1月5日消息，近日，存储芯片大厂SK海力士首席执行官郭鲁正在对员工的2026年新年致辞当中表示，人工智能（AI）需求超出预期，并将成为常态，竞 争日益激烈，SK海力士目标是发展成为真正世界级的公司。 2025年，在人工智能需求的爆发之下，全球DRAM和NAND Flash市场持续供不应求、价格也是持续大涨。 根据DRAMeXchange的数据显示，PC DRAM DDR4 8Gb的平均合约价格从2024年底的1.35美元上涨至2025年底的9.30美元，涨幅近7倍。其中，仅第四季 度，价格就上涨了32.9%，达到自2016年开始跟踪以来的最高水平；NAND Flash市场也是一样，存储卡和移动硬盘中使用的通用128Gb NAND Flash产品 价格在2025年一年内上涨了2.76倍。这也直接带动了存储芯片厂商的业绩大涨。 郭鲁正表示，作为全球领先的存储芯片制造商之一，2025年对SK海力士来说是创纪录的一年，带来了迄今为止最强劲的业绩，并在规模和质量上实现了 明显增长。 根据SK海力士财报显示，2025年前三季累计营收为64.3万亿韩元（445亿美元），营业利润为28万亿韩元（194.11亿美元），营业利润 ...

截至2026年1月5日 09:50，中证消费电子主题指数(931494)强势上涨2.51%，成分股信维通信(300136)上 涨7.58%，兆易创新(603986)上涨7.30%，蓝思科技(300433)上涨6.61%，北京君正(300223)，恒玄科技 (688608)等个股跟涨。消费电子ETF(561600)上涨2.32%，最新价报1.23元。 从资金净流入方面来看，消费电子ETF近3天获得连续资金净流入，最高单日获得2181.52万元净流入， 合计"吸金"2912.87万元，日均净流入达970.96万元。（ 数据显示，截至2025年12月31日，中证消费电子主题指数(931494)前十大权重股分别为立讯精密 (002475)、寒武纪(688256)、工业富联(601138)、中芯国际(688981)、京东方A(000725)、兆易创新 (603986)、澜起科技(688008)、东山精密(002384)、豪威集团(603501)、生益科技(600183)，前十大权重 股合计占比54.35%。 消费电子ETF(561600)，场外联接(平安中证消费电子主题ETF发起式联接A：015894；平安中证消费电 ...

受全球AI算力需求激增及存储芯片价格强劲反弹推动，亚洲主要股市周一集体上涨，日韩股市双双刷新历史高点，芯片巨头的强劲表现成为核心 驱动力。 今日，日韩股市高开高走。韩国市场表现尤为亮眼，韩国首尔综合指数高开1.8%，随后涨幅扩大至2.6%并创下纪录新高。权重股三星电子股价大 涨近5%创历史新高，SK海力士同步走强涨近3%，两大存储巨头的强势表现直接提振了市场情绪。 同时，受芯片和重工业股带动，日经225指数一度上涨2.2%报51442.83点，日本东证指数升至纪录新高。铠侠上涨8.4%，东京电子上涨4.6%，软银 集团上涨3.9%。三菱重工业上涨5.7%，川崎重工业上涨4.8%。 支撑这一轮行情的关键逻辑在于存储芯片价格的剧烈波动。据富国银行最新数据显示，DDR4现货价格周环比上涨约23%，而DDR5上涨1%。更引 人注目的是，第四季度DDR4平均价格环比上涨139%，12月PC DRAM合约价格上涨约8%，服务器DRAM上涨约11%。按美元/Gb计算，富国银行 预计第四季度合同价格环比上涨约65%，同比涨幅高达175%。 此外，台积电宣布2nm制程按计划量产，进一步提振了市场情绪。分析师普遍认为AI热潮将延 ...

January 2, 2026 10:58 AM GMT SK hynix | Asia Pacific 2026 – From Good To Great Unleashing AI computing performance. AI models have vast headroom for improvement through both increased compute and efficiency gains as we move from models to systems, and we expect hynix to continue to lead in scaling memory technology to meet future AI demand. Michelle.Kim1@morganstanley.com +852 3963-0183 A much steeper climb is ahead for commodity memory and HBM pricing. We think this makes SK hynix fundamentally more attrac ...

