行业与公司 * 会议聚焦于半导体行业 特别是内存(NAND和HBM) 半导体生产设备(SPE) 以及中国数据中心(IDC)和光收发器(Transceiver)市场[1] * 讨论涉及日本半导体生产设备行业[6] * 覆盖的韩国科技公司包括 SK海力士(SK hynix) 三星电子(Samsung Electronics) 三星SDI(Samsung SDI) LG显示(LG Display) 乐金伊诺特(LG Innotek) 以及Ecopro BM L&F Co Ltd等[77] 核心观点与论据 * 人工智能(AI)时代终于延伸至NAND闪存领域 将对其产生重要影响[1][21][23] * 处理器性能演进与内存带宽限制是行业关键议题[7] * 列出了受不同投资主题驱动的设备类型 包括先进封装(Chiplet) 高带宽内存(HBM) 边缘AI高带宽内存 晶圆级芯片尺寸封装(WL-CSP) 板级封装(PLP) 闪存 以及环绕栅极(GAA)和极紫外光刻(EUVL)等先进逻辑工艺[9] * 采用扇出型面板级封装(FOPLP)相比扇出型晶圆级封装(FOWLP)具有显著优势 其载体尺寸为510x515mm矩形 每块面板可容纳81个封装 是300mm圆形晶圆(容纳15个封装)的5.4倍 可用面积从64%提升至93% 吞吐量从每小时1800个芯片提升至3240个芯片[11] * 提供了高带宽内存(HBM)和垂直腔面发射激光器(VCSEL)的结构分析[12][15] 其他重要内容 * 摩根士丹利对半导体行业的观点为"In-Line"(同步大市)[4] * 披露了摩根士丹利与研究覆盖公司的业务关系 例如截至2025年8月29日 摩根士丹利受益持有Isu Petasys Leeno Industrial LG显示 LG Innotek SK海力士 Wonik IPS等公司1%或以上的普通股[35] * 在过去12个月内 摩根士丹利曾为SK海力士管理或联合管理公开发行(或144A发行) 并从三星SDI和SK海力士获得投资银行服务报酬[36] * 在未来3个月内 摩根士丹利预计将寻求或获得来自Ecopro BM HD Hyundai Electric L&F Co Ltd LG显示 LG电子 三星电子 三星SDI SK海力士的投资银行服务报酬[37] * 报告包含了详细的股票评级分布 在覆盖的3701只股票中 看涨(Overweight/Buy)占比41% 中性(Equal-weight/Hold)占比44% 看跌(Underweight/Sell)占比16%[48]

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 内存延迟、带宽、容量和能耗日益成为性能提升的瓶颈。在本文中，我们重新审视了由大量（从 数太字节到拍字节规模）内存供众多CPU共享的系统架构。我们认为，扩展性（scaling）和信号 传输（signaling）这两个实际的工程难题限制了此类设计。 为此，我们提出了一种相反的方法。系统不是创建大型、共享、同质的内存，而是明确地将内存分割 成更小的片，这些片与计算单元更紧密地耦合。利用单片/2.5D/3D集成技术的进步，这种"计算-内存 节点"提供私有本地内存，通过微米级距离访问节点独占数据，并大幅降低访问成本。封装内内存元 件支持处理器内的共享状态，提供比封装外的DRAM更好的带宽和能效，而DRAM用于大型工作集和 冷数据的主内存。通过硬件明确内存容量与访问距离，软件能够高效地构建这种内存层次结构，从而 实现对数据布局和迁移的管理。 引言 随着内存逐渐成为数据中心和云服务器的瓶颈，研究工作正在重新审视这些理念，以期打造新一代系 统，这些系统拥有巨大的网络连接内存，且这些内存可在众多处理器间共享。本文认为，由于现代工 程面临的两个障碍——扩展性和信号传输，这种做法是不 ...

来 源 ：内容 编译自 biz.chosun 。 有分析预计，明年通用DRAM和NAND Flash将出现供应不足，从而带动价格上涨。这是因为三星 电子、SK海力士、美光等企业正集中扩大高带宽存储器（HBM）的产能，以应对人工智能（AI） 产业的快速增长需求。同时，NAND Flash方面，随着AI数据中心对固态硬盘（SSD）的更换需求 增加，供应也难以跟上需求。 据业界16日消息，尽管内存半导体企业正在扩充产能，但预计明年的供应仍无法满足快速增长的 市场需求。IM证券预计，与今年相比，明年DRAM产能（Capex）增幅为13.5%，NAND Flash为 13.9%；而同期需求增幅则分别达到13.7%和14%。未来资产证券则认为，DRAM和NAND Flash 的需求明年将分别增长12%和18%，但产能增幅仅为6.5%和0.6%。 如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ SK证券研究员韩东熙指出："HDD市场已重组为由希捷和西部数据主导的供应格局，考虑到与客 户的长期供货合同，短期内供应条件难以发生变化。" 未来资产证券研究员金永健表示："受制于内存半导体厂商有限的供应能力，预计明年存储芯片价 格将会上涨 ...

