全球AI芯片供应紧张与科技巨头应对策略 - 全球人工智能芯片供应紧张加剧 微软、谷歌等科技巨头采购高管集结韩国 争夺三星电子和SK海力士的内存芯片供应[1] - 为应对供应紧张局势 微软、谷歌及Meta等科技巨头的核心采购团队已基本常驻韩国 全力争取与三星电子和SK海力士达成长期稳定的内存供应协议[2] 供应端现状与竞争格局 - 在全球高性能HBM及LPDDR市场 SK海力士与三星电子与美光共同主导供应格局[2] - 两家韩企明年的HBM和DRAM产能已全数被预订[2] - 三星与SK海力士的HBM等先进制程产线已处于满负荷运转状态 无法满足所有市场需求[2] - 谷歌目前约60%的TPU所需HBM由三星电子供应 但在需求超预期后向SK海力士和美光寻求追加供货时遭到拒绝[1] 采购谈判与供应链风险事件 - 微软采购高管在与一家韩国半导体企业进行供应合同及价格谈判时 因对方表示“难以按微软要求的条件供货”而当场愤然离席[1] - 谷歌已解雇部分采购负责人 原因是这些员工未能提前与供应商签订长期协议 导致公司面临供应链风险[1] 行业人才与组织架构调整 - 科技巨头正加速调整其采购组织架构 将原位于硅谷或西雅图总部的内存采购核心岗位向亚洲地区转移[3] - 谷歌发布全球内存商品经理职位招聘 寻求能够制定涵盖DRAM与NAND闪存在内的数据中心级内存采购策略的专业人才[3] - Meta正在招聘具备技术路线图协作能力的内存硅片全球采购经理[3] - 这些职位要求应聘者兼具工程背景与技术理解力 能够在地化同步推进技术对接与供应保障[3] 竞争背后的核心驱动力 - 争夺背后的根本动力源于AI产业竞争对算力的刚性需求[2] - 无论是GPU、TPU还是数据中心 其性能高度依赖HBM、LPDDR等高性能、低功耗内存[2] - 在AI竞赛日益激烈的背景下 确保关键内存的稳定供应已成为科技公司的战略优先事项[2]

点这里加关注，锁定更多原创内容 *免责声明：文章内容系作者个人观点，半导体芯闻转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体芯闻对该 如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 在 NAND 闪存领域，SK 海力士已研发出 321 层堆叠的 QLC 技术，而技术路线图预测，未来该 领域将实现 2000 层堆叠的 QLC NAND 闪存。此外，当前的人工智能处理器算力最高可达 10 TOPS（每秒万亿次运算），路线图预计，15 年后的 AI 芯片将实现算力大幅跃升：用于模型训练 的芯片算力可达 1000 TOPS，用于推理任务的芯片算力也将达到 100 TOPS。 （来源 ：IT之家 ） 观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。 推荐阅读 10万亿，投向半导体 芯片巨头，市值大跌 黄仁勋：HBM是个技术奇迹 Jim Keller：RISC-V一定会胜出 全球市值最高的10家芯片公司 韩国半导体工程师学会在其发布的《2026 年半导体技术路线图》中，公布了未来 15 年硅基半导 体技术的发展预测。三星近期才刚推出全球首款 2 纳米全环绕栅极（GAA）芯片 ——Exynos 2600，而路线图预计，到 2040 年 ...

"AI驱动下的数据存储需求增长仍在持续影响存储价格，头部云服务商向存储原厂抛出巨额采购订单，加剧原厂将有限的产能向 服务器存储倾斜，非服务器市场面临供应紧缺。"12月23日，德明利（001309.SZ）在特定对象调研时表示。 今年以来，存储芯片供需关系持续偏紧，并在第三季度后加剧，推动NAND Flash、DDR4/DDR5等产品价格快速上涨。 其中，2025年三季度起，主要厂商发起新一轮涨价：三星计划将部分DRAM价格上调15%-30%；美光科技在9月暂停报价后，恢 复报价的新价格普遍上涨约20%。 存储原厂转向AI存储，传统存储供需结构性失衡 2024年起，三星、SK海力士、美光三大存储原厂将产能大规模转向高密度和高性能产品。 其标志性事件是，美光在2024年11月宣布，将调整其消费级市场的业务策略。虽然计划持续通过消费渠道供货至2026年初，但 将对运营近30年的Crucial（英睿达）品牌进行战略性收缩。该品牌产品包括NVMe固态硬盘、外置存储设备，以及DDR4和 DDR5内存条等PC用户常用的升级部件。 2025年，HBM（高带宽内存）与DDR5/LPDDR5等高端产能的排他性扩张达到了前所未有的程 ...

