行业整体表现 - 半导体行业正在经历温和复苏 2025Q1全球半导体行业销售额为1677.0亿美元 同比增长18.8% 环比下降2.8% 连续6个季度同比回升 [65] - 2025年5月全球半导体销售额为590亿美元 同比增长19.8% 环比增长3.5% [65] - 增长动力主要来自AI带动的高端计算与存储需求持续扩大 传统市场中工业应用率先反弹 车用市场整体需求仍具韧性 消费电子维持相对稳定 [65] 芯片设计(IDM)厂商表现 - TI第二财季营收44.5亿美元 环比增长9% 同比增长16% 高于预期的43.6亿美元 工业市场持续广泛复苏 [6] - 意法半导体第二季营收同比下滑14.4%至27.6亿美元 营业亏损1.33亿美元 为2013年以来首度出现季度亏损 [7] - 恩智浦第二季度收入29.3亿美元 同比下降6% 环比增长3% 所有重点终端市场的表现均高于预期 [9] - 高通第三季营收年增10%至103.65亿美元 车用芯片营收年增21%至9.84亿美元 物联网芯片营收年增24%至16.81亿美元 [11] - 联发科第二季合并营收1503.69亿元新台币 季衰退1.9% 边缘AI SoC及更高速连网通讯产品需求增加 [13] 存储芯片厂商表现 - 三星第二季营业利润4.7兆韩元 相比2024年同期骤减55.2% 创近六季以来新低 设备解决方案部门营业利润暴减93.8% [14] - SK海力士第二季度营业利润9.2129万亿韩元 创季度业绩历史新高 DRAM和NAND闪存出货量均超出预期 [17] - 美光科技第三季度收入93.0亿美元 同比增长37% 环比增长16% 创历史新高 DRAM收入创历史新高 [19] 晶圆代工表现 - 台积电第二季度净利润3982.7亿新台币 同比大涨60.7% 连续第五个季度实现两位数增长 7纳米及更先进制程占晶圆总营收74% [43] - 力积电第二季归属母净利润为亏损新台币33.34亿元 较前一季净损失增加22.4亿元 产能利用率微幅上升至75% [46] - 联电第二季产能利用率提升至76% 晶圆出货量较上季成长6.2% 22/28纳米产品营收占比达40% [47] 封测厂商表现 - Amkor第二季度净销售额15.1亿美元 环比增长14% 所有终端市场均实现两位数增长 [52] - 日月光第二季营收达1,507.5亿元新台币 季增1.8% 年增7.5% AI应用持续带动需求 [53] 设备厂商表现 - ASML第二季度净销售额77亿欧元 毛利率53.7% 净利润23亿欧元 DRAM领域光刻机投资强劲 [55] - 泛林集团第四季度收入51.7亿美元 环比增长9.6% 净利润17.2亿美元 来自中国的收入将更强劲 [57] 国内半导体公司表现 - 已披露2025半年度业绩预告的35家企业中 29家实现盈利 合计净利润达62.1亿元 澜起科技以12亿元净利润领跑 [35] - 澜起科技预计2025年半年度营业收入26.33亿元 较上年同期增长约58.17% 归母净利润11.00亿元-12.00亿元 同比增长85.50%-102.36% [37] - 闻泰科技预计归属于母公司所有者的净利润为3.9亿元-5.85亿元 同比增长178%-317% [40] - 瑞芯微预计2025年上半年实现营业收入约20.45亿元 同比增长约64% 实现净利润5.2亿元~5.4亿元 同比增长185%~195% [42]

财务业绩 - 2025财年第二季度销售额达222,320亿韩元，环比增长26%，同比增长35%，创历史新高[4] - 营业利润为92,130亿韩元，环比增长24%，同比增长68%，同样刷新纪录[5] - 毛利率54%，营业利润率41%，虽环比下降3个百分点和1个百分点，但仍维持高位[7] - 营业利润率连续四个季度超过40%[3] 产品结构 - DRAM占比77%，环比下降3个百分点；NAND闪存占比21%，环比上升3个百分点[12] - DRAM平均售价环比上涨2-3%，出货量增长约25%；NAND闪存均价环比下降7%[13] 技术进展 - HBM保持全年销售额翻倍预期，HBM4已于2025年3月样品出货[14] - DDR5服务器模块、LPDDR5X智能手机产品及LPDDR4X中国特供型号推动DRAM需求[14] - 计划2025年内供应服务器用LPDDR模块和24Gbit GDDR7产品[14] - QLC企业级SSD（容量超120TB）第二季度开售，321层NAND消费级/企业级SSD预计年底出货[15] 历史趋势 - 销售额连续七个季度同比增长（2023Q2至2024Q4）[8] - 营业利润自2023Q4扭亏后连续四个季度同比增长[8]

