公司战略合作 - 英伟达首席执行官黄仁勋在韩国与三星电子会长李在镕、现代汽车集团会长郑义宣会面，传递出建立“伙伴”关系的明确信号 [1] - 公司分别与三星电子、SK集团、现代汽车集团、NAVER Cloud签约，其中韩国政府将获得5万块GPU，三星电子、SK集团和现代汽车将各获5万块GPU，NAVER Cloud则将获得6万块GPU [7] - 此次会面被视为一次高规格的战略宣告，旨在通过文化符号和商业利益的融合来巩固合作关系 [1][7] 供应链布局 - 英伟达AI GPU的生产高度依赖台积电，并且需要HBM提供显存支持 [2] - 随着全球AI竞赛白热化，晶圆生产和HBM供应已成为公司产能扩张的最大瓶颈 [3] - 三星被视作英伟达晶圆生产和HBM第二供应商的最佳选择，与李在镕的会面本质是一场“供应链保卫战”，旨在确保未来稳定顶级的弹药供应 [3] 市场竞争格局 - 华为昇腾、寒武纪等中国芯片企业正联合阿里、腾讯等云服务巨头，全力构建自主AI算力生态，从算力、运力、存力等多个维度形成集团军式紧追态势 [6] - 上述中国力量不仅在中国市场抱团取暖，更有机会向全球渗透，建立独立于英伟达CUDA生态之外的第二世界，对公司的GPGPU销售构成长期根本威胁 [6][7] - 在未来AI推理需求远大于训练需求的背景下，构建全栈生态以抢占应用市场已成为行业巨头竞争的焦点 [6]

日前，摩根士丹利研报指出，AI驱动下存储行业供需失衡加剧，预计将开启持续数年的"超级周期"，到2027年全球存储市场规模有望向3000亿美元迈进， 存储芯片行业或正迎来新一轮产业周期的起点。 2024 年至今，AI 算力基建与 HBM 技术革命成为新引擎，改写传统周期逻辑。第四轮周期中，存储需求不再依赖个人消费端，企业级 AI 资本开支成为重 要支撑，驱动 HBM、DDR4/DDR5 及企业级 SSD 等市场大规模增长。 在此趋势下，三星、SK 海力士等行业龙头开启新一轮争夺战，业绩迎来空前高增。 10月14日，三星公布的初步财报显示，Q3营业利润为12.1万亿韩元，同比增长31.81%，环比大增158.55%，大超预期。三星单季营业利润历经5个季度， 再次回升至10万亿韩元以上，也创下自2022年第二季度（14.1万亿韩元）以来的最高记录。 三季度销售额为86万亿韩元，同比增长8.72%，环比增长15.33%，创下历史新高。三星将于本月晚些时候公布包含净利润和部门明细项目的完整财报。 SK海力士Q3运营利润首次突破10万亿韩元大关，达到11.38万亿韩元，同比激增62%；营收24.45万亿韩元，同比增长39 ...

AI推理市场驱动存储行业变革 - AI推理市场快速增长 推动存储容量需求激增至数百EB级别[4] - 多模态AI模型发展 需要处理比纯文本多得多的数据 催生对海量存储容量的需求[3] - AI基础设施建置重心偏向推理服务 预计2026年企业级固态硬盘供应将吃紧 需求热潮延续至2027年[4] HBF（高带宽闪存）技术发展与前景 - HBF是一种通过堆叠NAND闪存制成的产品 结构类似HBM 提供约10倍于DRAM的容量[2] - 闪迪于2025年2月首次提出HBF概念 定位为结合3D NAND容量和HBM带宽的创新产品[2] - SK海力士与闪迪合作 计划2026年下半年推出首批HBF内存样品 首批采用HBF的AI推理设备样品预计2027年初上市[2] - 预计到2030年 HBF市场规模将达到120亿美元 约占同年HBM市场规模（1170亿美元）的10% 将与HBM形成互补[2] - HBF被评估为“辅助内存” 用于弥补HBM容量不足 特性为“轻速度 重容量”[3] 存储巨头技术布局与竞争 - 三星、SK海力士、闪迪等存储厂商正纷纷投入HBF技术的研发[1] - SK海力士在2025 OCP全球峰会推出包含HBF的“AIN系列”新产品线 并与闪迪签署谅解备忘录共同制定HBF技术规范[1] - 三星已启动其自有HBF产品的早期概念设计工作[2] 存储行业“超级周期”与市场趋势 - 存储行业正处于“超级周期” AI推理应用推升对实时存取、高速处理海量数据的需求[4] - 超大规模数据中心客户开始从高度依赖HDD转向基于大容量QLC的企业级固态硬盘[4] - 因CSP建置动能回温 DDR5产品需求持续增强 2026年CSP的DRAM采购需求有望大幅成长[4] - 由于海外原厂产能限制 2025年第四季度存储涨价趋势预计持续[4]