今年以来，存储芯片供需关系持续偏紧，并在第三季度后加剧，推动NAND Flash、DDR4/DDR5等产品价格快速上涨。 "AI驱动下的数据存储需求增长仍在持续影响存储价格，头部云服务商向存储原厂抛出巨额采购订单，加剧原厂将有限的产能向 服务器存储倾斜，非服务器市场面临供应紧缺。"12月23日，德明利（001309.SZ）在特定对象调研时表示。 其中，2025年三季度起，主要厂商发起新一轮涨价：三星计划将部分DRAM价格上调15%-30%；美光科技在9月暂停报价后，恢 复报价的新价格普遍上涨约20%。 紫光计算机科技有限公司产品中心总经理潘睿在接受21世纪经济报道等媒体采访时表示，这一波存储涨价，与产业链周期、AI 需求双重重叠，两者共同导致存储市场价格的异常波动。 不同于存储行业传统的"供需博弈"周期逻辑，AI浪潮之下，业界正形成"AI应用浪潮-产能聚焦高端-技术演进提速-价格结构攀 升"的全新逻辑。 存储原厂转向AI存储，传统存储供需结构性失衡 2024年起，三星、SK海力士、美光三大存储原厂将产能大规模转向高密度和高性能产品。 其标志性事件是，美光在2024年11月宣布，将调整其消费级市场的业务策略。虽 ...

电子行业2025前三季度回顾与市场表现 - 2025年初至今，电子行业涨幅居前的细分板块为PCB、半导体设备、集成电路，市场表现与业绩高度匹配 [1][2] - PCB指数上涨133.80%，2025年前三季度归母净利润同比高增77.76%，主要受AI服务器与高速交换设备对高端产品需求高增驱动 [1][2] - 半导体设备指数上涨57.57%，前三季度营收、归母净利润均实现30%以上的高增长，受益于全球AI算力投资与中国大陆晶圆厂扩产共振 [1][2] - 集成电路指数上涨37.59%，国产替代加速，利润增速高于营收增速，盈利能力改善 [2] 全球半导体市场整体展望 - AI驱动全球半导体市场结构性增长，2025年市场规模预计大幅增长22.5%达到7720亿美元，2026年有望增长26.3%达到9750亿美元 [4] - 区域市场结构性分化，2025年亚太地区与美洲市场预计将分别实现24.9%和29.1%的高速增长 [4] - 逻辑芯片与存储器是市场增长主要动力，2025年逻辑芯片预计同比增长37.1%，存储器增长27.8% [4] 存储芯片市场分析 - AI驱动存储上行周期，需求端云与端双侧发力 [5][6] - 云侧：2025年全球四大云厂商预计资本开支合计3600亿美元以上，2026年有望维持高位 [6] - 端侧：AI向手机、PC等终端渗透，显著提升单机存储容量与规格，成为新增长曲线 [6] - 供给端产能结构性转移，传统制程紧缺预计至少延续至2026年，原厂掌握定价权 [7] - 内存价格2025年前三季度已累涨约50%，预计第四季度再上涨30%，涨势将延续至2026年 [7] - HBM（高带宽存储器）为AI算力核心，美光科技预测2025年HBM总潜在市场规模（TAM）350亿美元，2030年达1000亿美元，SK海力士2026年HBM产能已售罄 [9] - 端侧AI催生定制化存储新增长极，国内厂商通过布局3D堆叠技术提供更高能效比产品 [9] 高性能计算与模拟芯片 - 国内云厂商持续加码算力基础设施建设，为国产AI算力芯片带来增量需求，国产算力生态正加速走向成熟 [9] - 模拟芯片行业复苏，国产替代加速进入深水区 [9] - 中国商务部对美进口40nm及以上制程模拟芯片发起反倾销调查，改善国内市场竞争环境 [9] - 全球模拟芯片市场头部企业营收已恢复正增长，标志着行业走出库存调整周期 [9] 半导体制造与设备 - 中国大陆代工厂先进制程持续突破，成熟制程主导全球扩产 [10] - 2025-2027年中国大陆设备投资超1000亿美元，全球领先 [10] - 预计到2025年底全球前十大代工厂中，中国大陆成熟制程产能占比将超25% [10] - 半导体设备市场紧扣国产替代主线，SEMI预测2025年全球销售额将创历史新高，达1330亿美元（同比+13.7%），并于2027年突破1500亿美元 [11] - 中国大陆市场国产化率约20%，各环节进展不一 [11] - 去胶、刻蚀、清洗等环节国产化率已超过50% [11] - 热处理、CMP等环节国产化率达30%-50% [11] - 量检测、光刻等核心高端环节国产化率低于10%，替代空间较大 [11] 消费电子市场趋势 - 全球智能手机市场温和复苏，价值增长显著领先于销量 [12][13] - 2025年第三季度出货量同比增长3%，市场营收同比增长5% [13] - 平均销售价格（ASP）创同期新高至351美元，增长主要由高端机型（>600美元）驱动，其贡献60%以上的营收，且超过80%已具备GenAI能力 [13] - 端侧AI硬件生态加速演进，AI智能眼镜为代表的新形态硬件进入高速增长期 [12][14] - 2025年全球AI智能眼镜销量预期已上修至700万副 [14] - 供应链扰动强化高端化趋势，存储芯片产能转向HBM/DDR5等高端产品，倒逼整机厂商加速平台迭代，高端智能手机、折叠屏、AI眼镜等为上游产业链提供更具弹性的盈利空间 [15][16]

