GeneSiC™
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Navitas to Present at the Needham Growth Conference on January 14, 2026
Globenewswire· 2026-01-07 21:30
公司近期活动 - 公司将于2026年1月14日在纽约Lotte New York Palace酒店举行的第28届Needham年度增长会议上参与活动 [2] - 公司总裁兼首席执行官Chris Allexandre计划于美国东部时间2026年1月14日下午2:15进行炉边谈话,并将在当日与参会投资者会面 [2] - 炉边谈话的直播及存档音频网络广播将在公司投资者关系网站的“活动”板块提供 [3] 公司业务与技术概况 - 公司是下一代氮化镓和碳化硅功率半导体的行业领导者,专注于氮化镓功率IC和高压碳化硅技术 [4] - 公司技术驱动着人工智能数据中心、高性能计算、能源与电网基础设施以及工业电气化等领域的创新 [4] - GaNFast™功率IC集成了氮化镓功率、驱动、控制、传感和保护功能,可提供更快的功率传输、更高的系统密度和更高的效率 [4] - GeneSiC™高压碳化硅器件利用专利的沟槽辅助平面技术,为中压电网和基础设施应用提供行业领先的电压能力、效率和可靠性 [4] 公司资质与知识产权 - 公司在宽禁带技术领域拥有超过30年的综合专业知识 [4] - 公司拥有超过300项已授权或正在申请中的专利 [4] - 公司是全球首家获得CarbonNeutral®认证的半导体公司 [4]
Navitas Hosts “AI Tech Night” to Reveal Next Generation Platform for Hyperscale Data Centers
Globenewswire· 2025-05-15 20:30
公司动态 - 公司将于2025年5月21日在台北举办"AI Tech Night"活动,展示其最新AI数据中心电源技术[1][5] - 公司将发布下一代OCP数据中心电源供应单元(PSU)参考设计,该设计具有全球最高的功率密度、性能和效率[1] - 公司推出了世界首款采用GaN和SiC技术的8.5kW AI数据中心电源,效率达98%,符合OCP和ORv3规范[3] - 公司开发了专利数字控制技术IntelliWeave,与GaNSafe和第三代快速SiC MOSFET结合,使PFC峰值效率达99.3%,功率损耗减少30%[3] 技术突破 - 公司的GaN和SiC解决方案突破了传统架构限制,实现了更高效、高密度和可持续的数据中心发展[2] - 公司展示了世界首款量产的650V双向GaNFast功率IC和IsoFast高速隔离栅极驱动器,优化了数据中心电源设计[4] - 公司AI电源路线图从2023年开始,先后推出了2.7kW CRPS(功率密度提高2倍,能耗降低30%)、3.2kW CRPS(体积比传统硅解决方案小40%)和4.5kW CRPS(功率密度达137W/in³,效率超97%)[3] 行业趋势 - AI计算需求每三个月翻一番,单个GPU功率超过1000W,传统电源技术难以满足AI基础设施对能效和功率密度的需求[2] - AI计算能力的指数级增长对数据中心基础设施提出了严格挑战[5] - 高功率GaN和SiC技术正在改变AI数据中心基础设施,以满足AI和超大规模数据中心日益增长的电力需求[1]