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 "中国市场充满活力、创新，并且拥有众多才华横溢的开发者，"他说。 "美国科技公司参与并融入中 国市场至关重要。我希望我们能够制定出新的政策，让英伟达重返中国，也希望中国欢迎英伟达的参 与。诚然，美国方面存在国家安全方面的担忧。但中国显然并没有完全拒绝这项技术。机遇依然巨 大。" 黄仁勋还评论了中国科技巨头华为在人工智能芯片领域日益增长的影响力，称在美国制裁促使北京加 强国内替代技术之后，低估华为的能力是"愚蠢的"。 他说："华为在电信和芯片设计方面拥有强大的实力。所以当他们发布CloudMatrix时，我并不惊讶 他们能够创造出如此惊人的产品。" 他认为，华为无法建构系统就是不了解情况。英伟达非常认真看待竞争，深深尊重中国的能力，「这 就是为什么我们跑得这么快，致力于发明未来，这样才能比任何人都先到达那里。」 「服务中国市场符合美国的最佳利益。让美国科技公司将技术带到中国市场也符合中国的最佳利 益⋯⋯这符合两国的最佳利益，我希望政策制定者最终会得出这个结论。」 来 源： 内容 编译自 chosun 。 卖芯片给中国才是双赢 据《CNBC》周五(31 日) 报导， ...

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 AI浪潮的汹涌席卷，让原本以周期波动著称的存储市场，进入前所未有的"超级繁荣周期"。在 AI大模型训练和推理的双重驱动下，算力需求暴增，HBM成为AI服务器的关键组件。它通过 堆叠多层DRAM，与GPU紧密结合，为AI计算提供更快的数据通道，成为AI时代最炙手可热 的"黄金存储"。 而HBM的火热也带动了整个存储产业链的升温。三星电子、SK海力士和美光科技等全球三大存储巨 头，纷纷迎来业绩爆发。三星第三季度净利润同比增长21%，SK海力士创下公司史上最高季度利 润，美光则实现净利同比增长三倍。SK海力士也表示，其2025年前的HBM产能已被客户预订一空。 与此同时，传统DRAM和NAND芯片也正意外走俏。 由于存储厂集中扩产HBM，常规内存产能趋紧，市场供需出现再平衡。亚马逊、谷歌、Meta等数据 中心巨头，为了扩充AI推理与云服务能力，正大规模采购传统DRAM。事实上，在AI推理阶段，普 通内存依然发挥着不可替代的作用——这让整个存储市场呈现"全线紧俏"的局面。 LPDDR5的爆火 先一步爆火的，是所有智能手机几乎都会用到的LPDDR。 近日，高通发布了全新的 ...

25Q3财务业绩 - 25Q3收入创历史新高，达24.45万亿韩元，同比增长39%，环比增长10% [2] - 25Q3毛利率为57%，同比提升5个百分点，环比提升3个百分点；净利率为52%，同比提升6个百分点，环比大幅提升21个百分点 [2] - DRAM业务收入19.07万亿韩元，同比增长57.3%，环比增长11.4%，出货量环比高个位数增长且超指引预期，ASP实现中个位数百分比增长 [2] - NAND业务收入4.89万亿韩元，同比微降0.6%，环比增长4.7%，出货量环比下降中个位数百分比，ASP上涨低十位数百分比 [2] - 经营利润11.4万亿韩元，环比增长24%，同比增长62%；净利润12.6万亿韩元，净利润率52%刷新历史峰值 [11] - 期末现金及现金等价物27.9万亿韩元，环比增加10.9万亿韩元；净现金头寸为3.8万亿韩元 [11] 市场展望与需求预测 - AI推理存储用量指数级上升，拉动HBM、DDR5及企业级SSD需求，头部AI企业投资合作推动全品类存储需求增长 [3][12] - 预计明年服务器整体出货量增长10%以上；智能手机与PC市场预计温和增长，AI功能渗透至中低端手机，AI PC预计占PC市场一半份额 [3][13] - 预计DRAM需求增速从今年的高十位数百分比提升至明年20%以上；NAND需求增速从今年的中十位数百分比提升至明年高十位数百分比 [4][13] - 公司已锁定2026年HBM、DRAM与NAND客户需求，明年产能基本售罄 [4][21] HBM业务进展与展望 - 已完成2026年主要客户HBM供应谈判，定价确定在能维持当前盈利能力的水平 [4][16] - 9月完成HBM4研发与量产准备，2025Q4启动出货，2026年扩大产能以巩固市场领导地位 [4][14] - 指引2027年公司HBM仍供不应求；未来五年HBM市场复合增速超30%以上 [4][16][27] - HBM4的输入/输出接口数量为2048个，是HBM3E的两倍，公司已能满足客户提出的顶级规格要求 [17] 技术与产品规划 - DRAM计划在服务器、移动、图形等领域构建基于1C纳米制程的完整产品线；1C制程量产顺利，2026年加速制程迁移 [4][14] - 预计到2026年底，1C纳米制程将占据韩国境内传统DRAM产能的一半以上 [23] - NAND领域将扩大TLC、QLC供应，加速321层NAND产能爬坡，预计321层产品占据NAND位元产量一半以上 [4][23] - 企业级SSD需求受AI推理和RAG架构推动，高性能TLC和高密度QLC企业级SSD存储需求预计将持续增长 [19][20] 产能与资本支出 - 提前启用M15X工厂洁净室并启动设备安装以新增HBM产能；加速传统DRAM与NAND现有产能向先进制程迁移 [5][15] - 2026年资本支出预计高于2025年，将在维持资本支出纪律前提下规划投资 [5][22] - 推进Yongin第一工厂建设及美国印第安纳州先进封装工厂筹备，以灵活响应增长需求 [15][26] 行业周期与库存状况 - 当前周期与2017-2018年超级周期存在差异，驱动力来自AI范式转型催生的更广泛应用场景，AI正推动内存需求发生根本性转变 [18] - 受近期内存需求强劲影响，DRAM和NAND的库存水平均环比下降，DRAM库存处于极低水平，DDR5产品基本实现"生产即发货" [24][25] - 服务器客户的内存库存水平已显著下降，整体客户库存水平呈走低态势 [24]

涉及的行业与公司 * 行业为存储芯片（内存）行业，特别是DRAM和NAND闪存 [1] * 涉及的公司主要为韩国存储芯片制造商三星电子（SEC）和SK海力士（SKH） [1] 核心观点与论据 业绩展望与市场预期 * 第三季度业绩强劲已被市场充分预期，投资者更应关注2026年资本支出指引以评估存储厂商的供应纪律承诺以及对OpenAI星门项目进展的可见度 [1] * 存储股在过去3个月上涨136%（同期费城半导体指数上涨24%），因内存AI生态系统中重要性提升以及持续的供需紧张预期 [1] * 尽管存在宏观不确定性且股价大幅上涨可能已计入直至2027年上半年的盈利预期，导致回调可能性，但公司建议逢回调买入，着眼于更持久的高位存储上行周期 [1] 资本支出与供应纪律 * 历史经验表明，资本支出上修评论往往预示着存储周期见顶和股价下跌，但此次为满足星门项目需求的资本支出增长应会受到市场欢迎 [1][7] * 在即将到来的业绩会上，预计存储厂商会对明年增加资本支出的必要性持合理乐观态度，但不会给出具体数字 [7] * 公司预计2026年三星电子和SK海力士的存储资本支出分别为59.1万亿韩元和31万亿韩元，高于市场共识的56万亿韩元和27万亿韩元 [7] * 在设备资本支出和基础设施资本支出之间，预计基础设施将推动存储资本支出上升，并继续优先投资DRAM而非NAND [7] * 考虑到绿地晶圆厂建设需约24个月以及有限的存储产能增加，预计供需紧张将持续至2026年并可能延续到2027年上半年，这有利于存储平均销售价格趋势 [1] 产能规划与星门项目 * 三星电子P4-1和P4-3将在未来12个月内投产，设计产能约为20-22万片晶圆/月（基于1z/1anm制程），P4-2和P4-4将在未来24-36个月内支持产能上线 [1][4] * SK海力士M15X工厂将于2025年第四季度投产，专门生产HBM，设计产能为9万片晶圆/月（基于1bnm制程），在龙仁第一阶段于2027年中投产前产能增加有限 [1][4] * OpenAI星门项目要求到2029年提供90万片晶圆/月的DRAM产能，这约占DRAM总产能的近一半，但短期内关于该项目进展的评论可能有限 [36] 价格与盈利展望 * 