纪要涉及的行业和公司 - **行业**：内存行业，包括HBM、DRAM、NAND、NOR flash等细分领域 [1][2][3][4] - **公司**：三星电子（Samsung Electronics）、海力士（SK hynix）、美光（Micron）、华邦电子（Winbond）、兆易创新（GigaDevice）、群联电子（Phison）、朗科科技（Longsys）、长江存储（YMTC）、长鑫存储（CXMT）等 [12][13][15][25][31] 纪要提到的核心观点和论据 市场整体观点 - **2026年是HBM可持续回报的验证之年**：HBM和大宗商品内存定价（收益）未来六个月可能下降，HBM价格竞争正在进行，定价权逐渐削弱，DRAM周期双底更确定，NAND价格区间波动 [1][2][3][4] - **股票表现与基本面背离**：2Q财报显示，股票对海力士和美光的强劲指引未积极反应，却青睐三星的初步未达预期，反映出市场对内存股的态度 [10] - **投资策略**：建议买入价值科技股，不再持有最昂贵的内存股，看好三星电子，因其消化了大量负面信息，市场对其看法逐渐转向积极 [5][13] 各细分市场观点 - **HBM市场** - **价格趋势**：HBM3价格已下降约15%，预计HBM3E明年价格下降至1.56 - 1.74美元/Gb，若三星重新加入HBM3E 12 - hi供应并激进定价，价格可能回到两年前HBM3水平（1.7美元/Gb）；HBM4定价谈判更具挑战性，目前无具体协议 [17] - **供应情况**：预计2026年HBM供应大幅增长，产能扩张约30%，整体供应比特增长50% YoY，而需求虽有望增长67% YoY，但仍可能出现供应过剩 [20][21] - **公司动态**：三星HBM3E 12 - hi设计和1c节点（用于HBM4）良率提升，有望重新加入英伟达供应链，预计8月下旬/9月初交付HBM4样品，4Q25进行资格认证 [15][17] - **DRAM市场** - **价格趋势**：3Q合同价格上涨面临客户抵制，整体传统DRAM价格预计混合基础上QoQ上涨10 - 15%，主要驱动因素是DDR4和GDDR6等旧节点；DDR4现货市场价格稳定，DDR5近期表现平淡 [25] - **市场供需**：预计2026年1H出现库存消化期，宏观不确定性影响消费者信心，DRAM客户行为保守，但AI驱动的强劲需求持续，仍预计价格有小幅下降 [24][25][26] - **公司动态**：CXMT受美国制裁，产能扩张放缓，优先转向HBM3研发，目标2H26大规模生产 [25] - **NAND市场** - **价格趋势**：合同定价8月下旬前难以达成协议，智能手机客户需求疲软，eMMC/UFS价格QoQ可能持平，服务器需求强劲，PC客户谨慎；预计2026年价格先升后降 [31][36] - **市场供需**：大部分供应增长来自供应商工艺升级，绿地产能扩张可能保持低迷，AI是主要驱动因素，传统需求预计保持平淡 [31] - **公司动态**：YMTC计划2026年在Fab 3扩大产能至约200k/wpm，eSSD产品开始供应中国CSP，比特增长预计YoY增加35 - 40% [31] 其他重要但是可能被忽略的内容 - **利益冲突披露**：摩根士丹利与多家被覆盖公司存在业务往来，可能存在利益冲突，包括拥有股权、提供投资银行服务、获得补偿等 [48][49][50][51][52][53] - **评级体系说明**：摩根士丹利采用相对评级系统，包括Overweight、Equal - weight、Not - Rated、Underweight，与传统的Buy、Hold、Sell不同，投资者应仔细阅读评级定义 [57][60][62] - **行业覆盖公司评级**：列出了韩国科技行业多家公司的评级、价格等信息，股票评级可能变化，需参考最新研究 [101]

