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隧道场效应晶体管及其形成方法
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中芯国际取得隧道场效应晶体管及其形成方法专利
搜狐财经· 2026-02-04 12:23
公司技术研发进展 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司与中芯国际集成电路制造(上海)有限公司联合取得一项名为“隧道场效应晶体管及其形成方法”的专利,授权公告号为CN114447111B,该专利的申请日期为2020年10月 [1] 公司北京实体概况 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司成立于2002年,位于北京市,主营业务为计算机、通信和其他电子设备制造业 [1] - 该公司注册资本为100,000万美元 [1] - 该公司对外投资了1家企业,参与招投标项目53次,拥有专利信息5,000条,并拥有行政许可225个 [1] 公司上海实体概况 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司成立于2000年,位于上海市,主营业务为计算机、通信和其他电子设备制造业 [1] - 该公司注册资本为244,000万美元 [1] - 该公司对外投资了4家企业,参与招投标项目129次,拥有商标信息150条,专利信息5,000条,并拥有行政许可446个 [1]