行业与公司研究纪要关键要点总结 涉及行业与公司 * **行业**：亚洲半导体与全球存储器行业，核心焦点为人工智能相关芯片、先进封装、存储器市场 [1] * **公司**：台积电、联发科、三星电子、SK海力士、美光科技、铠侠、联华电子、世界先进、瑞昱半导体 [6][7][8][9][11] 核心观点与论据 总体投资主题：AI仍是2026年核心驱动力 * 2026年AI加速器需求非常强劲，导致CoWoS、存储器和逻辑晶圆等供应难以跟上 [1] * 尽管市场对AI泡沫存在担忧，但报告认为盈利预测存在上行风险，建议继续投资AI但聚焦于优质标的 [1] * OpenAI和Anthropic可能在2026年下半年IPO前释放积极消息以提振市场情绪 [1] 技术趋势与供应链动态 * **AI芯片竞争格局**：TPU势头增强，但英伟达GPU在2026年仍将占据全球CoWoS供应约60%的份额 [2][27] * **先进制程产能**：台积电2026年领先制程产能已被预订一空，N2制程在2027年也将保持紧张 [3] * **资本支出**：预计台积电2026年资本支出为470亿美元，同比增长15%，但由于收入增长更快，资本支出/收入比率将下降 [3][36] * **先进封装扩张**：预计全球CoWoS年产能将从2025年的724K片晶圆增长至2026年的1250K片晶圆，同比增长73% [4][22] * **高带宽存储器增长**：预计HBM位元出货量在2026年将增长98%，收入预计增长91%至750亿美元 [4][50][101] 地缘政治与市场竞争 * **中国技术差距**：中芯国际/华为推出的“N+3”节点被认为不如台积电N5，中国在领先逻辑制程上仍落后台积电5年以上 [5] * **中国存储器厂商IPO**：长江存储和长鑫存储预计将在2026年上市，标志着中国正式进入存储器市场，但短期内其新增供应难以改变2026年的短缺局面 [5][51] * **市场分化**：在AI芯片领域，中国与非中国市场已有效分离为两个不同的投资市场 [51] 公司具体观点与评级 台积电 * **核心观点**：首选推荐，受益于GPU和ASIC需求，AI泡沫风险较低 [6] * **财务预测**：预计2026年营收增长23%，每股收益复合年增长率达20%，目标价1800新台币，基于20倍远期市盈率 [6][56][57] 存储器厂商 * **行业展望**：预计DRAM价格在2026年大部分时间保持强劲，但涨势可能在2026年末减弱，2027年供需将正常化 [8] * **三星电子**：目标价上调至140,000韩元，基于1.6倍两年远期市净率，预计HBM市场份额将从27%提升至37% [8][13][88] * **SK海力士**：目标价上调至750,000韩元，基于1.9倍两年远期市净率 [8][13] * **美光科技**：目标价上调至330美元，基于2.9倍两年远期市净率 [8][14] * **铠侠**：给予“表现不佳”评级，目标价7,000日元，因NAND市场竞争结构更具挑战性 [12][15][89] 联发科 * **核心观点**：移动业务面临的压力是暂时的，AI ASIC项目将带来上行惊喜 [7] * **财务预测**：预计TPU项目在2026/2027年将贡献总每股收益的7%/36%，目标价1640新台币，基于17倍远期市盈率 [7][77][78] 成熟制程相关公司 * **联华电子**：给予“表现不佳”评级，目标价32新台币，因新厂折旧加重及来自中国的竞争压力 [9][17] * **世界先进**：给予“符合市场表现”评级，目标价90新台币，估值不苛刻且股息收益率约5% [9][19] * **瑞昱半导体**：给予“符合市场表现”评级，目标价下调至390新台币，受高存储价格导致的终端需求破坏和成本通胀影响 [9][16] 其他重要内容 * **成熟制程需求**：整体需求好坏参半，高存储价格对PC、手机等非AI应用造成额外压力 [3][40] * **封装设备市场**：CoWoS和HBM的持续扩张可能为封装设备市场带来重要投资机会 [4] * **中国竞争威胁**：对于成熟制程节点，来自中国的竞争将是一个主要的投资考量因素 [5][55] * **财务数据汇总**：报告附有详细的财务预测表格，涵盖收入、每股收益、市盈率、市净率及目标价变化 [11]

