公司动态 - 公司将于2025年5月21日在台北举办"AI Tech Night"活动，展示其最新AI数据中心电源技术[1][5] - 公司将发布下一代OCP数据中心电源供应单元(PSU)参考设计，该设计具有全球最高的功率密度、性能和效率[1] - 公司推出了世界首款采用GaN和SiC技术的8.5kW AI数据中心电源，效率达98%，符合OCP和ORv3规范[3] - 公司开发了专利数字控制技术IntelliWeave，与GaNSafe和第三代快速SiC MOSFET结合，使PFC峰值效率达99.3%，功率损耗减少30%[3] 技术突破 - 公司的GaN和SiC解决方案突破了传统架构限制，实现了更高效、高密度和可持续的数据中心发展[2] - 公司展示了世界首款量产的650V双向GaNFast功率IC和IsoFast高速隔离栅极驱动器，优化了数据中心电源设计[4] - 公司AI电源路线图从2023年开始，先后推出了2.7kW CRPS(功率密度提高2倍，能耗降低30%)、3.2kW CRPS(体积比传统硅解决方案小40%)和4.5kW CRPS(功率密度达137W/in³，效率超97%)[3] 行业趋势 - AI计算需求每三个月翻一番，单个GPU功率超过1000W，传统电源技术难以满足AI基础设施对能效和功率密度的需求[2] - AI计算能力的指数级增长对数据中心基础设施提出了严格挑战[5] - 高功率GaN和SiC技术正在改变AI数据中心基础设施，以满足AI和超大规模数据中心日益增长的电力需求[1]

文章核心观点 - 纳微半导体宣布其高功率GaNSafe和第三代“快速”SiC MOSFET使3.2kW、4.5kW和8.5kW AI数据中心电源参考设计系统效率达96.5% - 98% 加速清洁能源服务器数据中心电源采用 且新的Ruby认证标准有助于行业提升能源效率 [1] 公司情况 - 纳微半导体是唯一纯业务、下一代功率半导体公司 也是氮化镓（GaN）功率IC和碳化硅（SiC）技术行业领导者 成立于2014年 有10年功率创新历史 [1][8] - 公司GaNFast™功率IC集成氮化镓功率和驱动及控制、传感和保护功能 可实现更快充电、更高功率密度和更大节能效果 互补的GeneSiC™功率器件是优化的高功率、高压和高可靠性碳化硅解决方案 [8] - 公司聚焦市场包括AI数据中心、电动汽车、太阳能、储能、家电/工业、移动和消费领域 拥有300多项已发布或待发布专利 有行业首个也是唯一的20年GaNFast质保 是全球首家获得碳中和认证的半导体公司 [8] - 2023年8月公司推出高速高效3.2kW CRPS 尺寸比同类最佳传统硅解决方案小40% 2024年推出世界最高功率密度4.5kW CRPS 功率密度达137W/in 效率超97% 同年11月发布世界首个由GaN和SiC供电的8.5kW AI数据中心电源 效率达98% 符合开放计算项目（OCP）和开放机架v3（ORv3）规格 [6] - 公司创建了创新专利数字控制技术IntelliWeave 与高功率GaNSafe和第三代快速SiC MOSFET结合 使PFC峰值效率达99.3% 与现有解决方案相比功率损耗降低30% [6] 行业情况 - 80 PLUS认证计划评估和认证计算机及服务器内部电源的能源效率 Ruby认证是该计划管理机构CLEAResult于2025年1月宣布的 是自14年前“钛金”认证发布以来最严格的电源效率标准 [3][4] - Ruby认证在所有负载条件下要求系统效率额外提高1%（50%负载时要求提高0.5%） 以达到96.5%效率的新基准 该标准为行业提升能源效率提供清晰路径 有助于数据中心满足云存储、商业领域不断变化的需求以及应对AI计算对电网日益增加的压力 [4][5] - 每个获得Ruby认证的3.2kW CRPS185电源在3年使用寿命内可节省多达420千瓦时 相当于减少超400千克二氧化碳排放 [5] - 行业预计到明年每年将消耗1000 TWh 效率每提高一个百分点 就意味着减少10 TWh或约350万吨二氧化碳排放 [7]