3D DRAM技术开发进展 - 三星电子和SK海力士加速开发下一代3D DRAM，计划年底前完成垂直结构"4F² DRAM"早期原型测试[1] - 4F²架构采用垂直堆叠方法，相比传统6F²平面架构减少两条线(位线和字线各减一条)，晶体管垂直放置以提升密度[1] - 该设计预计提升性能、数据传输速率和能效，被定位为向成熟3D DRAM过渡的技术[1] 技术路线差异 - 三星和SK海力士采取渐进路线，先验证4F² DRAM商业可行性再进军3D DRAM领域[2] - 美光科技选择跳过4F²阶段直接开发3D DRAM，形成技术路线差异[2] 行业转型背景 - 平面DRAM微缩面临技术瓶颈，10纳米以下工艺导致复杂度与成本激增[5] - 目前最先进为第六代(1c)DRAM，三星第七代(1d)后拟推出4F²，SK海力士可能在下一代产品采用[5] - 垂直结构DRAM有望三年内量产，性能预计比现有型号提升近50%[5] 产业链协同准备 - 芯片制造商正与设备商(如应用材料公司)合作开发4F²专用制造工艺[6] - 需同步建立可扩展的制造基础设施，涉及工艺、材料、设备全面升级[6] - 学术界认为垂直架构是突破平面DRAM物理极限的唯一可行路径[6]