HBM市场竞争格局 - HBM市场目前由SK海力士主导，该公司自2022年开始向英伟达独家供应HBM3，并已交付下一代HBM3E，而三星尚未通过英伟达认证测试[1] - 预计到2025年，SK海力士将占据全球HBM市场57%份额，三星24%，美光19%[1] - 三星在DRAM市场的领先地位被SK海力士超越，2023年Q1 SK海力士DRAM市场份额36%，三星34%[2] 三星HBM技术进展 - 三星预计将在2023年下半年通过英伟达12层HBM3E芯片认证流程，为2024年订单打开大门[2] - 公司正专注于下一代HBM4研发，计划采用更先进的1c DRAM技术实现产品差异化[2] - 三星已将HBM4送交英伟达等客户验证，10纳米第六代DRAM良率提升工作进展顺利[6][7] 晶圆代工业务突破 - 三星获得特斯拉下一代自动驾驶AI芯片巨额订单，将采用2纳米工艺生产[3] - 2纳米工艺良率和生产稳定性达到预期，计划2023年内实现量产[4] - 该订单可能带动高通、英伟达等其他大型科技公司订单，目前正与高通进行2纳米移动AP测试[5] 晶圆代工业务现状 - 2023年Q1三星DS部门营业利润1.1万亿韩元，预计Q2可能降至4000亿韩元左右[4] - 2023年Q1台积电晶圆代工市场份额67.6%，三星7.7%，差距近60个百分点[5] - 公司推行双轨战略，同时发展先进制程和成熟制程业务以提升盈利能力[6] 未来发展策略 - 计划通过Exynos 2600芯片(2纳米工艺)搭载于2024年初发布的Galaxy S26来提升移动业务[5] - 晶圆代工业务好转可能促进内存竞争力恢复，已向博通等公司开放HBM销售渠道[7] - 技术改进持续进行，英伟达过度依赖SK海力士单一供应商的风险可能为三星创造机会[2]

公司业绩表现 - 第二季度营业利润达9.2万亿韩元，同比增长68.4%，创历史新高 [1][2] - 销售额22.2万亿韩元，同比增长35.4%，净利润7万亿韩元 [2] - DRAM部门占总销售额77%，其中HBM占比超40% [1][2] - 营业利润率高达41%，HBM贡献超半数营业利润 [1][2] HBM市场优势 - 在12层HBM3E产品占据压倒性优势，实现生产稳定并建立量产供应体系 [2] - 计划2023年HBM销售额和出货量同比翻番 [2] - 已准备好HBM4产品以应对客户需求 [2] - 目前市场份额预计达80%以上，主要竞争对手三星和美光难以量产12层HBM3E [2][4] 市场竞争格局 - 三星电子和美光正积极布局HBM4，预计将迎头赶上 [3][4] - 美光正全球扩张HBM生产线，三星加强HBM4开发能力 [1][3] - 英伟达寻求供应链多元化，利用美光要求SK海力士降价 [4] - 预计2024年下半年竞争加剧，市场份额可能降至60%以下 [4] 行业挑战 - HBM3E价格预计2024年同比下降30%，HBM4溢价率仅为上一代45% [3] - HBM4生产成本将大幅上升，设计引入逻辑芯片等新变化 [3] - 市场担忧供应过剩，价格谈判权可能从供应商转向客户 [1][4] - 行业可能从垄断转向三家供应商体系，导致价格竞争加剧 [3][4]

核心观点 - SK海力士在财报电话会议中强调HBM市场需求强劲，尽管高盛下调评级导致股价短期下跌，但公司对中长期需求增长保持乐观[1] - 公司第二季度业绩超预期，营收同比增长35 4%至22 232万亿韩元，营业利润增长68 5%至9 2129万亿韩元，营业利润率达41%[1] - HBM3E 12层等高价值产品推动盈利能力提升，现金及现金等价物增至17万亿韩元[2] - 公司预计推理AI扩展和各国自主AI建设将成为新的增长动力[2] - 定制化HBM市场转型有利于公司保持优势地位[2] - 公司已确保明年HBM业务供应可预见性，HBM3E产能翻倍并已交付HBM4样品[3] - 加速生产SoCAM和GDDR7等定制AI芯片，扩展产品线[3] - 计划扩大资本支出以应对HBM需求增长，投资规模将增至20万亿韩元中段[6][7] 财务表现 - 第二季度营收22 232万亿韩元（同比+35 4%），营业利润9 2129万亿韩元（同比+68 