三星Z-NAND技术复兴与性能目标 - 三星正将其Z-NAND存储技术重新推向市场，并瞄准极高的性能目标[1] - 下一代Z-NAND的性能目标最高可提升至传统NAND闪存的15倍[1] - 同时，新一代Z-NAND的功耗相比传统NAND闪存预计降低多达80%[1] 新一代Z-NAND的技术特性与优化方向 - 新一代Z-NAND被特别优化用于AI应用，尤其是AI GPU，并着重减少延迟[1] - 三星引入了一项名为“GPU发起的直接存储访问”（GIDS）的新技术，并集成进下一代Z-NAND中[1] - 借助GIDS技术，GPU能够绕过CPU和DRAM，直接访问Z-NAND存储设备，从而显著降低访问时间和系统延迟[1] Z-NAND的技术背景与历史定位 - Z-NAND最早于2010年代中后期问世，是三星对英特尔3D XPoint Optane存储的替代方案[2] - 该技术创造了一个介于传统SSD与DRAM之间的新存储层级，延迟更低、性能更好，接近DRAM水准[2] - 第一代Z-NAND本质上是“加速版”的SLC NAND SSD，基于经过改进的V-NAND设计（48层结构，SLC模式运行）[2] - 其关键升级之一是大幅缩小了页大小，可低至2-KB，而普通SSD的页大小通常在8-KB之间[2] Z-NAND的性能对比与市场前景 - 采用英特尔Optane或三星Z-NAND的硬盘，速度大约是同期传统SSD的6到10倍[2] - 若新一代Z-NAND实现目标，其性能将比当今NVMe SSD快15倍[2] - 尽管传统SSD也在不断加速且成本是Z-NAND的挑战，但在AI硬件需求高涨的背景下，三星不愁找不到客户[2]