半导体材料技术竞争 - 氮化镓(GaN)芯片工作温度突破至800°C，超越碳化硅(SiC)的600°C极限，适用于太空探测器、喷气发动机等极端环境[2] - GaN凭借高电子迁移率晶体管(HEMT)结构实现更快电子移动速度，在给定电压下承载更大电流，性能优于SiC[3] - 研究团队通过钽硅化物阻挡层降低漏电流，保护器件免受环境影响，提升高温稳定性[4] 技术改进与商业化前景 - 需解决GaN在500°C以上可能出现的微裂纹问题，当前800°C下仅能维持1小时运行[4] - 计划去除器件中的钛元素以避免破坏二维电子气(2DEG)，进一步优化结构[5] - 高温电子领域缺乏替代方案，GaN芯片商业化进程可能加速[6] 应用场景拓展 - 金星探测器(环境温度470°C)和高超音速飞行器(表面温度达1500°C)将成为关键应用场景[5] - 美国国防部对耐极端温度电子产品兴趣浓厚，涉及雷达和信号处理设备[5] 行业竞争动态 - 碳化硅技术正尝试追赶GaN的高温性能，两者竞争将持续升温[6]