5%），营业利润率41%[1] - 业绩超越去年第四季度纪录（营收19 767万亿韩元、营业利润8 0828万亿韩元）和券商平均预测（营收20 7186万亿韩元、营业利润9 0648万亿韩元）[1] - 现金及现金等价物较上季度增加2 7万亿韩元至17万亿韩元，净借款减少4 1万亿韩元[2] HBM市场前景 - AI模型从训练向推理扩展推动HBM需求增长，客户群体不断扩大[1] - 内存市场已发展到领先企业能保持议价能力的阶段[3] - HBM市场格局向定制化转型有利于公司保持优势[2] - 公司认为HBM4成本上升可通过定价政策维持盈利能力[3] - 已确保明年HBM业务供应可预见性，主要客户业务保持"售罄"状态[3] 产品与技术 - 第五代HBM3E 12层产品提高收入和盈利能力[2] - 已向客户交付第六代HBM4样品[3] - 加速生产SoCAM（基于服务器LPDDR的模块）和GDDR7（24Gb容量）等定制AI芯片[3] - 开发全球首款基于1c工艺的16Gb DDR5 DRAM，计划明年全面投产[6] 产能与投资 - HBM3E产能较上年翻倍[3] - 计划扩大资本支出，投资规模将增至20万亿韩元中段，主要用于HBM生产[6][7] - 利用清州M15X作为下一代HBM生产基地，第四季度开始运营[6] - 扩建龙仁市和美国印第安纳州生产基地[6] - 2022年设施投资达19 65万亿韩元，2023年为17 956万亿韩元[7] 中国业务 - 无锡工厂将维持传统DRAM生产，利用其稳定供应需要长期支持的产品[5] - 针对NVIDIA恢复向中国出口H20芯片，公司表示能迅速反应作为主要供应商[4]

核心观点 - SK海力士在财报电话会议中强调HBM市场需求增长动力强劲，包括AI模型从训练向推理扩展、大型科技公司投资增加以及各国推进自主AI建设[1][2] - 公司认为HBM市场向定制化转型有利于保持其优势地位，并已确保明年HBM业务供应可预见性，产能翻倍且HBM4样品已交付[4][6] - 第二季度业绩表现超预期：营收22.232万亿韩元（同比+35.4%），营业利润9.2129万亿韩元（同比+68.5%），营业利润率达41%[1] HBM市场前景 - AI市场在代理助手和物理AI等领域的爆发式增长将推动HBM需求，客户群体持续扩大[1] - HBM3E 12层等高价值产品销售扩张提升盈利能力，HBM3E产能较上年翻倍[2][4] - 定制化HBM市场格局下，公司凭借早期客户接触和议价能力保持优势[3][4] 财务与运营表现 - 现金及现金等价物季度环比增加2.7万亿韩元至17万亿韩元，净借款减少4.1万亿韩元[2] - 半导体库存水平稳定，DRAM和NAND闪存出货量均超预期[2] - 业绩超越金融信息提供商FnGuide统计的券商平均预测（营收20.7186万亿韩元，营业利润9.0648万亿韩元）[1] 产能与投资规划 - 资本支出(CAPEX)将扩大至20万亿韩元中段，主要用于HBM生产，创历史新高[6][7] - 清州M15X工厂作为下一代HBM基地将于Q4运营，同步扩建龙仁市和美国印第安纳州基地[6][7] - 1c（第六代10nm级）DRAM转换投资下半年启动，明年全面投产[7] 产品与技术布局 - 加速生产定制AI芯片包括SoCAM（年内供货）和24Gb GDDR7（容量较16Gb提升）[4] - 计划通过无锡工厂稳定供应传统DRAM产品，缓解DDR5/LPDDR5过渡期短缺[5] - 针对HBM4成本压力，将通过定价政策维持当前盈利能力[4] 客户与市场响应 - NVIDIA等主要客户HBM业务维持"售罄"状态，对美批准出口中国H20芯片将快速响应[4] - 企业文化（客户导向、团队合作）被强调为HBM市场领导地位的关键因素[3]

