过中介层连接计算逻辑、内存和I/O芯片并安装在基板上，已扩展到CoWoS-S、CoWoS-R和CoWoS-L [1] - 随着NVIDIA Blackwell平台2025年接近量产，市场需求正迅速转向CoWoS-L [1] - NVIDIA即将推出的Rubin架构将采用更大的光罩尺寸 [1] - 英特尔EMIB通过将小型硅桥直接集成到基板上实现芯片间连接，无需使用大型且昂贵的中介层 [2] - EMIB设计简化结构，提高生产良率，并最小化因材料热膨胀系数不同导致的热膨胀不匹配 [2] 性能与成本优势分析 - CoWoS-S光罩尺寸扩展倍数上限为3.3倍，CoWoS-L约为3.5倍（预计2027年达9倍） [3] - EMIB-M已支持6倍光罩尺寸扩展，预计2026-2027年达8-12倍 [3] - EMIB通过省去中介层为需要超大封装的AI客户提供更具成本效益的解决方案 [3] - EMIB因硅桥面积和布线密度限制，带宽较低、传输距离延长、延迟略高于CoWoS [3] 市场需求与客户选择 - AI/HPC需求增长导致CoWoS技术出现产能短缺、光罩尺寸限制和制造成本上升等瓶颈 [2] - 大部分CoWoS产能已被NVIDIA GPU占用，其他客户选择有限 [2] - 对更大封装尺寸的需求及美国本地化要求促使谷歌和Meta等北美CSP与英特尔合作采用EMIB [2] - EMIB主要吸引ASIC客户，而非对带宽和延迟要求极高的GPU厂商 [3] 厂商战略与市场前景 - 英特尔自2021年成立IFS部门以来已投入数年研发EMIB先进封装技术 [4] - 英特尔已将EMIB技术应用于服务器CPU平台Sapphire Rapids和Granite Rapids [4] - 谷歌计划在2027年推出的TPU v9中采用EMIB技术，Meta正考虑将其用于MTIA加速器 [4] - 在可预见的未来，CoWoS仍将是NVIDIA和AMD高带宽产品的主要封装解决方案 [4]

技术演进维度 - 先进封装市场规模预计从2024年450亿美元增长至2030年800亿美元，年复合增长率9.4%[3] - 台积电CoWoS技术从2016年1.5倍光罩尺寸演进至2024年3.3倍光罩尺寸，支持8个HBM3堆叠，2027年计划实现9倍光罩尺寸超级载板，中介层面积达7,722平方毫米[6][7] - 混合键合技术预计2027年随HBM4E量产应用，可实现无凸块直接晶圆键合，提升互连密度并降低功耗[10][11] - AMD MI300X AI加速器采用3.5D封装，集成1530亿个晶体管和192GB HBM3内存，晶体管数量为NVIDIA H200的近两倍[14][15] - 英特尔EMIB技术支持2.5D封装，Foveros技术专注3D堆叠，其数据中心GPU Max系列SoC含超1000亿晶体管和47个主动模块[18][19] - 玻璃基板技术具低介电损耗和可调热膨胀系数，台积电计划2027年实现8倍以上光罩尺寸玻璃中介层，市场渗透率预计五年内超50%[22][23] 材料体系分析 - BT树脂基板占全球IC载板70%以上，具高耐热性和低介电常数，但布线密度有限，主要应用于存储芯片和MEMS封装[26][27] - ABF基板支持更细布线和更高传输速率，成为CPU、GPU等高端运算芯片首选，但成本较高且易受热胀冷缩影响[30][31] - 陶瓷基板中氮化铝导热率达170-180 W/m·K，热膨胀系数接近硅材料，氮化硅抗弯强度高达800 MPa，适用于高功率器件和汽车电子[33][34][35] - 柔性聚酰亚胺基板工作温度范围-269℃至280℃，拉伸强度200 MPa，适用于可穿戴设备和折叠显示器[37][38] - 封装基板占芯片封装总成本30%-80%，其中倒装芯片类基板占比70%-80%[41][42] 设备与工艺维度 - 热压键合设备市场由ASMPT垄断，份额超80%，2027年潜在市场规模预计突破10亿美元[45][47] - 全球固晶机市场前四大厂商占82%份额，ASMPT以31%居首，中国新益昌以6%进入前四[49][51] - 后端封装设备市场中Disco以20%份额领先，Besi占11%，ASMPT占9%[53][54] - 测试设备市场呈双寡头格局，爱德万测试2025年第三季度营收2629亿日元（约17亿美元），泰瑞达营收7.69亿美元[58] - 晶圆级封装专用设备支持高密度扇出和3D封装，泛林研究电化学沉积设备用于铜互连工艺[61] 产业布局分析 - 台积电CoWoS月产能从2023年13,000-16,000片增至2025年65,000-75,000片，2025年预计向英伟达供应390,000个单元[65][66] - HBM市场三星、SK海力士、美光三强占95%份额，SK海力士市占率60%-70%，正开发16层48GB HBM3E[67][68] - 中国封装三强中长电科技全球市占率12%居第三，通富微电占8%居第四，华天科技完成2.5D产线建设[70][71] - IDM厂商在先进封装市场占主导地位，台湾企业占全球数据中心AI封装市场份额77%[73] - 先进封装市场2030年规模预计达800亿美元，AI驱动领域年复合增长率45.5%[75]