文章核心观点 - AI需求推动存储行业进入“超级周期”，主要厂商大幅提价且扩产谨慎，导致供需持续紧张，行业景气度预计至少持续至2026年底 [1][2][3][4] 行业周期与驱动因素 - 存储行业为强周期行业，通常约3-4年一轮，但AI需求将本轮周期拉长至少一年，行业一致判断行情至少持续到2026年底 [2][3] - 本轮周期始于2024年，AI服务器需求增加存储芯片出货，且需要DDR5、HBM等新一代内存释放算力性能 [3] - 价格上涨核心原因：上一轮下行周期价格跌至历史极低值后的触底反弹，以及AI带来的增量需求远超预期 [3] - AI需求下，HBM产能挤占导致DDR5、LPDDR5x、GDDR7等通用内存产品价格也快速上涨 [3] - AI驱动下存储行业供需失衡加剧，预计开启持续数年“超级周期”，到2027年全球存储市场规模有望向3000亿美元迈进 [4] 价格走势与市场预测 - 瑞银预计：2024年第四季度DDR合约定价季增35%，NAND价格上涨20% [1] - 瑞银预计：2026年第一季DDR合约价将进一步上涨30%，NAND价格上涨20% [1] - TrendForce预测：2026年DRAM需求将同比增长26%，供应增长20%，存在缺口；预计2026年整体DRAM平均单价同比上涨58% [9] - TrendForce指出：LPDDR5在2026年涨幅预计非常可观，因AI客户高价争夺产能 [9] - 价格上涨已传导至终端，电脑、手机等因存储涨价成本压力大增，联想、戴尔已开始提价，可能抑制消费端需求 [9] 主要厂商动态与业绩 - **美光**：2026财年第一财季（截至2025年11月27日）调整后营收136.4亿美元，同比增长57%；经调整净利润54.82亿美元，同比增长58% [5] - **美光**：第二财季营收展望为187亿美元（上下浮动4亿美元），大幅高于市场预期的143亿美元 [5] - **三星电子**：2025年第三季度营业利润12.16万亿韩元（约85.6亿美元），同比增长32.2% [5] - **SK海力士**：2025年第三季度销售额24.45万亿韩元，环比增10%，同比增39%；营业利润11.38万亿韩元，环比增24%，同比增62% [5] - 三大存储巨头（三星、海力士、美光）在DRAM细分领域合计份额超过九成 [7] 厂商扩产策略与产能状况 - 主要厂商对扩产态度谨慎，旨在平衡需求与价格，降低供过于求风险 [8] - **三星**：表示不会快速扩建生产设施，而是优化资本支出策略 [8] - **SK海力士**：计划将约一半通用DRAM产能转向最新的10纳米级第六代1c DRAM生产；2026年约30%营收投入资本支出以加快产能转换，但短期内仍难解决供应短缺 [8] - **SK海力士**：内部分析文件显示，新DRAM工厂从建设到正常运营需数年，预计新增产能2028年才能释放 [8] - **美光**：决定退出消费级业务，将全部资源集中于数据中心业务板块以提升获利 [9] - 行业人士认为，扩产谨慎原因包括对下行周期心有余悸，以及担心AI需求被证伪后导致产能过剩 [9] 二级市场表现与目标价调整 - 瑞银将SK海力士目标价从71万韩元上调至85.3万韩元；将三星电子目标价从12.8万韩元上修至15.4万韩元 [6] - 花旗集团分析师将美光目标价从275美元上调至300美元 [6] - 2024年下半年以来，A股存储公司股价大幅上涨：香农芯创涨294.51%，东芯股份涨291.19%，江波龙涨195.51%，佰维存储涨67.17% [1] 产业链公司业绩与动态 - 2024年前三季度，中国存储芯片产业上市公司营收增长16.08%，净利润增长26.44% [6] - **江波龙**：第三季度归母净利润6.98亿元，同比大幅增长1994.42%，环比大幅上涨318.94% [6] - **香农芯创**：前三季度营业收入264亿元，同比增长59.90% [6] - **长鑫存储**：2024年10月，国产DRAM大厂长鑫存储已完成上市辅导，距离正式递表仅一步之遥 [6] 细分市场与供需结构 - AI需求打乱了存储产品换代节奏：HBM新增需求导致厂商资源倾斜，DDR5产能部分保留，DDR4产能被砍 [4] - 中国市场对DDR4仍有很大需求，预计持续两三年，DDR4紧缺导致需求转向DDR5，加剧DDR5紧张和产业链供需失衡 [4]