报告公司投资评级 报告未提及公司投资评级相关内容 报告的核心观点 - 2025Q2，SK海力士营收、利润均创历史新高，主要因大型科技公司对人工智能投资增长及客户预先采购需求增长，推动DRAM、NAND产品出货量增长 [1][2] - 终端市场整体需求上半年强劲增长且价格环境有利，下半年大幅回调可能性低，PC/智能手机因AI应用普及加速换机潮，服务器需求因科技大厂投资和AI代理推动增长，NAND市场人工智能驱动需求增长不显著但节能SSD解决方案采用有望扩大 [3] - 公司在技术/产品上有亮点，维持HBM销售额同比翻倍目标，推进HBM4性能优化，扩大多种DRAM产品销售并规划相关量产，扩大采用QLC的高容量企业级SSD销售并计划开发新产品 [4][11] - 公司预计25Q3的DRAM位元出货环比中低个位数增长，NAND位元出货环比增长有限 [5][20] 各部分内容总结 SK海力士2025年二季度经营情况 总体营收情况 - 25Q2营收22.23万亿韩元，同比增长35%，环比增长26%，高出市场预期，季度收入创历史新高；毛利率54%，同比提升8pct，环比下降3pct；净利润7万亿韩元，同比增长70%，环比下降14%；净利率31%，同比提升6pct，环比下降15pct [1][2][9] 技术/产品亮点 - HBM维持销售额同比翻倍目标，2025年3月31日交付全球首款HBM4样品并协同优化性能 [4][11] - DRAM扩大多种终端需求增长型产品销售，计划2025年内启动LPDDR服务器模组供应并完成24Gb GDDR7量产准备 [4][11] - NAND维持审慎投资策略，扩大采用QLC的高容量企业级SSD销售，2025年5月完成基于321层NAND的UFS 4.1开发，计划年内开发321层NAND消费级固态硬盘及下一代eSSD [11] CAPEX - M15X工厂于Q4按计划开放，26年开始生产包含HBM在内的DRAM产品 [4][12] - 龙仁工厂一期建设预计于27年Q2完工 [4][12] - 25年资本支出预计高于之前指引水平，以确保为26年的HBM客户提供支持 [4][12] 按产品营收划分 DRAM - DRAM收入占总营收的77%，12层堆叠HBM3E产品销售全面拓展，服务器和PC市场需求强劲，出货量环比增长25%左右，传统DRAM产品销售大幅增长，ASP因低单价产品销量增长只实现低个位数增长 [13] NAND - NAND收入占总营收的21%，位元出货量远超预期，增长幅度超过70%，各应用领域需求均增长，因解决方案产品价格疲软，ASP环比高个位数下跌 [14] 公司终端需求展望 PC/手机市场 - PC/智能手机因AI应用普及加速换机潮，单机内存容量需求提升以支持AI功能 [3][17] 服务器市场 - 科技大型公司投资加速，通用服务器因换机周期和新CPU采用需求增长，大厂推出AI代理推动高性能、高密度内存（如HBM）需求激增，政府与企业AI投资将成新增长点 [3][18] NAND - NAND市场人工智能驱动的需求增长不显著，但随着功耗因素在人工智能服务器中更重要，预计节能SSD解决方案采用将扩大 [3][19] FY2025Q3公司指引 - 预计25Q3的DRAM位元出货环比中低个位数增长，NAND位元出货环比增长有限 [5][20] Q&A环节 - 人工智能市场快速增长，HBM需求有很大增长潜力，未来能持续增长 [23] - 2026年HBM供应与主要客户谈判按计划进行，客户项目多样化，公司密切谈判产品组合和定价并准备供应扩张 [24] - 二季度出货超预期因市场需求旺盛、关税政策不确定和传统产品停产，下半年供需剧烈波动可能性小，公司确保业务平稳运行 [25] - 公司在遵守法规前提下保障中国业务供应链畅通，推进中国晶圆厂运营，重点为长期客户提供传统产品支持 [26] - 二季度NAND出货量增长超指引，因企业级固态硬盘需求增长、超大规模客户扩大投资、关税不确定性和中国地区移动设备堆栈构建需求增长 [27] - 公司努力将HBM4成本增加反映在定价策略中，通过与客户建立最优定价保持盈利水平 [28][29] - 近期DDR4价格飙升是短期供应担忧，公司处于从DDR4向DDR5过渡阶段，未来逐步淘汰DDR4，为特定客户提供支持 [30] - 25年投资重点确保半导体支持商定供应量，新增资金主要用于HBM相关设备采购，最终规模待与客户谈判后确认 [31] - M15X计划今年第四季度投产，明年启动全面量产，公司根据客户需求量数据逐步提升产能，向MCA Nano转换预计下半年开始，明年完成 [32][33] - NAND市场增长放缓现状会持续一段时间，未来两三年内存储设备投资需求或增加，eSSD可能成为计算缓存一部分 [34] - 公司研发垂直栅极平台和3D DRAM技术，过渡期推进传统微缩工艺，新技术若成功将支撑未来HBM生产 [35] - 若大型GPU客户恢复对中国发货且需求与公司供货能力匹配，公司有能力抓住机会 [36] - 公司凭借企业文化和团队协作优势，有信心保持HBM市场领先地位，将开发细分产品，为AI生态提供定制化解决方案 [37]

