投资评级与核心观点 - 报告未明确给出投资评级 [1][2] - 报告核心观点：公司FY26Q1营收创历史新高，AI驱动行业景气延续，核心工艺技术强化其在行业中的领先地位 [2] 公司业绩情况 - CY25Q3实现营收53.24亿美元，环比增长2.95%，同比增长27.74%，高于业绩指引中值（52±3亿美元）及市场一致预期（52.32亿美元），营收创历史新高 [2][3][13] - CY25Q3 Non-GAAP毛利率为50.6%，环比提升0.3个百分点，同比提升2.4个百分点，接近前期指引上沿（50±1%）；营业利润率达35%，创历史新高 [2][3][10] - CY25Q3资本支出达1.85亿美元，环比增加约1300万美元，主要用于美国实验室及亚洲制造基地扩建 [11] - 截至CY25Q3末，公司全职员工约1.94万人，较上季度增加约400人，新增人员集中在研发与现场支持团队 [15] 公司营收结构 - **按业务部门划分**：设备部门中，存储业务占系统收入34%（上季度41%），其中DRAM占比16%（上季度14%），NVM占比18%（上季度27%）；代工业务占比60%（上季度52%），连续第三个季度创纪录增长；逻辑及其他部门占比6%（上季度7%）[3][15][17] - **客户支持业务（CSBG）**：CY25Q3收入约18亿美元，环比同比均小幅增长，备件与服务收入创新高 [3][16][18] - **按地区划分**：中国大陆市场占总收入43%（上季度35%），本土客户增长是主因；台湾地区占比19%，环比持平；韩国占比15%（上季度22%）[4][19] 行业需求解读 - 受美国"50%关联方规则"影响，预计下季度对华出货受限将减少营收约2亿美元，2026年全年影响约6亿美元，中国大陆收入占比将降至30%以下 [4][22] - 全球AI基建推动晶圆制造设备（WFE）需求高企，预计2025年市场规模略超1050亿美元，2026年维持高位 [4][22] - 每新增1000亿美元数据中心资本开支，将带动约80亿美元半导体设备投资，AI驱动先进逻辑、DRAM与NAND需求，HBM、高密度eSSD及先进封装是关键驱动力 [5][23][38] - NAND升级进入加速阶段，未来数年升级投资规模预计约400亿美元 [5][17][24] 公司技术进展 - 原子层沉积（ALD）技术在NAND龙头客户赢得高深宽比介质沉积关键应用，Halo Moly ALD工具被领先客户连续三代节点采用 [26] - Aether干式EUV抗蚀剂技术可实现<15nm图形尺寸，曝光剂量降低逾10%，已用于HBM量产线；与JSR联合开发新一代EUV光刻材料 [27] - 单片式ALD low-K工艺实现无缺陷、低应力、厚度<5nm的Si–C结构薄膜，获多家客户采用 [28] - 先进封装领域领先，SABRE3D电镀与Syndion刻蚀设备需求旺盛，面板级封装（PLP）工具预计年底前交付全球约20家客户 [29] - 新产品Akara（高深宽比导体刻蚀）和Altus Halo（3D NAND字线沉积）在客户验证和导入方面取得积极进展 [51][54] 公司业绩指引 - 预计CY2025Q4收入为52±3亿美元，Non-GAAP毛利率为48.5%±1% [4][30] - 当前判断2026年下半年增长节奏优于上半年，全年业绩将呈现温和爬坡态势 [4][30][46] - 受出口限制影响，客户结构正常化将对毛利形成压力，税率将小幅上升 [30][45] 问答部分关键信息 - AI数据中心投资计划处于早期阶段，当前设备需求主要来自企业级SSD及NAND升级 [33] - 公司对长期持续跑赢WFE增速保持高信心，因刻蚀与沉积是半导体结构向3D化、高深宽比演进的核心工艺 [34] - 12月季度指引上调主要受WFE整体强于预期带动，尤其是HBM与DRAM投资超出预期 [35] - 2026年中国大陆以外跨国客户扩产势头强劲，将抵消中国大陆市场下行影响 [37][48] - 在AI数据中心投资对应的80亿美元WFE市场中，超过一半支出来自存储领域（企业级SSD与HBM）[38][58] - NAND升级与扩产将并行进行，但短期内升级仍是主流路径 [39][43][59]