8英寸导电型SiC衬底

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天科合达:8英寸SiC衬底和外延技术进展
行家说三代半· 2025-05-09 18:25
电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会 - 大会将于5月15日在上海召开 聚焦碳化硅技术产业化进程中的核心挑战与创新突破 设置数字能源SiC技术应用研讨会和电动交通SiC技术应用研讨会两大主题 并开设碳化硅与数字能源解决方案专题展区 [3][4] - 会议邀请三菱电机 意法半导体 Wolfspeed 三安半导体 天科合达等20余家行业领军企业及机构参与 共论产业发展 [2][5] 天科合达技术进展 - 公司CTO刘春俊将带来《8英寸SiC衬底和外延技术进展》主题报告 分享碳化硅材料领域的产业化突破与技术前瞻 [3] - 2024年实现8英寸导电型衬底及外延小规模量产 衬底厚度优化至350μm 同步启动12英寸导电型衬底研发 [4] - 通过自主生长装备与工艺创新 攻克多型体缺陷 位错集群等行业难题 8英寸导电型外延参数指标领先 保障车规级器件可靠性 [4] 行业动态 - 三安半导体将分享顶部散热封装在SiC功率半导体中的应用 [6] - 行业媒体"行家说三代半"专注第三代半导体(碳化硅和氮化镓)行业观察 [5]