纪要涉及的公司 SK Hynix Inc.（000660.KS）是一家韩国科技公司，是HBM市场的领导者、全球第二大DRAM供应商和领先的NAND供应商之一 [1][36]。 纪要提到的核心观点和论据 1. **2Q25业绩符合预期**：2Q25营收22.2万亿韩元（环比+26%，同比+35%），营业利润9.2万亿韩元（环比+24%，同比+68%），营收高于预期，营业利润符合预期，主要因传统DRAM利润增长抵消了NAND利润的下滑 [1]。 2. **HBM业务表现**：2Q25 HBM业务表现稳健，HBM3E 12Hi出货量增加，推动整体HBM出货量和ASP提升，营收达约53亿美元（环比+20%），但对DRAM营收贡献降至43%（1Q25为46%）；公司维持2025年HBM销售额翻倍的目标，符合预期 [3][17]。 3. **2026年HBM市场风险**：市场竞争加剧和高利润率难以持续，预计2026年HBM ASP将大幅下降；共识对2026年HBM定价和利润预期过高，预计2026年HBM营业利润率将从目前的约70%降至约60% [2][18]。 4. **资本支出调整**：因HBM需求可见性提高，公司预计今年资本支出高于此前计划，预计达24万亿韩元（同比+50%），预计2026年HBM出货量将增长约30%，但价格可能下降 [18]。 5. **传统内存业务**：本季度传统内存业务营收和利润表现良好，主要受DRAM和NAND出货量增长推动，但对客户库存调整的担忧增加，预计2H25传统内存价格趋势将保持稳定，1H26部分客户可能进行库存调整 [18][19]。 6. **盈利预测调整**：基于2Q25业绩和近期传统DRAM量价预期上调，将2025年EPS预测上调2%；考虑到2026/2027年HBM业务占比略降和DRAM/NAND ASP预期下调，将2026/2027年EPS预测下调2% [20]。 7. **目标价和评级**：将12个月目标价从31万韩元下调至30万韩元，维持“中性”评级，认为风险/回报平衡，当前股价对应的12个月远期P/B为1.6倍，高于历史平均水平 [2][21]。 其他重要但是可能被忽略的内容 1. **关键数据**：市值190.3万亿韩元/1379亿美元，企业价值194.1万亿韩元/1406亿美元，3个月平均日交易量8821亿韩元/6.408亿美元；提供了2024 - 2027年的营收、EBITDA、EPS等财务指标预测 [5]。 2. **风险因素**：智能手机/PC/服务器需求强弱、三星HBM业务进展、AI相关资本支出高低等因素可能影响公司业绩 [22][35]。 3. **估值方法**：12个月目标价30万韩元基于1.8倍的目标P/B应用于2025E/2026E平均BVPS得出 [34]。 4. **研究相关说明**：包括GS Factor Profile计算方法、M&A Rank含义、Quantum数据库用途等；还包含公司评级、覆盖范围、相关定义以及全球产品分发实体等信息 [42][44][45]。 5. **披露信息**：高盛与SK Hynix存在业务关系，可能存在利益冲突；提供了不同地区的额外披露信息，如澳大利亚、巴西、加拿大等 [8][46][58]。

纪要涉及的公司 SK 海力士 纪要提到的核心观点和论据 1. **第二季度财报表现** - 收入环比增长 26%，同比增长 35%，达 22.2 万亿韩元创历史新高，DRAM 和 NAND 出货超指引且价格改善 [3] - 营业利润环比增长 24%，同比增长 68%，达 9.2 万亿韩元，营业利润率 41% [2][3] - 折旧和摊销费用 3.4 万亿韩元，非经营亏损净额 0.49 万亿韩元，税前利润 8.7 万亿元，净利润 70 亿元，净利润率 31% [3] - 截至二季度末现金及现金等价物余额 17 万亿元 [3] 2. **未来市场展望** - 