AI-driven data center expansion is reshaping memory demand. Micron's portfolio of HBM, high-capacity server DRAM, and data center SSDs benefits from the increasing amount of memory and storage content per server. HBM has been crucial to Micron's growth story. The company has already signed pricing and volume agreements for its entire calendar 2026 HBM supply, including next-generation HBM4 goods. Micron now forecasts the HBM total addressable market to increase at a 40% annual rate through 2028, rising from ...

全球存储芯片市场现状与趋势 - 全球存储芯片市场正经历“存储荒”，供需缺口持续扩大，行业已正式开启新一轮成长周期 [1] - 韩国两大存储芯片巨头三星与SK海力士正加快内存生产以应对AI需求，SK海力士警告DRAM供应短缺状况将持续至2028年，比多数投行预测的2027年更严峻 [1] - 美光科技宣布计划于2026年2月底停止销售Crucial消费产品，转而专注于满足高性能人工智能芯片的需求 [1] 存储芯片价格走势 - 2025年9月至10月，三大存储巨头纷纷上调产品价格：美光于9月14日宣布上调存储产品价格20%-30% [3]；三星于9月22日宣布上调移动DRAM产品合约价15%-30%，同时将NAND Flash合约价上调5%-10% [3]；SK海力士于10月23日宣布2025年第四季度DRAM与NAND Flash合约价最高上调30% [4] - 截至2025年12月15日，存储现货价格持续上涨，例如DDR5 16GB价格为26.27美元，DDR4 16GB价格为50.75美元 [6] - 国内存储企业如北京君正也表示已对部分存储和计算芯片进行价格调整，部分产品在第四季度已执行新价格 [5] 行业业绩表现 - 存储芯片涨价显著提升企业业绩：美光2026财年第一季度毛利率达56.8%，环比提高11个百分点，并预计第二财季毛利率将在68%左右（上下浮动1个百分点） [2] - 受AI数据中心需求爆发驱动，美光2026财年第一季度业绩飙升57% [2] - 在存储缺货涨价潮下，三星电子和SK海力士第四季度的内存业务盈利能力预计将超过台积电，为七年来首次 [2] AI驱动的存储超级周期 - 本轮存储周期由AI产业发展驱动，AI服务器对存储芯片的需求与日俱增，核心逻辑是海量需求与头部厂商产能向高端倾斜导致的供需缺口 [8] - 与过去由手机、电脑普及带来的“量的增长”周期不同，本轮周期由AI应用从训练向推理与边缘侧转向驱动，带来结构性、爆发性需求，不仅单机存储容量大增，且对性能（带宽、速度）要求极高，直接拉动HBM、高性能DDR5等品类快速增长 [8] - 产能调整方式不同：过去多为库存调整与清理；本轮周期中，原厂将产能转向技术壁垒高、利润高的HBM、DDR5等产品，主动收缩并淘汰DDR4等产能，导致传统需求领域出现永久性供给缺口 [8] 涨价周期持续性分析 - 短期（未来1-2个季度）存储芯片涨价趋势或将延续，尤其是DDR4、中高端NAND等品类 [9] - 中长期来看，若2027年后新产能集中释放，同时AI需求增速不及预期，供需缺口逐步缩小，涨价周期可能迎来拐点 [9] - 只要AI产业持续推进，存储作为核心基础设施的需求持续存在，涨价周期或将持续较长时间 [9] - 当前存储芯片涨价传导至下游终端，会对部分消费电子需求形成抑制，但短期难以终结涨价周期 [9] 机构关注与产业链公司 - 爱建证券关注国内存储器IDM企业长江存储、专注于DRAM领域的长鑫存储以及半导体存储企业江波龙 [12] - 华福证券指出A股存储芯片细分赛道包括存储设计、封测、设备材料、特色存储及存储模组，并列举相关公司：存储设计（兆易创新、澜起科技）、存储封测（长电科技）、设备与材料（拓荆科技）、特色存储（北京君正） [12] - 中国银河看好国内存储产业链投资机遇，建议关注IC设计厂商兆易创新、普冉股份、东芯股份、北京君正、澜起科技，以及存储模组厂商德明利、香农芯创、江波龙 [13]