预计DRAM平均销售价格在2025年第四季度和2026年第一季度将环比上涨6%-11%，传统DRAM利润率将从2026年第一季度起超过HBM利润率 [13] * 模型显示传统DRAM盈利能力在峰值时将超过70%，略高于前一个利润率峰值（预计在2026年第二季度至第三季度） [13] * 尽管对DRAM平均销售价格上行周期充满信心，但对利润率超过上述水平的可持续性持谨慎态度 [16] HBM技术竞争与展望 * 预计SK海力士将早于竞争对手宣布HBM4认证（不晚于2026年第一季度初），且HBM4价格溢价低于市场担忧（预计较HBM3E 12-Hi溢价35%，绝对价格为2.3美元/Gb） [17] * 预计三星电子将强调来自AMD/博通的强劲近期HBM位元增长，以及可能满足英伟达引脚速度要求的正面前端HBM4芯片性能 [17] * 进入2027年，预计SK海力士将在HBM4E周期拉大与同行的差距，并预计其16-Hi HBM4E份额将逐年增加 [17] 公司比较与估值 * 在强劲的传统存储价格趋势下，预计三星电子与SK海力士之间已扩大的基本面差距将在未来12-18个月内收窄，这可能有助于缩小两者之间的市净率倍数差距（当前为48%，历史平均为11%） [25] * 然而，在2027年下半年，预计绝对的DRAM营业利润差异将再次扩大，因预计SK海力士将在Rubin-Ultra GPU的16-Hi HBM4E中获得更高份额 [25] * 中长期仍更偏好SK海力士，但短期内因估值追赶可能更看好三星电子 [1] * SK海力士市净率已突破历史最高范围达2.46倍远期市净率，三星电子市净率为1.3倍，低于2021年1月的峰值1.9倍 [36] 其他重要内容 * 提供了三星电子和SK海力士各工厂的设计产能和投产时间线详细表格 [4] * 提供了三星电子和SK海力士详细的存储位元增长和平均销售价格季度预测表格 [17] * 展示了三星电子、SK海力士与其他全球存储厂商及费城半导体指数的近期股价表现对比 [46] * 包含大量图表数据，说明历史资本支出与股价关系、HBM销售与利润结构、公司间估值比较等 [8][9][10][11][14][15][18][19][20][23][24][26][27][28][29][33][38][39][42][45]

好的，我已经仔细阅读了这份关于全球内存技术的行业研究报告。以下是根据要求总结的关键要点。 涉及的行业与公司 * 行业为全球内存行业，核心是DRAM（动态随机存取内存）和NAND（闪存）市场 [1] * 重点分析的公司包括SK海力士（SK Hynix）、三星电子（Samsung Electronics）和美光（Micron） [2] * 报告也提及了其他内存厂商，如南亚科（Nanya）、长江存储（YMTC）和长鑫存储（CXMT） [23][24] 行业核心观点与论据 行业展望与预测修正 * 将2026年全球DRAM销售额预测从1540亿美元上调至1700亿美元，增幅10%，主要基于平均售价假设上调 [1] * 2026年DRAM销售额预计同比增长36%，其中平均售价贡献17%的增长，出货量贡献16%的增长 [1][8] * 对传统DRAM价格持更积极看法，预计2025年第四季度和2026年第一季度环比增长分别为20%和10% [1] * 高带宽内存作为DRAM的一部分，2026年预测销售额为550亿美元，维持不变，但假设其平均售价下调6%，出货量增长66% [1][18] * 预计2025年全球DRAM销售增长42%，NAND销售增长2%；2026年NAND销售将强劲复苏，增长18% [8] 市场价格动态与供需分析 * 当前DRAM现货价格异常高，长期历史均价为5美元左右，而目前16Gb DDR4价格达20.6美元，16Gb DDR5价格达12.6美元 [3][6] * 尽管价格高企，但由于供应紧张（产能转向AI内存HBM）和芯片订单稳固，预计年底前DRAM现货价格仍有10-20%的上涨空间 [3] * 内存芯片制造商的库存处于低位，DRAM和NAND库存周数仅为3-4周，低于正常的1-2个月水平 [11][12] * DRAM和NAND晶圆厂的利用率高，除旧闲置产能外已完全利用 [13][14] 重点公司分析与估值 * 将SK海力士的目标价从470，000韩元上调至700，000韩元，基于3.3倍2026年预期市净率，高于其历史峰值约2.0倍 [2] * 支持海力士高估值的理由包括：美光交易市净率已超3.0倍；海力士3倍市净率隐含2026年预期市盈率仅11倍；市场对内存超级周期持乐观态度 [2] * 三星电子2026年预期市净率仅为1倍多，但因其业务包含非内存部分（智能手机、显示面板、晶圆代工等），增长和利润率较低，故估值折扣合理 [2] * SK海力士在HBM市场占据主导地位，预计2025-2027年市场份额保持在50%以上，其HBM业务营业利润率超过60% [20][21] 技术发展与资本支出 * HBM4预计在2025年下半年量产，将应用于英伟达下一代"Rubin"GPU系列 [19][21] * AI服务器中的HBM容量持续增长，预计从2024年的每服务器954GB增至2027年的1550GB [18] * DRAM资本支出增长强劲，预计2025年增长33%至475亿美元，主要由SK海力士和美光推动，主要用于HBM产能扩张 [23][26] * NAND资本支出复苏较弱，2025年预计仅增长6%至237亿美元，主要由于利润率较低和技术节点迁移困难 [24] 其他重要内容 * 下游需求主要由服务器（包括HBM）和智能手机驱动，汽车和固态硬盘的增长也很有潜力 [10][16][17] * 报告采用了自下而上的方法预测HBM市场，考虑了主要厂商的进展和长期计划 [20] * 半导体生产设备占资本支出的比例预计将上升，显示对先进产能的投资力度加大 [25][26]

行业与公司 * 报告聚焦于人工智能数据中心的价值链，特别是基于英伟达GB200/NVL72机架的AI数据中心成本结构分析 [1][2] * 报告涉及多家上市公司，包括英伟达、博通、AMD、英特尔、台积电、三星电子、SK海力士、美光科技等半导体及科技公司，以及戴尔、超微、慧与等服务器厂商，伊顿、维谛等电源与热管理供应商 [10][12][23][37] 核心观点与论据 AI数据中心资本支出估算 * 一个典型的GB200/NVL72机架成本约为340万美元，加上每机架约250万美元的物理基础设施成本，AI数据中心的总资本支出为每机架590万美元，或每吉瓦35亿美元 [3][25] * 该估算显著低于英伟达在其2026年第二季度财报电话会议上给出的每吉瓦500-600亿美元的数字，公司认为英伟达是在展望未来的产品周期 [3][28] 成本结构分解 * 数据中心资本支出主要由GPU主导，估计占总成本的39%，英伟达的毛利美元占总成本的29% [4][26] * 考虑到英伟达约70%的毛利率，英伟达的毛利美元占AI数据中心总支出的约30% [4] * 即使采用利润率较低的ASIC，加速计算仍然是最大的成本项目，假设ASIC毛利率为50%，加速计算的价格将从约230万美元降至120万美元，总资本支出节省约19%，但仍占ASIC数据中心资本支出的约28% [4][28] * 网络设备是另一大支出项目，约占支出的13%，但支出也分散在不同类型的设备上，交换机是最大的网络设备部分，约占总支出的3% [5][27] * 存储支出相对较小，约占支出的1.4%，一个典型机架拥有约2PB的存储，按硬盘每GB 0.01美元计算，每机架成本约为2万美元，仅占机架成本的约0.6% [5][29] 上游供应商价值分配 * 对于GB200，代工厂通过GPU、网络芯片等获得数据中心资本支出的2.5-3%，如果加上CPU则再获得约1%，HBM供应商获得3-3.5%，半导体设备供应商获得3-4% [6][31] * 这相当于代工厂每吉瓦获得11亿美元，内存公司通过HBM每吉瓦获得11亿美元，半导体设备供应商每吉瓦获得12亿美元 [6][31] * 如果数据中心采用ASIC，由于供应商要求的利润率较低，相同的资本支出可以购买更多的芯片，因此代工厂和其他上游供应商将获得更有利的经济效益 [6][31] 机电设备支出 * 柴油和天然气发电机及涡轮机约占支出的6%，不间断电源约占4%，变压器约占5% [7][32] * 热管理支出相对较小，约占4%，并且在空气冷却和液体冷却之间分配，但预计支出将继续向液体冷却转移 [7][32] * 预计机架内电源组件含量将在2027年的Rubin Ultra中随着800V高压直流设计增加到目前的7-8倍 [7][38] 