台积电1.4纳米（A14）制程进展与投资分析 核心观点 台积电1.4纳米（A14）制程技术研发与建厂进度全面加速，中科二期园区四座新厂将自2025年下半年起陆续量产，A14工艺良率与性能表现远超同期N2工艺，预计2028年量产，并规划后续A13与A12工艺，持续巩固其在先进制程领域的领导地位 中科二期园区建厂进度与产能规划 - 台积电中科二期园区先进制程新厂于2024年10月动工，规划兴建四座1.4纳米厂，近2000名工人日夜赶工 [2] - 第一座P1厂已完成钢构结构体，正进行楼板与外墙施工，预计2025年4月试机，下半年有望量产，较原订2028年量产进度超前 [2] - 第二座P2厂已展开基地混凝土浇灌等基础厂房建设，预计2025年10月完工，两座1.4纳米厂房有望提前在2025年陆续量产 [2] - 第三座P3厂已取得建照，预计2028年第二季完工 [3] - 第四期P4厂正申请建照中，预计2028年第四季完工 [3] - 四座新厂计划均以半年落差建置 [3] - P1厂首批将有5400余名营运及外包人员进驻 [2] - P2厂完工后将再增加1000名营运人员进驻 [3] - 整个二期四座新厂全数完工投产，预计总员工数在9000至1万人 [3] - 根据筹备简报，年营业额估为5000亿元，但以目前制程成本与市场需求，5000亿元可能被低估 [3] A14制程技术性能与优势 - A14是台积电下一世代先进逻辑制程技术，透过尺寸微缩实现全制程节点的效能、功耗及面积进步 [3] - A14基于公司第二代GAAFET纳米片晶体管和新的标准单元架构 [9] - 与N2工艺相比，A14在相同功耗下速度提升达10-15% [4][9] - 在相同速度下功耗降低25-30% [4][9] - 逻辑密度增加超过20% [4][9] - 晶体管密度（分别针对混合芯片设计和逻辑电路）提高20%至23% [9] - 台积电将TSMC NanoFlex标准单元架构升级为NanoFlex Pro，实现更高性能、更高能效和更灵活设计 [9] - A14旨在通过提供更快的计算速度和更高能效推动人工智能转型 [7] - A14有望通过提升智能手机内置人工智能能力，使其更加智能 [7] - A14预计于2028年开始量产 [5][9] A14研发进展与良率表现 - A14制程技术开发进展顺利，良率表现优于预期进度 [3] - 2025年4月，该生产节点晶体管性能已达到目标值85%以上，256Mb SRAM良率超过80% [10] - 2025年7月，器件性能接近90%，256Mb SRAM良率也接近90% [10][11] - 三个月内器件性能提升约5%，SRAM良率提升近10% [10] - 作为对比，N2工艺在2023年4月256Mb SRAM测试芯片实现超过80%目标器件性能和50%以上良率 [10] - 到2024年4月，N2工艺性能已达到目标器件90%以上，SRAM良率超过80% [10] - A14工艺成熟速度远超N2工艺在类似发展阶段表现 [10][11] - A14工艺快速发展部分归功于台积电在环栅纳米片晶体管方面日益丰富的经验 [11] - A14采用第二代GAA器件，可受益于N2工艺研发和量产过程中积累的晶体管设计改进、工艺优化和制造经验 [11] - 距离预期量产开始还有约2.5年时间，A14进展有望使台积电提前开始大规模量产，或以高于以往的功能和参数良率启动量产 [11] A13与A12后续工艺规划 - A13技术为A14家族的延伸，较A14更为升级 [5] - A13透过创新的97%光学微缩，实现了6%的晶粒面积缩减 [5] - A13藉由持续的设计与技术协同优化，进一步提升效能与功耗效率 [5] - A13设计规则与A14完全向后兼容，以确保硅智财顺利移转 [5] - A13预计于2029年开始量产 [5] - A12是公司第二代创新型背面电源轨解决方案使用者，集成尖端纳米片晶体管 [12] - A12背面供电轨解决方案显著降低IR压降，将所有正面金属层专门用于信号布线，提高逻辑密度 [12] - A12实现前所未有的电源效率和逻辑密度，成为高功耗AI加速器理想之选 [12] - A12是AI/HPC应用的最佳解决方案 [12]