帮主这就把筛选好的核心标的和实操要点说透，全是中长线能落地的干货，不搞虚头巴脑的推荐，每只标的都对应明确产业逻辑： 一、AI硬科技方向（核心逻辑：产业趋势+业绩兑现，盯上游硬需求） 1. 兆易创新（HBM+存储龙头） • 核心逻辑：布局HBM（AI芯片超级内存）产业链，与国内算力芯片企业深度合作，受益于HBM涨价潮；存储芯片行业触底回升，AI服务器存储需求爆发 带动营收增长，当前估值处于合理区间。 • 关注节点：HBM产品量产进度、存储芯片价格走势、季度营收及毛利率增速。 2. 中际旭创（算力光模块龙头） • 核心逻辑：全球800G/1.6T光模块出货量稳居前列，AI算力中心建设离不开光模块升级，海外大客户订单饱满；1.6T光模块进入量产爬坡期，未来业绩增长 确定性强。 • 关注节点：英伟达等算力厂商扩产节奏、公司季度出货量数据、1.6T产品毛利率。 3. 阳光电源（储能+电力设备龙头） 二、出口受益方向（核心逻辑：经贸回暖+关税缓解，盯海外业绩弹性） 1. 美的集团（家电出口龙头） • 核心逻辑：海外营收占比超40%，东南亚、欧洲工厂布局完善，直接受益于中美关税调整；白电、小家电海外份额持续提升，美元汇率稳 ...

HBM是高带宽内存（High Bandwidth Memory）的英文缩写，在AI大模型浪潮推动下，数据中心对高容 量、低功耗存储芯片的需求激增，高带宽内存可满足AI计算、服务器等场景中"海量数据实时流转"的需 求，已成为当前人工智能算力竞赛中的核心硬件之一。 11月6日上午，截至发稿，电子板块领涨两市！布局电子板块核心资产的电子ETF（515260）场内涨幅 一度上探3.15%，现涨2.55%，盘中收复5日、20日均线。 技术分析人士指出，5日均线好比车速，代表短期动能，20日均线好比方向，代表中期趋势。同时收复 这两根线，就像汽车在拐弯后不仅加速，而且回到了正确的航向上，或可以理解为短期动能驱动，试图 扭转中期趋势的积极信号。 | 序号 | 名称 | 液洗幅 * | 两日暦 | 申万一级行业 | 申万二级行业 | 申万三级行业 | 总市值 | 成交额 | | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | | 1 | 海光信息 | 8.63% | ----------- | 电子 | 半导体 | 数字芯片设计 | 56054Z | 73.35亿 ...

这两个月，存储市场正经历一场罕见的供需失衡。 伴随着云巨头持续扩大资本支出，人工智能需求进一步挤压供应，最终导致内存短缺问题不断加剧，三 星率先于10月暂停DDR5 DRAM合约定价，最终引发了内存疯狂暴涨。 而更引人关注的是，NAND闪存也在这轮涨价潮中扮演了重要角色。报告指出，9月以来，512Gb TLC 晶圆价格稳步攀升，10月下旬已达5美元，1Tb TLC/QLC晶圆价格触及6.5至7.2美元区间。传统上被视 为廉价大容量存储的NAND，迎来了自己的高光时刻。 而NAND涨价的核心，除了库存见底之外，也指向了一个新兴技术概念——高带宽闪存(HBF，High- Bandwidth Flash)。如果说HBM让DRAM从配角跃升为AI时代的核心资产，那么HBF可能正在为NAND 开启同样的"封神之路"。 HBF：从概念到产业共识 今年上半年，闪迪在投资者日上介绍了高带宽闪存概念，这是一种NAND版本的高带宽内存技术。通过 将16层NAND堆栈通过逻辑芯片连接到中介层，再以多通道高带宽方式连接到GPU或其他处理器。 群雄并起：四大阵营的技术路径 SK海力士：生态联盟的先行者 SK海力士在2025年OCP全球 ...

