文章核心观点 - 纳微半导体获吉利子公司VREMT颁发的“杰出技术合作奖”，其氮化镓和碳化硅解决方案助力电动汽车行业发展 [1][5] 获奖情况 - 纳微半导体获吉利子公司VREMT颁发的“杰出技术合作奖” [1] 合作成果 - 纳微与VREMT开设联合研发实验室，用GaNFast功率集成电路和GeneSiC功率MOSFET加速电动汽车动力系统开发，推动技术突破和高压电动汽车系统快速部署 [2] 产品进展 - 纳微推出行业首个采用HV - T2PaK顶侧冷却封装的汽车级“AEC - Plus”合格碳化硅MOSFET，满足严苛应用系统寿命要求，最新一代产品爬电距离达6.45毫米，符合高达1200V应用的IEC标准 [3] - 2025年4月推出达到AEC - Q100和AEC - Q101认证的汽车级GaNSafe™集成电路，集成多种功能，具备高可靠性和安全性 [4] 公司表态 - 纳微亚太区高级副总裁兼总经理表示该奖项证明公司技术领先及对电动汽车行业的承诺，其氮化镓和碳化硅解决方案可赋能极氪、沃尔沃和smart等车企，公司将继续推动创新与合作 [5] 公司介绍 - 纳微半导体是唯一纯业务、下一代功率半导体公司，2014年成立，庆祝功率创新10周年，拥有GaNFast™功率集成电路和GeneSiC™功率器件，专注多个市场，有超300项专利，提供20年GaNFast质保，是全球首个获碳中和认证的半导体公司 [6]

文章核心观点 Navitas Semiconductor推出适用于超大规模AI数据中心的12kW电源供应单元参考设计，满足高功率、高密度服务器机架的OCP要求，能为客户提供高效、简单且经济的解决方案 [1][7] 产品信息 - 12kW PSU符合Open Rack v3规格和Open Compute Project指南，采用Gen - 3 Fast SiC MOSFETs、IntelliWeave™数字平台和高功率GaNSafe ICs，配置为3相交错TP - PFC和FB - LLC拓扑，确保高效能和高性能，同时减少组件数量 [2] - 3相交错图腾柱功率因数校正由Gen - 3 Fast SiC MOSFETs驱动，具有“沟槽辅助平面”技术，性能卓越，可支持更快充电的电动汽车和更强大的AI数据中心 [3] - IntelliWeave数字控制提供临界传导模式和连续传导模式的混合控制策略，相比现有连续传导模式解决方案，功率损耗降低30% [4] - 3相交错全桥LLC拓扑由4代高功率GaNSafe ICs实现，集成多种功能，可靠性和耐用性高，适用于1kW至22kW应用 [5] - PSU尺寸为790 x 73.5 x 40 mm，输入电压范围180 – 305 VAC，输出最高50 VDC，有多种保护功能，工作温度范围 - 5至45°C，保持时间≥20 ms，浪涌电流≤3倍稳态电流，通过内部风扇冷却 [6] 公司信息 - Navitas Semiconductor是唯一专注于下一代功率半导体的公司，成立于2014年，有10年功率创新历史，拥有超300项专利，提供GaNFast™功率IC和GeneSiC™功率器件，专注多个市场，是全球首家获得碳中和认证的半导体公司 [8] 相关活动 - 12kW PSU于5月21日在Navitas的“AI Tech Night”上展示，同期还有台湾电脑展 [7]

公司动态 - 公司将于2025年5月21日在台北举办"AI Tech Night"活动，展示其最新AI数据中心电源技术[1][5] - 公司将发布下一代OCP数据中心电源供应单元(PSU)参考设计，该设计具有全球最高的功率密度、性能和效率[1] - 公司推出了世界首款采用GaN和SiC技术的8.5kW AI数据中心电源，效率达98%，符合OCP和ORv3规范[3] - 公司开发了专利数字控制技术IntelliWeave，与GaNSafe和第三代快速SiC MOSFET结合，使PFC峰值效率达99.3%，功率损耗减少30%[3] 技术突破 - 公司的GaN和SiC解决方案突破了传统架构限制，实现了更高效、高密度和可持续的数据中心发展[2] - 公司展示了世界首款量产的650V双向GaNFast功率IC和IsoFast高速隔离栅极驱动器，优化了数据中心电源设计[4] - 公司AI电源路线图从2023年开始，先后推出了2.7kW CRPS(功率密度提高2倍，能耗降低30%)、3.2kW CRPS(体积比传统硅解决方案小40%)和4.5kW CRPS(功率密度达137W/in³，效率超97%)[3] 行业趋势 - AI计算需求每三个月翻一番，单个GPU功率超过1000W，传统电源技术难以满足AI基础设施对能效和功率密度的需求[2] - AI计算能力的指数级增长对数据中心基础设施提出了严格挑战[5] - 高功率GaN和SiC技术正在改变AI数据中心基础设施，以满足AI和超大规模数据中心日益增长的电力需求[1]