核心观点 - 人工智能需求驱动下，记忆体产业获利结构发生重大转变，主要记忆体制造商的毛利率预计将在2025年第四季超越全球领先的晶圆代工厂台积电，这是自2018年第四季以来的首次 [2] - 这一转变的核心驱动力是记忆体价格快速上涨，特别是由于高频宽记忆体产能配置挤占了标准DRAM供应，以及AI应用从训练转向推理阶段对高速存储的迫切需求 [2][3] 产业获利结构变化 - 预计2025年第四季，三星电子和SK海力士的记忆体部门毛利率将介于63%到67%之间，高于台积电预期的60% [2] - 这将是自2018年第四季以来，记忆体产业的利润表现首次超过晶圆代工厂 [2] - 美光科技在2026财年第一季毛利率已达56%，并预计第二季将升至67%，因此也有机会在2026年第一季于获利表现上超越台积电 [2] 价格与市场扩张动能 - 价格快速上扬是推动记忆体市场扩张的主要动能 [2] - 目前三大记忆体制造商已将约18%到28%的DRAM产能配置于高频宽记忆体 [2] - HBM通过堆叠8到16颗DRAM芯片，有效压缩了通用记忆体供应量，导致标准DRAM价格出现单季涨幅超过30%的情况 [2] AI需求结构改变 - 记忆体毛利率即将超越晶圆代工厂的转变，与AI产业需求结构改变密切相关 [2] - 当AI应用从“训练”转向“推理”时，对高速资料储存与即时存取的需求大幅提升，必须仰赖HBM等记忆体持续供应资料给GPU [3] - 即便通用记忆体效能不及HBM，市场对高效能通用记忆体的需求仍快速成长，在推理初期阶段，工作负载多由GDDR7、LPDDR5X等通用DRAM处理 [3] - NVIDIA在以推理为主的AI加速器中采用GDDR7，便是一项代表性案例 [3] 技术发展趋势 - 记忆体业者计划通过开发AI导向的高效能产品，延续“记忆体为核心”的产业趋势 [3] - 记忆体内运算技术让记忆体可承担部分原本由GPU执行的运算工作 [3] - 垂直通道电晶体DRAM与3D DRAM等新技术，通过在更小面积中储存更多资料来提升密度，预期将陆续导入市场 [3]

从美光及AI产业链公司业绩指引情况来看，AI需求持续强劲，继续看好核心算力硬件、半导体设备等 产业链。 半导体设备ETF（159516）跟踪的是半导体材料设备指数（931743），该指数聚焦于半导体产业链中的 材料与设备环节，从市场中选取从事半导体材料研发、生产及半导体设备制造的上市公司证券作为指数 样本，以反映半导体产业上游领域相关上市公司证券的整体表现。该指数具有较高的科技含量和成长性 特征，体现了半导体产业上游领域的技术进步趋势与市场表现。 （文章来源：每日经济新闻） 根据Wind数据，半导体设备ETF（159516）盘中净流入7000万份，资金抢筹。 相关机构表示，美光2026财年第一季度总收入达到136亿美元，环比增长21%，同比增长57%，连续三 个季度创下历史新高。综合毛利率为56.8%，环比提升11pcts，主要得益于定价提高、成本控制和有利 的产品组合。美光预计预计DRAM和NAND行业的供应紧张状况将持续到2026日历年及以后。公司目前 仅能满足部分关键客户约50%到三分之二的需求。2026日历年的HBM全部供应量（包括HBM4）已在价 格和数量上与客户签订了协议。预计HBM市场规模（TA ...