纪要涉及的行业和公司 - **行业**：HBM 产业链、半导体封装行业 - **公司**：海力士、韩美半导体、长川科技、绿都智能旗下唐人制造、华丰科技、清源金河、库尼索法、CES、ASTA、APTC、西美斯、韩华、新美思（ASMPT）、三星 纪要提到的核心观点和论据 - **HBM 堆叠工艺发展趋势**：与 AI 发展密切相关，AI 参数量提升依赖 HBM 内存容量和带宽，从技术阶段快速推广到商务阶段，端侧出现 DRAM 和 NPU 堆叠工艺，中美关系及先进供应链转移影响产业发展[2] - **国内 HBM 产业链应对策略**：需自主解决关键核心设备和材料问题，追赶海外产品水平；海力士已推出 36GB HBM 产品并计划推 48GB 新产品，国内目前四层堆叠，需购买海外设备进行工艺迭代，推进上游设备和材料自主替代[1][5] - **键合技术应用**：在半导体产业应用广泛，包括引线键合、FC 倒装封装和热压键合，各类键合技术在不同环节发挥作用，互相替代以满足不同封装需求[1][6] - **热压键合工艺应用**：用于高密度封装，通过加热使模具材料融化粘合上下部分，传统温度 200 - 300 度，也可低温先粘合再填充液态塑封料；随着 pitch size 变小，键合难度增加，对设备需求提高[8] - **先进封装技术对 pitch size 的影响**：使 pitch size 从 300 微米缩小到 25 - 40 微米，提高芯片密度，增加键合难度，如英特尔 Foveros 和台积电 CoWoS 技术[9] - **KNS 路线图信息**：展示 flip chip 和 TCB 技术在不同 pitch 尺寸下的应用范围，C4 flip chip 与传统助焊剂 PCB Bonder 有交叉区域，无助焊剂 PCB Bonder、铜 TCB 以及 Hybrid 混合集成等新兴技术逐步发展[4][10] - **全球主流公司参与情况**：库尼索法、CES、ASTA、APTC、韩美半导体、西美斯、韩华、三星等公司积极参与先进封装领域，推动技术进步[12] - **TCB Bonder 设备市场份额**：韩美半导体在全球 HBM 用 TCB 设备市场占 60% - 70%份额，新美思和韩华也有一定份额，韩华计划 2024 年开始大规模进入[13] - **HBM 技术发展历程**：2000 年前后海力士开始研发 WLP 技术路线，2009 年研发 PSV 通孔工艺，2013 年第一代 HBM 产品 TC - NCF 问世，材料从 NCF 变为 MAF，再到 MR - MUF，最终发展到 Advanced MR - MUF[14] - **海力士与其他公司技术差异**：海力士从 TC - NCF 发展到 Advanced MR - MUF，提高热压键合效率、散热性能和生产良率；三星等公司仍主要采用 TC - NCF 方法[15] - **韩美半导体垄断地位原因**：与海力士紧密合作研发 MR Max 设备，设备兼容 TC - NCF 和 MR - MUF 工艺，具备广泛适应性[16] - **海力士合作趋势**：2024 年开始引入 APT、韩华等供应商，减少对单一供应商依赖，推动行业竞争与创新[17] - **Advanced MR - MUF 工艺影响**：结合 PCB 技术，提高芯片封装效率和性能，对提升算力芯片性能重要[18] - **热压键合技术优势**：在 two wafer 工艺、die to interposer 连接、PCB tip to wafer、interposer TC - NCF 环节、C2C Wafer 工艺等场景有优势，3D IC 堆叠 pitch 小于 9 微米时用 hybrid bonding 更合适[19] - **Hybrid Bonding 技术应用领域**：主要应用于 CIS、3D NAND、未来 3D DRAM 以及 HBM 堆叠，HBM 堆叠超过 16 层时优势明显[20] 其他重要但是可能被忽略的内容 - **韩美半导体断供消息**：报道称韩国韩美半导体对中国大陆断供热压键合设备，但无确凿信源，国内客户未接到通知，禁运消息从去年开始讨论，未广泛证实，新闻可能不真实或需进一步跟踪[3] - **国内 HBM 堆叠技术现状**：处于从四层到八层变化阶段，八层堆叠进展关键，国内设备和材料公司积极研发，长川科技等推出相关机台但未规模化量产，2025 下半年至 2026 年进入国产化替代加速期[22][23]