文章核心观点 - 纳微半导体宣布其高功率GaNSafe和第三代“快速”SiC MOSFET使3.2kW、4.5kW和8.5kW AI数据中心电源参考设计系统效率达96.5% - 98% 加速清洁能源服务器数据中心电源采用 且新的Ruby认证标准有助于行业提升能源效率 [1] 公司情况 - 纳微半导体是唯一纯业务、下一代功率半导体公司 也是氮化镓（GaN）功率IC和碳化硅（SiC）技术行业领导者 成立于2014年 有10年功率创新历史 [1][8] - 公司GaNFast™功率IC集成氮化镓功率和驱动及控制、传感和保护功能 可实现更快充电、更高功率密度和更大节能效果 互补的GeneSiC™功率器件是优化的高功率、高压和高可靠性碳化硅解决方案 [8] - 公司聚焦市场包括AI数据中心、电动汽车、太阳能、储能、家电/工业、移动和消费领域 拥有300多项已发布或待发布专利 有行业首个也是唯一的20年GaNFast质保 是全球首家获得碳中和认证的半导体公司 [8] - 2023年8月公司推出高速高效3.2kW CRPS 尺寸比同类最佳传统硅解决方案小40% 2024年推出世界最高功率密度4.5kW CRPS 功率密度达137W/in 效率超97% 同年11月发布世界首个由GaN和SiC供电的8.5kW AI数据中心电源 效率达98% 符合开放计算项目（OCP）和开放机架v3（ORv3）规格 [6] - 公司创建了创新专利数字控制技术IntelliWeave 与高功率GaNSafe和第三代快速SiC MOSFET结合 使PFC峰值效率达99.3% 与现有解决方案相比功率损耗降低30% [6] 行业情况 - 80 PLUS认证计划评估和认证计算机及服务器内部电源的能源效率 Ruby认证是该计划管理机构CLEAResult于2025年1月宣布的 是自14年前“钛金”认证发布以来最严格的电源效率标准 [3][4] - Ruby认证在所有负载条件下要求系统效率额外提高1%（50%负载时要求提高0.5%） 以达到96.5%效率的新基准 该标准为行业提升能源效率提供清晰路径 有助于数据中心满足云存储、商业领域不断变化的需求以及应对AI计算对电网日益增加的压力 [4][5] - 每个获得Ruby认证的3.2kW CRPS185电源在3年使用寿命内可节省多达420千瓦时 相当于减少超400千克二氧化碳排放 [5] - 行业预计到明年每年将消耗1000 TWh 效率每提高一个百分点 就意味着减少10 TWh或约350万吨二氧化碳排放 [7]

AI服务器电源技术发展 - 2024年纳微推出GaNSafe™氮化镓功率芯片和第三代碳化硅MOSFETs，意法半导体推出新型硅光技术PIC100，英飞凌推出CoolSiC™ MOSFET 400V，共同提升AI服务器电源功率密度 [1] - 电源功率密度持续攀升对被动元器件提出小型化、大容量、高可靠性要求，永铭与合作伙伴深度配合开发高性能电容器解决方案 [1] 永铭与纳微的合作 - 永铭开发高压牛角型铝电解电容IDC3系列，成功应用于纳微4.5kW、8.5kW高密度AI服务器电源方案 [3] - IDC3系列通过12项技术革新，满足AI服务器电源对空间与性能的严苛需求 [7] IDC3牛角电容核心优势 - 高容量密度：同规格产品体积较国际头部同行缩减25%-36%，解决AI服务器电源空间不足问题 [8] - 耐大纹波电流：纹波电流承载值较常规产品提升20%，ESR值降低30%，温升更低，可靠性更高 [9] - 长寿命：105℃高温环境下寿命达3000小时以上，适合不间断运行的AI服务器场景 [11] IDC3电容规格与应用场景 - 适用场景：高功率密度、小型化的AI服务器电源方案 [13] - 产品认证：获得AEC-Q200认证及第三方国际机构可靠性认证 [13] 行业展望 - IDC3系列在纳微4.5kW、8.5kW AI服务器电源方案中的成功应用，验证永铭在高能量密度与小型化设计领域的技术实力 [15] - 永铭将继续深耕电容技术，为12kW乃至更高功率AI服务器电源时代提供支持 [15]