东方证券认为，在AI算力需求持续增长下，HBM出货动能强劲，全球DRAM市场规模将持续扩张，利 好存储产业链。随着三大原厂DDR4停产进展持续，利基DRAM供给缺口持续存在，中国存储原厂和利 基存储设计公司有望持续受益。 存储市场多个产品价格上涨 近期，多个存储大厂宣布旗下产品涨价。日前NAND闪存原厂之一的闪迪宣布，将对所有渠道通路及消 费类产品实施全面价格上调。此次调价即日起适用于所有新报价订单，但已签订的合同交易不受影响。 闪迪表示，未来将定期对价格进行评估，并可能在未来数个季度内根据市场情况继续进行调整。 今年以来，存储市场多个产品连续上涨。数据显示，截至9月15日，DRAM颗粒DDR4 8Gb（1Gx8） 3200现货平均价涨至5.33美元，该产品一季度均价仅为1.47美元，6月开始快速攀升，目前的价格较一季 度上涨超260%。 闪存价格亦有明显上涨，截至9月1日，MLC 32Gb 4GBx8现货平均价为3.54美元，较年初累计上涨 54.29%。 减产+需求增长推动涨价 存储产品的本轮涨价，主要受到供给侧结构性调整与需求侧新动能爆发两重因素影响。今年以来各大存 储厂商均发布减产计划，包括三星电子、 ...

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 每每提到韩国芯片，大家首先想到的就是他们在包括DRAM和NAND在内的存储产品方面的号 召力。诚然，凭借SK海力士和三星在过去多年的投入，他们在这两个赛道已经积累了足够多的 优势。特别是进入了人工智能时代，他们凭借HBM的领先优势在市场上遥遥领先。 根据市场调研机构集邦咨询的数据，统计第一季度的DRAM份额，SK海力士以36%的市场份额位居 收尾，三星电子则以33.7%的市占屈居第二。换而言之，这两家韩国巨头联手拿下了近70%的DRAM 份额。NAND方面，三星电子（31.9%）和SK 海力士（16.6%）也拢共拿下近半的市占。正是得益 于这些芯片的强势，2024年，韩国半导体出口额将达到创纪录的1420亿美元，占出口总额的五分之 一。 然而，这些强势的数据并没让他们宽心。他们正在努力向更多赛道扩张，AI就是他们瞄准的第一个方 向。 韩国豪赌AI芯片 因为人工智能的大火，AI芯片的火热，并不需要赘言。如上所述，虽然能够凭借存储技术在这个市场 分一杯羹，但这并没有满足韩国的野心。于是，韩国政府在本月初公布了大力发展人工智能、半导 体、生物技术、国防、机器人和绿色交 ...

存储市场行情 - 存储市场迎来普涨行情 闪迪 美光等大厂相继提价 部分DRAM产品现货价格大幅上涨 [1] - 截至9月15日 DRAM颗粒DDR4 8Gb 3200现货平均价涨至5.33美元 较一季度1.47美元上涨超260% [2] - 截至9月1日 MLC 32Gb 4GBx8现货平均价为3.54美元 较年初累计上涨54.29% [2] 价格上涨原因 - 供给侧减产 三星电子 SK海力士等大厂发布减产计划 加速市场去库存进程 [3] - 产能转向高端产品 传统DRAM产能逐步转向利润更高的DDR5和HBM等高端产品 导致DDR4供应趋紧 [3] - 需求端发力 AI应用爆发 数据中心大规模建设 消费电子市场回暖推动存储市场需求强劲增长 [3] 市场规模与前景 - 2025年二季度全球DRAM市场规模较上一季度增长约17% 主要受益于生成式AI风潮带动DRAM合约价上涨和HBM出货增长 [3] - 在AI算力需求持续增长下 HBM出货动能强劲 全球DRAM市场规模将持续扩张 [3] - 三大原厂DDR4停产进展持续 利基DRAM供给缺口持续存在 [3] A股存储概念股表现 - A股存储产业链40只个股9月以来平均上涨5.36% 香农芯创 协创数据 德明利累计涨幅分别达79.16% 38.59% 25.01% [4] - 17只概念股上半年归母净利润同比增长 1股扭亏 4股减亏 报喜比例达55% [4] - 上海新阳 澜起科技 好上好归母净利润增幅居前 分别达126.31% 95.41% 71.05% [4] 重点公司动态 - 香农芯创自主品牌"海普存储"完成企业级DDR4 DDR5 Gen4 eSSD研发试产 进入产品量产阶段 [4] - 上海新阳开发电子蚀刻系列材料 是存储芯片生产制造关键工艺材料 上半年实现归母净利润1.33亿元 [4] - 澜起科技深度参与JEDEC产品标准制定 是三家内存接口芯片供应商中唯一中国企业 [6] 机构关注度 - 年内16只概念股获外资机构调研 澜起科技 兆易创新 佰维存储调研家数居前 分别获得184家 52家 28家外资机构调研 [5]