（文/观察者网 吕栋 编辑/张广凯） 高带宽内存（HBM）的价格又要大涨了。 当地时间11月5日，熟悉韩国存储巨头SK海力士的人士确认，该公司明年向英伟达供应的HBM4单价约 为560美元（约合人民币3991元），比目前供应的HBM3E（约合370美元）价格高出50%以上。 高端的HBM这么贵，并且中国还遭受出口管制，有没有办法减轻对这种产品的依赖？ 华为刚开源的技术或许能成为其中一个解决之道。11月5日，华为宣布针对AI推理加速的关键技术—— UCM（Unified Cache Manager）推理记忆数据管理正式开源。 图源：华为数据存储 配合UCM技术，华为今年8月曾经推出多款高性能AI SSD。比如，Huawei OceanDisk EX 560的随机写 性能最高可达1500K IOPS，适用于AI一体机训练场景；Huawei OceanDisk LC 560最大单盘物理容量 245TB，读带宽可达14.7GB/s，适用于集群训练场景等。 这种技术的关键之处在于，可以根据记忆热度，在不同存储介质中分级缓存数据。比如在HBM中存 储"实时记忆数据"，在DRAM中存储"短期记忆数据"，在SSD中存储"长期 ...

华创证券发布研报称，近期存储价格全面上涨，除DDR4供给收缩逻辑以外，主要系数据中心建置动能 回暖，且AI服务器大幅提升存储要求，驱动新一轮创新大周期，从而大幅提高存储需求。随着数据中 心建设以及服务器单柜存储配置提升，该行对25Q4及26年存储价格预期乐观。 (2)NANDFlash：供给优化&企业级需求攀升，价格强势上涨。受人工智能应用以及数据中心、客户端和 移动领域日益增长的存储需求的推动，闪迪于25年9月宣布对所有渠道和消费者客户的产品价格调涨 10%以上。25年9月以来，在原厂控货+涨价双重驱动下，现货Flash Wafer价格强势上涨，截至2025年10 月29日，TLC闪存256Gb/512Gb/1Tb价格相比25年9月2日价格涨幅16.7%/61.3%/27.0%。由于颗粒端价格 持续拉升，SSD成品9月起同步跟涨。据Trendforce预测，由于供给优化&企业级SSD需求攀升，预计 25Q4NAND合约价有望全面上涨，平均涨幅达5-10%。 AI服务器大幅提升存储要求，驱动新一轮创新大周期 全球数据中心基础设施扩建浪潮升温，其中存储器为数据存储直接载体，大模型迭代下容量&性能同步 进阶，近年 ...

国信证券指出，TrendForce预计4Q25一般型DRAM价格环增18%-23%，含HBM的整体DRAM价格环增23%-28%，预计涨幅较前次明显上调；预计4Q25 NAND Flash平均价环增5%-10%，存储进入持续涨价阶段，叠加手机、服务器市场打开国产化空间，我们认为国产存储厂商有望迎来量价齐升机遇期。 机构指出，坚定看好本轮存储上升周期没有变化，Q4存储涨价或超预期。本轮周期的重要变量是AI，是需求端爆发驱动的大周期！25年以来多模态模型和 AI应用的落地，亦还是用户数量和tokens的指数级增长，AI技术和产品底层的变革拉动了eSSD、HBM等AI存储需求开始集中爆发，下游CSP客户开始给出 未来需求的高指引，往后展望看好存储需求与tokens、推理、模型、应用数量等因素呈现正相关。同时因26年DRAM及NAND产能扩产有限，看好存储周期 至少延续到26年下半年。 截至2025年11月6日 09:39，上证科创板芯片指数强势上涨2.21%，成分股源杰科技上涨14.37%，盛科通信上涨4.34%，海光信息上涨3.92%，峰岹科技，佰维 存储等个股跟涨。科创芯片ETF博时(588990)上涨2.04 ...