文章核心观点 - 英伟达以200亿美元取得Groq的LPU技术授权，凸显了SRAM在AI时代，特别是低延迟即时推论应用中的关键作用，使其从配角跃升为主角[1][6] - AI市场需求正从训练转向即时推论，对低延迟的需求使得高速、低延迟的SRAM成为新的产业焦点，与负责大容量高带宽的HBM形成互补[1][4][6] SRAM与HBM的技术特性与角色 - SRAM是一种高速、低延迟（奈秒等级）的静态随机存取记忆体，特点包括速度极快、功耗低、不需刷新，但面积大、每比特成本高，主要用作晶片内部的高速暂存区以实现即时运算[3] - HBM是一种采用3D堆叠与矽穿孔技术的进阶型DRAM，特点为频宽极高（可达上TB/s）、容量大、功耗较传统DRAM低，但延迟高于SRAM，主要用作AI GPU等的大容量记忆体仓库以高速供给资料[3][4] - 两者角色明确：SRAM负责“快”，HBM负责“多”，共同决定了AI晶片的运算速度与能力边界[4] SRAM成为市场新焦点的原因 - AI发展进入新阶段，市场需求从“训练能力”转向“即时推论能力”，如即时语音助理、金融交易、自驾系统等，这些应用最忌惮高延迟，而低延迟正是SRAM的核心优势[6] - 英伟达斥巨资取得Groq的LPU技术授权，其关键在于LPU性能依赖于极端高速、低延迟的记忆体存取，这正是SRAM不可替代的领域，此举旨在补强英伟达在极致低延迟推论架构设计上的短板[1][6] - Groq的技术价值在于利用大量SRAM结合简化控制逻辑，实现比GPU更可预测、更即时的AI回应，适用于AI Agent、机器人控制等场景，从而提升了SRAM的战略地位[6]

文章核心观点 - 由于人工智能基础设施需求旺盛，而供应增长受限，预计2026年全球DRAM和NAND闪存市场将持续供不应求，推动产品价格上涨 [1] 2026年内存市场整体供需与价格展望 - 行业预估显示，2026年DRAM位元供应量增幅约为15%至20%，需求增速预计为20%至25%，NAND闪存位元供应量增幅为13%至18%，需求增幅为18%至23%，需求增速均快于供应 [1] - 不含HBM的传统DRAM产品价格在2025年第四季度上涨了近50%或更高，此涨价势头预计将延续至2026年上半年，且下半年价格回落空间有限 [5][6] - 内存制造商暂停公开报价并持续上调产品价格，使非AI领域与消费级市场的采购商面临成本攀升与货源紧缺的双重难题 [6] 服务器与AI需求驱动 - 在云平台持续加大AI训练与推理业务投入的驱动下，预计2026年服务器领域的DRAM和NAND闪存消耗量将同比激增40%至50% [2] - AI推理业务的爆发正在重塑NAND闪存市场需求结构，2025年推理相关基础设施资本投入已超过训练业务，预计2026年将进一步增长，推动企业级SSD需求快速攀升 [7] - 云人工智能业务将成为2026年市场的核心增长驱动力，AI推理与边缘计算应用的加速落地将利好已布局相关产品线的厂商 [8] DRAM市场结构性变化 - 头部供应商正加速淘汰DDR4产线，将产能分配给更新型、利润率更高的产品，预计到2026年下半年，三星和SK海力士的DDR4晶圆开工占比将降至个位数低位 [3] - 市场预估2026年DDR4的供应量将持续比需求量短缺约10%，这将支撑其价格在至少2026年下半年之前保持高位运行 [3] - 随着HBM在高端产能中占比提升，供应压力加剧，SK海力士、美光及三星的HBM3E产能已基本被预订一空，HBM4的布局将进一步挤压标准DDR5的产能空间 [4] - 市场对128GB及更大容量DDR5内存模组，以及采用LPDDR5X规格的SOCAMM2内存配置的需求，预计将占据DRAM产能的更大份额 [6] NAND闪存市场动态 - 尽管铠侠与长江存储在建设新生产基地，但其新产能要到2026年第二季度才有可能实现可观产量贡献，短期内难以对市场供应产生实质性影响 [7] - 北美云服务运营商对128TB至256TB大容量SSD的需求日益旺盛，促使厂商从TLC技术转向QLC技术，以实现成本与存储密度的平衡 [7] - 云服务提供商的大规模产能预订推动NAND闪存价格大幅上涨，2025年第四季度NAND晶圆价格环比暴涨约95%至100% [7] 产业链厂商影响与策略 - 紧张的供应形势迫使内存模组厂商采取限量出货策略，并优先保障战略客户订单，原材料成本持续攀升正不断挤压厂商利润率 [8] - 威刚科技表示，2026年内存模组市场的两极分化态势或将加剧，部分厂商能获得稳定芯片供应，另一些则持续面临货源短缺 [8] - 主控芯片制造商群联电子透露，其锁定的部分2026年芯片供应仍无法满足市场需求，公司计划缩减零售市场出货量，将资源集中投向附加值更高的企业级客户 [8] 具体产品价格走势 - 三星64GB DDR5 RDIMM内存的合约价已从2025年第三季度的约265美元，上涨至第四季度的约450美元，到2026年第一季度或将逼近480美元 [4] - 2025年第四季度DDR4与DDR5的现货价差进一步拉大，印证了市场对DDR4老规格产品的需求仍在持续 [3] 产能与投资动态 - 中国台湾地区供应商南亚科技巩固了其全球最大DDR4供应商的地位，华邦电子计划将其高雄工厂的月产能从约1.4万片晶圆提升至2.4万至2.5万片 [3] - HBM4的生产不仅会消耗更多晶圆，还涉及更复杂的良率管控，这将进一步加剧内存市场的结构性供应压力 [6]

全球内存市场供需与价格展望 - 2026年全年全球内存市场预计将持续供不应求，推动产品价格走高 [1] - 2026年DRAM位元供应量增幅预计为15%至20%，而需求增速预计为20%至25% [1] - 2026年NAND闪存位元供应量增幅预计为13%至18%，而需求增幅预计为18%至23% [1] 服务器与人工智能需求驱动 - 2026年服务器领域的DRAM和NAND闪存消耗量预计将同比激增40%至50% [1] - 人工智能推理业务资本投入在2025年已超过训练业务，预计2026年将进一步增长，推动企业级SSD需求 [5] - 云人工智能业务被视为2026年市场的核心增长驱动力 [7] DRAM市场结构性变化 - 头部供应商加速淘汰DDR4产线，将产能分配给更新型、利润率更高的产品 [2] - 预计到2026年下半年，三星电子和SK海力士的DDR4晶圆开工占比将降至个位数低位 [2] - 2026年DDR4供应量预计将持续比需求量短缺约10%，支撑其价格保持高位 [2] - 高带宽内存(HBM)产能（如HBM3E）已被预订一空，HBM4的布局将进一步挤压标准DDR5的产能空间 [3] - 不含HBM的传统DRAM产品价格在2025年第四季度上涨了近50%或更高，涨价势头预计延续至2026年上半年 [3] 产品价格动态 - 三星64GB DDR5 RDIMM内存合约价从2025年第三季度的约265美元，上涨至第四季度的约450美元，2026年第一季度或逼近480美元 [3] - 2025年第四季度NAND晶圆价格环比暴涨约95%至100% [5] - NAND闪存的供应短缺与价格上涨态势预计延续至2026年，但价格上涨节奏可能放缓 [6] 产能与供应状况 - 铠侠与长江存储的新NAND产能预计要到2026年第二季度才有可能实现可观产量贡献 [5] - 华邦电子计划将其高雄工厂的月产能从约1.4万片晶圆提升至2.4万至2.5万片 [2] - 内存制造商暂停公开报价并持续上调产品价格，导致非AI与消费级市场面临采购成本攀升与货源紧缺 [4] - 内存模组厂商采取限量出货策略，优先保障战略客户，原材料成本攀升挤压其利润率 [7] 技术趋势与产品需求 - 市场对128GB及更大容量DDR5内存模组，以及采用LPDDR5X规格的SOCAMM2内存配置的需求将占据更大DRAM产能份额 [4] - HBM4的生产会消耗更多晶圆且涉及更复杂的良率管控，加剧结构性供应压力 [4] - 北美云服务运营商对128TB至256TB大容量SSD的需求促使厂商从TLC NAND转向QLC技术 [5] 产业链厂商策略与市场格局 - 南亚科技巩固了其全球最大DDR4供应商的地位 [2] - 威刚科技预计2026年内存模组市场的两极分化态势将加剧，部分厂商能获得稳定芯片供应，另一些则持续面临短缺 [7] - 群联电子已在行业淡季锁定部分2026年芯片供应，但无法满足市场需求，计划缩减零售市场出货量，集中资源投向企业级客户 [7] - 定价权预计将牢牢掌握在内存芯片制造商手中 [8]

文章核心观点 AI热潮引发了产业链结构性重构，作为基础设施的存储行业因需求激增而出现集体暴涨，其背后的核心逻辑是AI发展重心从训练转向推理，导致对存储容量和速度的需求远超传统服务器，并因供需缺口巨大、产能受限及HBM挤占等因素，预计此轮涨价周期将至少持续到2026年底，这为投资者揭示了关注技术浪潮中“卖铲子”的基础设施环节的投资机会 [1][2][25] AI驱动存储需求激增 - AI服务器对存储的需求是传统服务器的5到10倍 [4] - 单台AI服务器的内存配置可达1.7T，而传统服务器仅为0.5T [5] - 2025年开始，80%以上的AI算力转向推理，推理场景需要实时调用海量数据，对存储读写速度要求极高 [7][8] - 企业级SSD交付周期从几周延长至几个月，机械硬盘交付期甚至延长到2年以上，导致昂贵的GPU因存储短缺而闲置 [8][9] - 云服务商（谷歌、亚马逊、微软）2025年在数据中心存储上的投入超过1.2万亿美元 [9] 存储行业迎来超长涨价周期 - 存储行业是典型的周期性行业，但AI将此轮周期直接拉长 [13] - 行业共识认为此轮涨价周期至少持续到2026年底，甚至可能延续到2027年 [12][14] - 供需缺口巨大：TrendForce预测2026年DRAM需求同比增长26%，但供应仅增长20% [14] - 企业级SSD价格在2025年Q4已上涨超过20%，部分型号涨幅达30%-40% [15] - 头部厂商（如三星、SK海力士）因前几年亏损而保持产能克制，有意维持供需平衡以延长涨价 [15] - 高端HBM（高带宽内存）产能被AI训练抢占（如OpenAI锁定了全球40%的DRAM晶圆供应），进一步加剧了中端企业级SSD和传统DRAM的供应紧张 [16][17] 对普通投资者的启示 - **关注“卖铲子”的机会**：技术浪潮中最赚钱的往往是提供基础设施的环节，如存储、电力、散热，而非最前端的明星公司 [19] - **看懂技术的“瓶颈转移”**：AI发展的瓶颈从算力（GPU）转移到电力，再转移到存储，每个新瓶颈都催生新的投资机会 [19] - **警惕“过热”信号**：存储板块涨幅（如闪迪一年涨559%）已显过热迹象，2026年下半年需谨慎；同时需关注技术路径变化（如端侧AI、高效数据压缩算法）可能减缓存储需求增速 [20] AI行业面临的整体困局与机会 - **电力困局**：Gartner预测到2027年，40%的AI数据中心将因电力短缺受限，大型数据中心耗电量堪比小城市 [22] - **成本困局**：摩根士丹利估算，美国大型科技公司AI基础设施投入将从2025年的4700亿美元飙升至2026年的6200亿美元，但商业模式和盈利前景尚不清晰 [22] - **数据瓶颈**：按当前消耗速度，高质量AI训练数据可能在2027年左右耗尽，将推高数据获取或合成数据的成本 [22] - 这些困局可能成为AI发展的“刹车”，但同时也构成了新的投资和创业机会 [23]

