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美股盘前大涨!SK海力士宣布两项重大利好
证券时报· 2026-08-19 17:27
大手笔回购! 从行业情况来看,SK海力士董事长崔泰源近日在公司韩国总部接受媒体专访时表示,所有的客户都在要求接近原来需求两倍的供货量。"明年大概率会是 存储芯片供应缺口最大的一年。"他说。 此前,崔泰源预测,2027年AI半导体需求将较2026年增长60%至100%,整体存储需求增幅维持在50%至60%。 摩根士丹利在最新研报中预计,第三季度的全球内存涨价情况仍然严重。其中,DDR4等成熟DRAM的价格或将上涨50%,第四季度将再涨10%。 8月19日,SK海力士于韩国股市收盘后宣布,公司董事会已表决通过40万亿韩元(约合286亿美元)的股份回购与注销计划,规模创下韩国上市公司历史 最高纪录。 按公司董事会决议前一日收盘价每股166.2万韩元计算,此次回购规模相当于2407万股,占已发行股份总数的约3.3%。SK海力士计划自8月20日起的约3个 月内完成回购,并于回购结束后予以全部注销。 SK海力士还表示,正考虑派发固定股息和特别股息以扩大派息,2025年至2027年将把至少50%自由现金流用于股东回报。 受该消息提振,SK海力士美股盘前大涨逾6%;闪迪、美光科技等其他美股存储股盘前亦不同程度反弹。 该机构指 ...
大摩:成熟制程DRAM或涨价50%
财联社· 2026-08-19 16:41
全球内存市场供需与价格趋势 - 2026年第三季度,成熟DRAM(如DDR4)价格将上涨50%,第四季度再涨10% [1] - 2024年8月,DDR5-5600/6400 24GB现货价格环比上涨8%,同比涨幅高达483% [1] - SLC NAND闪存在2024年剩余两个季度中,每个季度价格都将上涨50% [2] - 供应紧张局面即将进一步恶化,主因是存储器制造商持续将产能转向HBM、DDR5和更高层数NAND闪存 [1] 供应端结构性变化 - HBM消耗的硅晶圆数量约为传统DRAM的三倍,因其垂直堆叠层结构及大量硅通孔(TSV)和禁布区,降低了有效存储阵列面积 [3] - 人工智能行业对HBM需求持续增长,瑞银预测到2027年,仅英伟达一家将消耗约251亿GB HBM,行业总需求约615亿GB [3] - DDR4、SLC NAND和NOR Flash的新增供应非常有限,导致成熟内存长期合同较少,供应商在短期拥有更大定价权 [3] 相关公司盈利预期调整 - 摩根士丹利上调了旺宏电子、华邦电子、力积电以及兆易创新的盈利预期 [4] - 台湾爱普科技仍是大摩的首选股 [4]
大摩警告:DDR4价格继续飙升
半导体行业观察· 2026-08-19 09:26
存储器市场涨价潮蔓延至成熟产品 - 存储器市场的涨价潮尚未结束,压力正从高端HBM、DDR5向DDR4、SLC NAND等成熟产品蔓延[1] - 摩根士丹利预测,2026年第三季度DDR4等成熟DRAM价格可能上涨50%,第四季度仍将上涨10%以上[1] - SLC NAND涨幅更激进,预计2026年第三、第四季度均可能上涨50%以上[1] - AI数据中心持续抢夺HBM和高容量DDR5产能,导致原本被认为退出主流的DDR4因供给收缩成为“稀缺资源”[1] DDR4供应紧张源于供给端主动收缩 - 核心原因并非需求爆发,而是供给端主动收缩[2] - 三星、SK海力士、美光等厂商将有限晶圆产能转向HBM、DDR5及更高层数3D NAND[2] - AI服务器需求爆发后,HBM成为争夺最激烈的产品,DDR5随AI服务器和新PC平台普及增长[2] - 新增产能需优先满足HBM和高端服务器DRAM,DDR4获得的晶圆资源越来越少[2] - 此前市场预计DDR4价格上涨10%至20%,如今预期已提高到第三季度上涨50%左右,供给收缩速度超出判断[3] HBM吞噬大量DRAM产能 - HBM通过TSV、堆叠等技术集成多层DRAM Die,需更大外围电路和冗余设计,生产相同容量消耗更多DRAM晶圆[5] - 英伟达等AI平台持续放量,UBS预计2027年全球HBM需求约580亿Gb,最新预测进一步提高至约615亿Gb[5] - 