现象：华强北存储产品价格已翻倍 一场剧烈的价格风暴，正在深圳华强北上演！其风头之盛，已盖过金价飙升时的深圳水贝市场。 近段时间，国产手机厂商的旗舰新品迎来一波集体涨价。OPPO Find X9、真我GT8系列、vivo X300等 手机新品的售价均较上一代有所上调，以"价格屠夫"著称的红米K90全系列更是比上一代涨价100至400 元不等。 对于这波集体涨价，厂商们不约而同地将原因指向了一个共同的源头——存储芯片。 深圳华强北被誉为中国电子市场的"晴雨表"，在这里，包括DDR4（第四代双倍数据率同步动态随机存 取存储器）和SSD（固态硬盘）在内的存储产品价格已出现翻倍的情况，甚至"一天一价"。存储芯片走 出的逆势狂飙曲线也被网友调侃为"年度最佳理财产品""暴涨快过黄金"。 华强北市场里的商户 每经记者 王晶 摄 存储芯片本轮涨价是受哪些因素驱动？行业为何具有如此显著的周期性特性，剧烈波动的价格为何让企 业赚得盆满钵满与亏得一塌糊涂的情形交替上演？《每日经济新闻》记者（以下简称每经记者）对此展 开了调查。 "存储产品都在涨。"当每经记者走进深圳华强北，时不时都能听到这样的说法。现货市场价格的剧烈波 动，传递着供 ...

2025.11. 05 本文字数：2467，阅读时长大约4分钟 作者 | 第一财经 李娜 内存走出"黄金"行情，但成本飙升的压力却着实落在了手机厂商身上。 近日，多家手机厂商相关负责人发声，称上游元器件成本激增，尤其是存储的涨价波动尤其突出，甚 至有厂商直呼，"看到明年成本预估，有些惊悚。" 11月5日，群智咨询（Sigmaintell）半导体分析师王旭东对第一财经记者表示，存储器件成本约占 手机硬件成本的10%-20%，这一波存储涨价已经导致中高端机型普遍涨价100-500元，而部分不 同内存产品的手机差价达到了3000元到4000元。 "以LPDDR4X（4GB）为例，2025年第三季度环比涨幅达到30.4%，其他DRAM产品在2025年第 三季度也有不同程度的上涨，环比涨幅在20%以上。"王旭东表示，部分手机机型若不进行调价则面 临亏损风险。 存涨价潮来袭 对此，一些手机厂商负责人也在近期正面回应了存储涨价带来的影响。 iQOO产品副总裁罗锋表示，屏幕和存储的涨价，不但影响到新品在首发期的价格，也会影响到其全 生命周期的销售和备货节奏。"这是行业共性的问题，我们确实很难去把控价格趋势。" 真我realm ...

存储器件成本约占手机硬件成本的10%-20%。 内存走出"黄金"行情，但成本飙升的压力却着实落在了手机厂商身上。 近日，多家手机厂商相关负责人发声，称上游元器件成本激增，尤其是存储的涨价波动尤其突出，甚至有厂商直呼，"看到明年成本预估，有些惊悚。" 11月5日，群智咨询（Sigmaintell）半导体分析师王旭东对第一财经记者表示，存储器件成本约占手机硬件成本的10%-20%，这一波存储涨价已经导致中高 端机型普遍涨价100-500元，而部分不同内存产品的手机差价达到了3000元到4000元。 "以LPDDR4X（4GB）为例，2025年第三季度环比涨幅达到30.4%，其他DRAM产品在2025年第三季度也有不同程度的上涨，环比涨幅在20%以上。"王旭东 表示，部分手机机型若不进行调价则面临亏损风险。 内存涨价潮来袭 LPDDR是手机中常用的器件，主要用于临时存储手机运行时产生的各类数据，包括系统程序、视频缓存等。从今年的终端市场定价来看，不同内存规格下 的手机价差在明显加大。 "存储厂基于利润最大化的战略考量，将生产资源与研发重心向具有更高利润空间的HBM和SSD产品转移，导致LPDDR4X/5X，以及UF ...

Accessible version Global Memory Tech Weekly theme: Samsung vs Hynix, 4Q ASP hike, muted Hanmi's TCB and LGE's 4Q OP Price Objective Change What we learned from Samsung/Hynix 3Q earnings calls We conclude that SK Hynix's near-term earnings momentum will likely be stronger than that for Samsung Electronics (SEC). Three reasons: (1) Hynix confirmed HBM4 mass production and 2026 annual contracts vs SEC's sampling stage; (2) Hynix reported larger amount of 3Q memory OP (W11tn+; DRAM OPM: 60%, according to our a ...