文章核心观点 - 公司宣布其新一代氮化镓和碳化硅功率半导体技术取得进展，旨在支持英伟达为下一代人工智能工厂计算平台推出的800 VDC电源架构 [1] - 公司作为纯宽禁带功率半导体公司，其技术可实现从电网到GPU的每一级高效、高功率密度电源转换，以满足人工智能数据中心对功率密度、效率和可扩展性的前所未有的需求 [6] - 公司总裁兼首席执行官表示，从传统54V架构向800VDC的转变是变革性的，公司正经历由氮化镓和碳化硅技术融合驱动的根本性转型，以应对人工智能工厂的兆瓦级需求 [13] 800 VDC电源架构的优势 - 800 VDC架构支持从13.8 kVAC市电在数据中心配电室或周边直接转换为800 VDC，通过利用固态变压器和工业级整流器，消除了多个传统的AC/DC和DC/DC转换阶段 [3] - 该架构直接为IT机架供电，无需额外的AC-DC转换阶段，并通过两个高效DC-DC阶段降压，以驱动先进基础设施 [4] - 该架构的优势包括：通过减少电阻损耗和铜使用提高效率、提供可扩展的基础设施以通过高度紧凑的解决方案提供兆瓦级机架功率、与IEC的低压直流分类（≤1,500 VDC）全球对齐、以及具有高效热管理的简化配电 [9] 公司氮化镓技术进展 - 新的100V GaN FET产品组合在先进的双面冷却封装中提供卓越的效率、功率密度和热性能，专门针对GPU电源板上的低压DC-DC阶段进行了优化 [7] - 这些高效100V GaN FET通过与力积电的新战略合作伙伴关系，在200mm硅基氮化镓工艺上制造，实现了可扩展的大批量生产 [8] - 650V GaN产品组合包括新的高功率GaN FET系列以及先进的GaNSafe™功率IC，后者集成了控制、驱动、传感和内置保护功能，确保了卓越的稳健性和可靠性 [10] - GaNSafe™平台具有超快短路保护（最大350纳秒响应）、所有引脚上的2 kV ESD保护、消除了负栅极驱动以及可编程压摆率控制 [11] 公司碳化硅技术优势 - GeneSiC™专有的“沟槽辅助平面”技术提供了在温度变化下的卓越性能，为高功率、高可靠性应用提供高速、低温运行 [12] - 该技术提供业界最宽的电压范围，从650 V延伸到6,500 V，并已在多个兆瓦级储能和并网逆变器项目中实施，包括与美国能源部的合作 [12] 行业背景与市场需求 - “人工智能工厂”这类专为大规模、同步人工智能和高性能计算工作负载构建的新型数据中心，带来了传统依赖54V机架内配电的企业和云数据中心无法满足的多兆瓦级机架密度需求 [2] - 行业正迅速向兆瓦级人工智能计算平台发展，对更高效、可扩展和可靠的电力输送的需求变得至关重要 [13]

战略合作与技术创新 - 公司与BrightLoop合作开发氢燃料电池充电器 用于重型农业运输设备 采用第三代SiC MOSFET技术提升AC/DC应用性能 [1] - 与NVIDIA合作支持800V高压直流架构开发 提升AI数据中心能效5% 降低维护成本70% 采用GaNFast和GeneSiC电源技术 [2] - 与GigaDevice建立联合实验室 整合GaNFast IC与MCU产品 推动智能高效电源管理解决方案创新 [3] - 与Great Wall Power推出2.5kW超高功率密度DC-DC转换器 采用NV6169 GaNSense技术 满足AI计算需求并减少空间与碳排放 [4] 行业竞争动态 - Marvell Technology与NVIDIA合作整合NVLink Fusion技术 实现1.8TB/s双向带宽 并扩大与AWS的AI芯片供应协议 [5] - Texas Instruments与Delta Electronics合作开发EV车载充电方案 充电器体积缩小30% 效率达95% 并与LeddarTech合作开发自动驾驶平台 [6] 股价与估值表现 - 公司股价年内上涨72.3% 远超行业14.8%和标普500指数6.3%的涨幅 [7] - 公司12个月前瞻市销率达14.5倍 显著高于行业平均7.5倍 [10] 财务预期趋势 - Zacks共识预期显示 公司每股亏损在过去60天内呈恶化趋势 当前季度至明年全年亏损预估均有所上调 [12][13]