运营成本与经济成本 * 考虑到IT硬件较短的折旧寿命以及相对较低的运营成本，真实的经济成本可能比现金资本支出所暗示的更倾向于服务器和网络设备 [8][33] * 即使按每千瓦时0.15美元的高电价计算，运行一吉瓦数据中心容量一年的电力成本约为13亿美元，人员成本可忽略不计，据报道20吉瓦的数据中心仅需8-10人操作，每人年薪3万至8万美元 [8][33] 其他重要内容 投资建议摘要 * 英伟达：数据中心机会巨大且仍处于早期阶段，仍有实质性上行空间 [12] * 博通：强劲的2025年AI轨迹似乎将在2026年加速 [12] * AMD：AI预期仍然很高，但与OpenAI的新交易有望推动进一步增长 [12] * 英特尔：英特尔的问题已凸显到最前沿 [12] * 应用材料：对半导体设备行业的长期增长保持乐观看法 [15] * 拉姆研究：公司正受益于关键的技术拐点 [16] * 戴尔：在AI服务器和存储方面拥有巨大的上行机会，且相对于其增长概况非常便宜 [16] * 西部数据：在硬盘领域面临周期性强劲，但将在市场份额和利润率上面临压力 [17] 未来趋势与瓶颈 * 公用事业规模的电力日益成为该领域的瓶颈，超大规模公司正在寻求替代方案，如小型工业燃气轮机和替代能源 [38] * 拥有关键技术或市场能力的供应商，如台积电或内存供应商，可能能够通过匹配供应增加的速度与需求增长来维持有利的供需平衡 [38] * 机架内电源存在显著的内容增长机会，预计明年电源组件总市场规模将增长约70%，2027年将增长30% [38]

行业投资评级 - 投资评级为看好 并维持此评级 [11] 核心观点 - 存储行业逻辑正从供给端控产驱动的涨价周期 转向AI需求拉动下供给缺口逐步形成的产业大周期 [2][7] - 当成长逻辑持续占优之际 持续看好存储行业的确定性机遇 [2][7] - 看好存储产业链的确定性发展机遇 包括需求成长+价格周期+国产化率持续提升的模组 存储设计公司 以及国内原厂扩产逻辑下的核心标的 [11] 需求端分析 - 据海力士三季报指引 2026年DRAM位元需求增长为20%以上 NAND Flash位元需求增长为high teen%水平 高于2025年的high teen%和mid teen%增长 [11] - AI推理端持续落地 AI服务器工作负担向通用服务器等边缘基础设施转移 为快速响应并行处理 KV Cache逐步从HBM卸载至DRAM和SSD 带动HBM DDR5 eSSD等整体存储2026年位元需求进一步增长 [11] - AI时代大量数据量产生激发对存储需求持续扩张 Nearline HDD已出现供应短缺 交期延长至52周以上 北美CSP厂商锁定机械硬盘原厂26年产能 HDD在26年将形成溢出需求 [11] - 随着AI推理端持续放量 Server端KV Cache从HBM卸载至DRAM和SSD 半导体存储HBM DDR5 NAND Flash均呈现需求确定性增长之势 [11] 供给端分析 - 过去几年存储原厂未形成有效规模产能释放 更多是基于确定性AI相关需求 将现有产能向AI存储倾斜 如HBM DDR5 QLC NAND Flash等 [11] - 由于新增产能开出周期较长 原厂依赖于稼动率提升形成的有效供给释放相对刚性 [11] 行业周期与价格展望 - 本轮存储周期核心变化是AI拉动存储需求持续攀升 行业周期从供给控产驱动的价格周期 向需求成长下供给缺口逐步形成的产业大周期演绎 [11] - 展望2026年 存储市场有望在AI强劲需求刺激下 原厂产能持续向server产品倾斜 挤占消费级供给 据TrendForce预估 26年存储有望持续实现价格上扬 上半年更为显著 [11] - 集邦咨询上修25年第四季度DRAM价格涨幅预估 从8-13%上修至18-23% HBM价格涨幅预估从13-18%上修至23-28% [27] 技术趋势与产业链 - 机械硬盘供给过于紧张 固态硬盘正加速渗透至温数据存储领域 冷数据亦有导入倾向 [16][27] - QLC SSD相较于Nearline HDD具有更强性能 更高能效 可节约约30%能耗 [16] - 报告列出了存储产业链相关公司 包括模组&分销公司 利基存储 配套产业链 长鑫/长存产业链以及封测等环节的核心标的 [27]