技术突破 - 九峰山实验室成功开发6英寸磷化铟基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺 关键性能指标达到国际领先水平 [1] - 突破大尺寸外延均匀性控制难题 为6英寸磷化铟光芯片规模化制备奠定基础 [1] - 实现从核心装备到关键材料的国产化协同应用 系国内首次在大尺寸磷化铟材料制备领域达成该成就 [1] 产业影响 - 磷化铟材料是光通信和量子计算领域的核心材料 其产业化长期受限于大尺寸制备技术瓶颈 [1] - 业界主流停留在3英寸工艺阶段 高昂成本无法满足下游产业爆发式增长需求 [1] - 联合国内供应链实现全链路突破 对促进中国化合物半导体产业链协同发展产生重要影响 [1] 供应链合作 - 6英寸磷化铟衬底合作方云南鑫耀已突破6英寸高品质磷化铟单晶片产业化关键技术 量产在即 [1] - 云南鑫耀为云南锗业子公司 主营半导体材料研发生产 [1]