2026年全球内存市场核心观点 - 由于人工智能基础设施投入持续高企，内存供应增长无法跟上需求扩张，预计2026年全年全球内存市场将持续供不应求，推动产品价格走高 [1] - 人工智能服务器占据行业产能比例不断攀升，供应商将产能向利润率更高的产品倾斜，加剧了供需失衡 [1] 市场供需缺口分析 - 2026年DRAM位元供应量增幅预计为15%至20%，而需求增速预计更快，达到20%至25% [1] - 2026年NAND闪存位元供应量增幅预计为13%至18%，而需求增幅预计达到18%至23% [1] - 在云平台加大AI投入驱动下，2026年服务器领域的DRAM和NAND闪存消耗量预计将同比激增40%至50% [2] DRAM市场结构性变化 - 头部供应商加速淘汰DDR4产线，将晶圆产能分配给更新型、利润率更高的产品 [3] - 到2026年下半年，三星电子和SK海力士的DDR4晶圆开工占比预计将降至个位数低位，导致DDR4市场供应大幅缩减 [3] - 2026年DDR4的供应量预计将持续比需求量短缺约10%，支撑其价格在至少2026年下半年之前保持高位运行 [3] - 高带宽内存（HBM）在高端产能中占比提升，进一步挤压标准DDR5的产能空间 [4] - 不含HBM在内，传统DRAM产品价格在2025年第四季度上涨了近50%甚至更高，涨价势头预计延续至2026年上半年 [4] 产品价格走势 - DDR4与DDR5的现货价差在2025年第四季度进一步拉大 [3] - 三星64GB DDR5 RDIMM内存合约价从2025年第三季度的约265美元，上涨至第四季度的约450美元，到2026年第一季度或将逼近480美元 [4] - 2025年第四季度NAND晶圆价格环比暴涨约95%至100% [7] - NAND闪存的供应短缺与价格上涨态势预计延续至2026年，但价格上涨节奏可能放缓 [7] NAND闪存市场动态 - 尽管有新生产基地在建，但新产能要到2026年第二季度才可能实现可观产量贡献，短期内难以实质性影响供应格局 [6] - 人工智能推理业务资本投入规模已超过训练业务，推动企业级固态硬盘（SSD）需求快速攀升 [7] - 北美云服务运营商对128TB至256TB大容量固态硬盘需求旺盛，促使厂商从TLC技术转向QLC技术 [7] 产业链厂商策略与影响 - 中国台湾地区供应商南亚科技巩固了其全球最大DDR4供应商的地位 [3] - 华邦电子计划将其高雄工厂的月产能从约1.4万片晶圆，提升至2.4万至2.5万片 [3] - SK海力士、美光科技以及三星电子的HBM3E产能已基本被预订一空，SK海力士的HBM4产品已通过客户验证 [4] - 内存模组厂商采取限量出货策略，优先保障战略客户，原材料成本攀升挤压利润率 [8] - 主控芯片制造商群联电子预计内存市场供需失衡将持续数年，计划缩减零售市场出货量，将资源集中投向企业级客户 [8] 未来需求趋势 - 市场对128GB及更大容量DDR5内存模组，以及采用LPDDR5X规格的SOCAMM2内存配置的需求，预计将占据DRAM产能更大份额 [5] - HBM4的生产会消耗更多晶圆且良率管控更复杂，将加剧内存市场的结构性供应压力 [5] - 云人工智能业务将成为2026年市场核心增长驱动力，人工智能推理与边缘计算应用加速落地将利好相关产品线厂商 [8]