ab Global Research 12 September 2025 UBS Global I/O Semiconductors SEMICON Taiwan 2025: 3.5D advanced packaging, co-packaged optics and more testing An event at record scale SEMICON Taiwan 2025, held on 8-12 Sept, was one of the largest electronics shows in Taiwan in recent years, reflecting increased attention on the importance of the semiconductor industry and supply chain in Taiwan. According to official estimates, the event attracted 1,200 exhibitors and ~100,000 visitors (vs. 85,000 visitors last year) ...

行业投资评级 - 看好(维持) [6] 核心观点 - 美光暂停DRAM报价并计划将存储产品价格上涨20%-30% 显示存储行业价格上行趋势持续加强 [1][6] - 存储行业暂停报价后重新确定价格上涨的情况较为少见 通常出现在晶圆厂对后期客户需求不确定时 表明行业涨价趋势正在强化 [2][6] - AI时代存储需求升级驱动模组厂与解决方案厂价值提升 行业分工持续深化 [3] 行业趋势分析 - AI时代对存储性能、速度、容量要求大幅提高 HBM等产品已针对专项需求客制化 [3] - 大型模组厂和解决方案厂与全球头部晶圆厂合作时间长 产品采购数量大 具有更强大的议价和拿货能力 [3] - 存储方案厂持续受益于行业趋势 A股存储标的迎来行业利好 [4] 投资建议 - 建议关注A股存储公司江波龙、佰维存储、德明利、香农芯创等 [4] 价格变动数据 - 美光宣布存储产品价格上涨20%-30% [6] - 所有DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5等存储产品全部停止报价一周 [6] - 此前闪迪已宣布将存储产品价格上调10%以上 [6]

英伟达技术路线调整 - 公司决定取消第一代SOCAMM推广并将技术开发重心全面转向新一代产品SOCAMM2 [1] - 调整旨在优化内存模块性能并更好适配AI服务器领域需求 [1] SOCAMM技术特性 - 技术定位为面向AI服务器的新型高带宽、低功耗内存解决方案 [1] - 设计目标是在提供与HBM相近性能的同时有效降低成本 [1] - GB300 NVL72规格支持最高18TB基于LPDDR5X的SOCAMM，带宽达14.3 TB/s [1] 技术升级细节 - SOCAMM2数据速率从第一代8533 MT/s提升至9600 MT/s [3] - 新版有望支持LPDDR6内存规格但尚未得到供应商正式确认 [3] - 全球三大主要内存供应商均已参与SOCAMM2样品测试工作 [3] 市场竞争格局 - 美光公司作为唯一内存厂商已于今年3月向数据中心AI服务器出货SOCAMM产品 [3] - 三星和SK海力士原计划2025年第三季度实现该类产品量产 [3] - 技术路线调整或为三星和SK海力士提供追赶契机并激发行业竞争活力 [3]