上半年需求强劲增长价格改善，下半年新产品推出需求或进一步增长，客户库存调整大幅下滑风险不高 [2][5] - 大型科技公司投资增加推动服务器市场需求，人工智能模型迭代增加高性能、高密度内存需求，政府和企业投资自主可控人工智能或成长期驱动力 [5] - PC 和智能手机市场人工智能功能带动更换需求，设备内存容量有望提升，NAND 市场暂未现人工智能驱动型需求增长但节能方案未来或广泛应用 [5] 3. **第三季度及以后计划** - DRAM 出货量增速放缓至个位数百分比，保持 HBM 销售额翻番并稳定增长，HBM3 E 受好评，向 HPM4 过渡时提供行业首批样品 [2][6] - 扩大常规 DRAM 产品销售，包括高速 DDR5、LPDDR5X 和 LPDDR4X，年内供应基于 LPDDR 的服务器模块，准备 24Gb GDDR7 产品巩固 GPU 内存市场领导地位 [6][7] 4. **HBM 长期需求预测及推动因素** - 大型科技公司扩张、毒素吞吐量增加、人工智能初创公司成长，AI HBM 长期需求持续快速增长 [8] - 人工智能从训练扩展到推理、代理等领域致工作负载增加，加剧带宽瓶颈，高性能、高带宽内存成关键因素，自主可控 AI 技术发展推动对 HBM 等先进内存技术需求 [8] 5. **人工智能市场发展影响** - 推理和智能体等领域工作负载增加、带宽瓶颈加剧，HBM 成关键产品，AI 市场扩展推动 HBM 市场需求增长 [9] - 未来 ATBM 市场增长率或难维持爆炸式增长，但 HBM 因客户群体扩大、新产品和服务推出将保持强劲增长 [9] 6. **供应谈判及库存情况** - 与主要客户的 ATPM 供应谈判按计划进行，就产品组合和定价密切谈判，为满足客户需求做供应扩张准备 [10] - 二季度出货超预期，供需大幅波动可能性低，系统构建活动增加使客户库存未显著上升，内存供应商大幅减少库存，未来增长仅由生产增长推动 [2][10] 7. **中国运营计划** - 美国政府收紧出口管制，最终用户验证状态未变，在法规范围内继续在中国运营，利用现有库存满足需求，支持长期客户，关注监管动态并与各国政府沟通 [4][11][12] 8. **DDR4 市场情况** - DDR4 价格上涨因短期供应担忧，部分供应商停止生产，是从 DDR4 到 DDR5 过渡的暂时需求集中，非基础需求结构性转移 [15] - SK 海力士 DDR4 收入份额自 2023 年稳定下降，计划逐步淡出大众市场 DDR4，为特定客户按商定数量供应 [15] 9. **投资情况** - 2025 年总投资超原计划，大部分额外投资用于 ATBM 相关设备，最终规模与主要客户谈判结束后确定 [15] 10. **产能及扩产计划** - M15 项目 2025 年四季度开始运营，2026 年全面大规模量产满足下一代 HBM 产品需求 [16] - 1c 纳米 DRAM 扩产今年下半年开始，明年全面转换 [16] 11. **存储设备投资需求趋势** - 未来 2 - 3 年存储设备投资需求或出现，AI 用户和令牌生成量增长使传统数据处理方法难满足存储需求，ESSD 或成计算缓存一部分，市场需求大幅增长 [17][18] 12. **下一代内存技术发展方向及影响** - 探索垂直栅平台和 3DDRAM 技术，基于架构、材料和组件变革超越 10 纳米节点，提高面积效率和功耗特性，3D 堆叠 DRAM 实现高密度存储 [19] - 创新方法需时间实现技术稳定和量产，继续推进常规缩小化工艺维持技术领先地位 [19] 13. **主要 GPU 客户恢复出口影响** - 若客户需求与内部供应条件一致，公司能应对机会获益，可能使 ATPM 需求上升 [20] 14. **应对竞争与不确定性策略** - 虽竞争加剧但要交出出色业绩，以客户为中心解决设计、生产及供应问题，巩固 HBM 市场领先地位，提供定制化 HBM 产品，设计高性能存储器产品 [21] 其他重要但是可能被忽略的内容 - 第二季度企业级 STS 需求增加因超大规模客户扩大人工智能投资，关税不确定性使单个组件需求上升，中国地区移动网站建设需求增长及促销活动使出货量超预期 [13] - ATPM 4 技术改进致成本增加，公司努力在定价策略中反映成本增加并刺激 AI 市场保持盈利水平 [14]