英伟达一家预计消耗约251亿Gb,占全球需求四成左右[5] - AI算力增长以“吃晶圆”方式影响存储器产业,GPU需大量HBM,HBM在DRAM产业占比持续提升,挤压传统DRAM生产资源[5] - 存储器市场出现产品结构迁移:晶圆从DDR4迁移到DDR5,再从DDR5进一步迁移到HBM,NAND也从传统产品向更高层数、更高容量升级[6] DDR5价格未回落 - 8月份DDR5-5600/6400 24GB现货价格环比上涨约8%,同比涨幅达约483%[8] - 2025年中期24GB DDR5产品价格约8美元,目前接近47美元[8] - DDR5仍处于供应紧张状态,部分DDR5套装过去一年价格涨幅达数倍,高容量产品价格已达历史低点数倍[8] - DDR4因供应端退出而涨价,DDR5受需求增长和供给结构调整双重影响涨价,HBM因AI需求爆发成为最抢产能产品[8] - 三者形成相互关联的存储器价格链条[9] 成熟存储器成为战略资源 - 成熟存储器正从低价值产品变成稀缺资源[10] - 供应商主动减少DDR4产能,下游设备无法短期内完成全面升级,DDR4形成供给缺口[10] - 工业、汽车、网络设备、消费电子及部分服务器领域产品生命周期长于PC平台,DDR4仍是刚需[11] - 只要主要存储厂商继续将晶圆资源向HBM和高端DDR5倾斜,DDR4供应紧张难以快速缓解[11] - SLC NAND面临类似情况,NAND厂商向高层数3D NAND和高容量产品迁移,成熟产品产能空间被压缩[11] - 摩根士丹利预计SLC NAND在2026年第三、第四季度可能出现50%以上价格上涨[11] - AI通过“产能迁移”路径,将涨价压力从HBM传导到DDR5、DDR4和SLC NAND,形成存储器超级周期[11]
格林大华期货早盘提示:全球经济-20260819
格林期货· 2026-08-19 08:57
报告行业投资评级 未提及 报告的核心观点 - 全球经济方面美国国债收益率上升、厄尔尼诺事件或形成超强级别、LME铜现货紧张等情况存在;AI领域需求旺盛,供给不足,中国AI被低估且存在投资机会 [1][2] 根据相关目录分别进行总结 宏观与金融-全球经济资讯 - 美国对冲基金上周日均净买入美股,信息技术板块资金流入最大,买入速度达过去一年第二快水平(+2.1个标准差) [1] - 大模型龙头Anthropic营收运行率在7月底达650亿美元 [1] - PORTS - Pike科技园区将初始部署4.25吉瓦AI工厂产能,可为英伟达带来1500亿 - 2000亿美元收入,未来可扩至8吉瓦 [1] - 中国AI模型承载全球85% - 89%的智能体与代码生成流量,变现收入占比仅10% - 16%,美国AI算力市值1750亿美元,中国同类资产约200亿美元 [1] - 美国30年期收益率周一涨3个基点至5.29%,逼近5.44%高点,因投资者担心国债规模激增、供应大增及通胀高于目标 [1] - 当前赤道中东太平洋海表温度持续升高,预计11 - 12月形成超强厄尔尼诺事件 [1] - LME铜现货升水飙升至2021年以来最高,智利产量降6.7%,Antofagasta下调产量指引,印尼冶炼厂停产,市场关税预期升温 [1] - 伊朗为美国履行伊美谅解备忘录设数周期限,若失败将升级霍尔木兹海峡及中东紧张局势 [1] 全球经济逻辑 - 英伟达与多家金融机构达成协议筹集5000亿美元为客户购买算力融资,还拟为OpenAI提供2500亿美元融资担保支持超级数据中心 [2] - 存储需求增速远超供给,2027年整体存储需求增幅达50% - 60%,供给端无实质性扩产计划 [2] - 闪迪长期协议覆盖2027财年超50%供应,2028财年约三分之二供应;三星等2027年产能已分配或预售完 [2] - 亚马逊、微软需求超可用容量,亚马逊上调资本开支 [2] - 高盛建议客户从韩国AI交易切换至“中国AI价值链”,中国AI市值约4万亿美元,全球基金配置比例仅1.2% [2] - 美国公司在OpenRouter上通过中国AI模型处理的Token比例达约58% [2][3] 其他 - 新加坡淡马锡计划首次直接投资韩国股市,拟建仓三星电子与SK海力士 [3] - 高盛等分析认为美联储默许债券市场替代官方加息 [2][4] - 因美国连续错误政策,全球经济在2025年底越过顶部区域持续下行 [4]