燕芯微电子融资与RRAM技术发展 - 燕芯微电子完成天使轮融资 投资方包括佰维存储、开元明信、燕缘基金等机构 [2] - RRAM技术读写速度比NAND Flash快1,000倍以上 且能在nA级极低电流下操作 [2] - RRAM具备突破冯诺依曼架构瓶颈的潜力 可实现记忆体内运算 [2] RRAM技术优势与产业格局 - RRAM具有读写快速、低耗能、结构简单、储存时间长等优势 被业界视为下世代通用记忆体首选 [3] - 全球主要厂商布局RRAM技术 包括Samsung、Panasonic、Micron、Hynix及Intel等 [3] - RRAM采用金属-绝缘层-金属结构 通过电压改变电阻状态实现数据存储 [3] RRAM工作原理与技术特性 - RRAM通过Forming过程形成导通路径 实现低阻态与高阻态转换 [4][5] - 操作流程分为Set（低阻态）和Reset（高阻态） 通过微小电压读取电阻值区分0/1信号 [6] - 传导机制分为阻丝型（连续传导路径）和介面型（氧空缺载子传递）两种类型 [6] - 操作方式包含单极性（单向电压操作）和双极性（反向电压操作）两种模式 [7] 材料研究与技术演进 - RRAM绝缘层材料从氧化铝扩展到氧化镍、氧化钛、氧化铪等新型材料 [4] - 物理机制主要采用灯丝理论 通过氧离子移动实现氧化还原反应 [4][6]