采购计划概况 - 中国科学院微电子研究所发布10项仪器设备采购意向 预算总额达1.19亿元[1][2][3] - 采购计划涵盖8吋化学纯气态高选择性各向同性刻蚀设备 三维集成封装结构函数分析仪 关键尺寸量测设备 高精度扫描电子显微镜等核心半导体制造与检测设备[3] - 预计采购时间为2025年6月至11月 设备交付时间多在订单生成后10-12个月内完成[3][8] 具体设备采购明细 - 8吋化学纯气态高选择性各向同性刻蚀设备采购预算2240万元 用于垂直GAA CFET等三维器件结构的原子层级精度刻蚀 采购数量1台[8] - 三维集成封装结构函数分析仪采购预算198万元 用于测量三维异质异构集成封装的结温数据 热阻数据及界面热阻评估[5][8] - 关键尺寸量测设备采购预算1700万元 满足8英寸晶圆65nm以上工艺节点 分辨率达2nm 静态重复精度2nm[8] - 套刻精度量测设备采购预算540万元 对应65nm以上工艺节点[8] - 高精度扫描电子显微镜采购预算1200万元 二次电子图像分辨率达0.4nm@30kV 0.7nm@1kV 具备sTEM和能谱功能[8] - 百纳米级光学显微测试系统采购预算270万元 XY轴分辨率120nm Z轴分辨率10nm[8] - 影像型套刻偏差量测仪采购预算2500万元 量测精度小于0.15nm 设备引入误差均值小于0.1nm 总量测不确定度小于0.31nm[4][8] - 衍射型套刻偏差量测仪采购预算2500万元 总量测不确定度小于0.2nm 量测波长范围425nm-885nm 可将数据反馈给光刻机进行补偿[6][8] - 193nm激光器采购预算258万元 输出功率大于3mW 发散角小于0.15mrad[8] - 兆声清洗机采购预算450万元 满足8英寸晶圆清洗 粒径大于0.3μm颗粒去除率超过95% 碎片率低于1‰ 划痕率低于1‰[8] 技术发展趋势 - 半导体制造特征尺寸持续缩小至5nm 3nm及以下节点 套刻精度要求已达亚纳米级别[4] - 三维集成封装技术（如TSV硅通孔 Chiplet小芯片 2.5D/3D封装 CoWoS HBM堆叠）成为提升算力 降低功耗的关键路径[5] - 影像型量测技术凭借高分辨率 高稳定性和非接触特性成为先进制程主流解决方案[4] - 衍射型套刻偏差量测技术（DBO/SBO）通过分析衍射光栅结构反射光信号实现亚纳米级精度测量[6]