嗯 这是一份关于下一代DRAM技术的行业研究报告 需要仔细研读并提取关键信息 先快速浏览全文 发现这是一份由Yole Group发布的《Next-Generation DRAM 2025》报告 主要聚焦HBM和3D DRAM技术 报告内容非常详细 包含了市场预测、技术趋势、主要厂商动态等多个方面 需要系统性地整理这些信息 注意到报告中有大量的数据指标 特别是关于HBM市场的增长预测和DRAM技术路线图 这些都需要准确提取 报告还提到了中国在DRAM领域的发展情况 包括CXMT的技术进展和美国出口限制的影响 这也是一个重要方面 现在按照要求的结构来组织这些信息 确保引用正确的文档编号 行业分析：下一代DRAM技术（聚焦HBM和3D DRAM） 涉及的行业和公司 **行业** * DRAM存储器行业 特别是高性能计算和人工智能应用领域[2][13] * 半导体制造和先进封装行业[16][17] **涉及的公司** * DRAM制造商：三星 SK海力士 美光 南亚科 华邦电 力积电 长鑫存储(CXMT)[44][87][150] * GPU和AI芯片厂商：英伟达 AMD 英特尔 谷歌 亚马逊 华为 阿里巴巴[44][80] * 设备和材料供应商：应用材料 泛林集团 东京电子 ASML KLA[44][92] * 中国相关企业：长鑫存储 华为 长江存储 中芯国际 长电科技等[44][90][131] 核心观点和论据 **HBM市场爆发式增长** * HBM市场受AI和HPC驱动呈现指数级增长 2023年HBM比特出货量同比增长187% 2024年增长193%[52] * HBM收入预计从2024年170亿美元增长到2030年980亿美元 CAGR24-30为33%[52][85] * HBM在DRAM市场中的收入份额将从2024年18%增长到2030年50%[52] * 三大DRAM厂商的HBM产能已全部排期到2025年 供应紧张[52] **技术发展趋势** * HBM技术路线：HBM3E(2024)→HBM4(2026)→HBM4E(2027-2028)→HBM5(2029)[78][79] * 堆叠高度从8Hi/12Hi向16Hi/20Hi发展 HBM4最大容量48GB HBM5将超过20Hi[78][79] * 键合技术从TCB/MR-MUF向混合键合过渡 预计HBM5(2029)开始采用晶圆到晶圆混合键合[125][126] **厂商竞争格局** * SK海力士领先市场 已开始生产12Hi HBM3E并送样HBM4 2024年Q4营业利润56亿美元首次超越三星[53] * 三星在HBM3E遇到良率和散热问题 正在改进设计 组建了专门的HBM团队[53] * 美光跳过HBM3 直接进入HBM3E 目前产能较小但快速扩张 目标2025年底达到6万片/月[53] **中国DRAM产业发展** * 中国消费全球25%以上的DRAM产品 但自给率低于15%[131] * 长鑫存储跳过G2节点 直接量产G3(约185nm)技术 2024年DDR4出货量大幅增加[47][131] * 中国企业积极投资HBM技术 华为组建联盟 CXMT投资24亿美元建设先进封装厂[90][131] * 中国技术落后领先厂商约6年 但通过政府支持和国内市场 有望在未来几年获得市场立足点[131] **3D DRAM技术演进** * 2D DRAM缩放预计持续到0c/0d节点(2033-2034) 之后向3D架构过渡[129][132] * CBA(CMOS键合阵列)技术预计从0a节点(约2029年)开始采用 可实现30%的比特密度提升[20][117] * 所有主要DRAM厂商都在探索3D DRAM技术路径 包括1T-1C水平和2T-0C无电容器方案[25][132] * 3D DRAM将减少对EUV光刻的依赖 需要更多的沉积和刻蚀设备 对中国厂商有利[132] 其他重要内容 **市场数据预测** * 2024年DRAM市场总收入970亿美元 同比增长87%[59][139] * DRAM比特出货量从2024年254Eb增长到2030年651Eb[63][161] * HBM晶圆产量从2024年216K WPM增长到2030年590K WPM CAGR24-30为18%[85][177] * DRAM平均售价2024年038美元/Gb 2025年预计045美元/Gb[61][144] **EUV光刻在DRAM制造中的应用** * 三星最早在1z节点采用EUV光刻 SK海力士2021年跟进[114] * 美光采取成本优先策略 直到1γ节点才采用EUV光刻[114] * EUV层数预计从1z节点的1层增加到1c节点的6-7层[110] **地缘政治影响** * 美国对AI芯片和HBM实施出口限制 影响中国获取先进技术[130] * 中国企业转向国内替代方案 华为昇腾芯片性能约为英伟达H100的60%[130] * 美国2024年12月实施新的HBM出口管制 2025年可能进一步扩大限制范围[130] **制造技术挑战** * CBA DRAM的采用推迟约2年 主要厂商将在0d节点继续使用传统6F2技术[47][122] * 由于严格的间距和对准要求 CBA DRAM预计采用熔融键合而非混合键合[47][122] * 从2D向3D DRAM过渡将需要大量沉积(ALD PE-CVD)和刻蚀(HAR)设备投资[132]