行业趋势：ASIC方案崛起与先进封装需求转变 - 谷歌、Meta等北美云端服务业者加速自研ASIC芯片，以谷歌TPU为代表的ASIC方案正在崛起[1][2] - 多家机构研判，2026至2027年，谷歌、亚马逊、Meta、Open AI及微软的ASIC芯片数量将迎来爆发式增长[2] - AI HPC需求旺盛导致传统CoWoS封装面临产能短缺、光罩尺寸限制及价格高昂等问题，推动厂商寻求替代方案[1][3] 技术方案：EMIB关注度提升 - 英特尔EMIB是一种2.5D先进封装技术，允许高度定制的封装布局，正获得谷歌、Meta、美满电子、联发科等公司的积极评估和接洽[1] - 谷歌计划在2027年TPU v9导入EMIB试用，Meta亦积极评估将其用于MTIA产品[1] - 相较于CoWoS，EMIB的优势主要集中在封装面积与成本上[3][4] 竞争格局：EMIB与CoWoS对比 - 台积电CoWoS技术成熟，在高端GPU市场占据主导，英伟达、AMD等对带宽和延迟要求高的客户仍以CoWoS为主[3] - CoWoS产能紧张，仅英伟达一家便占据其超过60%产能，台积电正努力于2026年提升CoWoS产能[3] - 在光罩尺寸上，CoWoS-S仅达3.3倍，CoWoS-L目前为3.5倍，预计2027年达9倍；而EMIB-M目前已可提供6倍光罩尺寸，预计2026到2027年可支援到8倍至12倍[3] - EMIB通过舍弃高昂的中介层，直接将芯片内嵌在载板互连，简化结构，从而提供更具成本优势的解决方案[4] 市场应用与局限性 - 目前EMIB技术高度绑定ASIC客户需求，受限于硅桥面积与布线密度，其互连带宽相对较低、信号传输距离较长且延迟略高[5] - 因此，当前主要对ASIC芯片客户有较大吸引力，其他类型客户导入相对谨慎[5]

行业趋势 - 当前存储行业正迎来由AI驱动的超级周期 [1] 行业影响 - 本轮周期带动存储芯片价格上涨 [1] - 通过先进封装技术推动封装材料产业链的量价齐升 [1] 公司影响 - 行业趋势对公司的经营具有正向积极影响 [1]

AI HPC先进封装技术趋势 - AI HPC对异质整合的需求高度依赖先进封装技术，其中台积电的CoWoS解决方案是关键[1] - 随着云端服务业者加速自研ASIC，为整合更多复杂功能芯片，对封装面积的需求不断扩大[1] - 已有云端服务业者开始考量从台积电的CoWoS方案转向英特尔的EMIB技术[1] CoWoS技术发展与市场应用 - CoWoS方案通过中介层连结主运算逻辑芯片、存储器、I/O等不同功能芯片并固定在基板上，已发展出CoWoS-S、CoWoS-R与CoWoS-L等技术[1] - 随着英伟达Blackwell平台2025年进入规模量产，市场需求高度倾向内嵌硅中介层的CoWoS-L[1] - 英伟达下世代Rubin平台也将采用CoWoS-L技术，并进一步推升光罩尺寸[1] CoWoS面临的挑战 - AI HPC需求旺盛导致CoWoS面临产能短缺、光罩尺寸限制以及价格高昂等问题[2] - CoWoS多数产能长期由英伟达GPU占据，导致其他客户遭到排挤[2] - 封装尺寸以及美国制造需求，促使谷歌、Meta等北美云端服务业者开始积极与英特尔接洽EMIB解决方案[2] EMIB技术的优势 - EMIB结构简化，舍弃昂贵且大面积的中介层，直接使用内嵌在载板的硅桥进行芯片互连，简化整体结构，良率相对CoWoS更高[2] - EMIB热膨胀系数问题较小，因只在芯片边缘嵌硅桥，整体硅比例低，硅与基板接触区域少，热膨胀系数不匹配问题较小，不易产生封装翘曲与可靠度挑战[2] - 在封装尺寸上，CoWoS-S仅能达到3.3倍光罩尺寸，CoWoS-L目前发展至3.5倍，预计2027年达9倍；而EMIB-M已可提供6倍光罩尺寸，预计2026年至2027年可支援到8倍至12倍[3] - 价格部分，因EMIB舍弃价格高昂的中介层，能为AI客户提供更具成本优势的解决方案[3] EMIB技术的局限性与市场定位 - EMIB技术受限于硅桥面积与布线密度，可提供的互连带宽相对较低、讯号传输距离较长，并有延迟性略高的问题[3] - 目前仅ASIC客户在较积极评估洽谈导入EMIB技术[3] - 英特尔自2021年宣布设立独立的晶圆代工服务事业群，耕耘EMIB先进封装技术多年，已应用至自家服务器CPU平台Sapphire Rapids和Granite Rapids等[3] - 随着谷歌决定在2027年TPUv9导入EMIB试用，Meta亦积极评估规划用于其MTIA产品，EMIB技术有望为英特尔代工服务业务带来重大进展[3] - 英伟达、超威等对带宽、传输速度及低延迟需求较高的GPU供应商，仍将以CoWoS为主要封装解决方案[3]