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ROHM's New SiC Power Modules Now Available for Online Purchase!
Globenewswire· 2026-03-13 05:00
公司新产品发布 - 罗姆半导体宣布开始在线销售三款新型碳化硅塑封模块:TRCDRIVE pack™、HSDIP20 和 DOT-247 [1] - 这些产品旨在推动碳化硅高效功率转换技术在更广泛的应用领域得到采用,以应对全球电力供应趋紧和节能重要性日益提升的行业背景 [1] 产品定价与销售渠道 - 新产品可通过 DigiKey 和 Farnell 等在线分销商购买 [2] - TRCDRIVE pack™ 售价为每件 650 美元(不含税) [2] - HSDIP20 售价为每件 180 美元(不含税) [2] - DOT-247 售价为每件 100 美元(不含税) [2] - 其他型号产品将陆续上市销售 [2] TRCDRIVE pack™ 产品详情 - TRCDRIVE pack™ 是一款 2 合 1 碳化硅塑封模块,适用于功率高达 300kW 的电动汽车牵引逆变器 [3] - 该模块内置了罗姆第四代低导通电阻碳化硅MOSFET,其功率密度比通用碳化硅塑封模块高 1.5 倍,处于行业领先水平 [3] - 高功率密度极大地有助于电动汽车逆变器的小型化 [3] - 其独特的端子布局允许从顶部直接推入栅极驱动板即可轻松连接,从而显著减少了安装时间 [3] - 主要应用示例为汽车设备中的电动汽车牵引逆变器 [4] HSDIP20 产品详情 - HSDIP20 是一款 4 合 1 和 6 合 1 配置的碳化硅模块 [4] - 该产品系列包含 6 款额定电压为 750V 的型号和 7 款额定电压为 1200V 的产品 [4] - 它将各种大功率应用中进行功率转换所需的基本电路集成到紧凑的模块封装中,减少了制造商的设计工作量,并实现了功率转换电路的小型化 [4] - 应用示例包括汽车设备(车载充电器、DC-DC转换器、电动压缩机)和工业设备(电动汽车充电站、V2X系统、交流伺服、服务器电源、光伏逆变器、功率调节器) [5] DOT-247 产品详情 - DOT-247 是一款 2 合 1 碳化硅模块,适用于光伏逆变器和UPS系统等工业应用 [5] - 该模块在保留被广泛采用的“TO-247”封装通用性的同时,实现了高功率密度 [5] - 它通过半桥和共源两种拓扑结构支持各种电路配置 [5] - 在采用多个分立元件的功率转换电路中使用该模块,可以减少元件数量和安装面积,有助于电路小型化并减少设计工作量 [5] - 应用示例包括汽车设备(电动取力器、燃料电池汽车升压转换器)和工业设备(光伏逆变器、不间断电源、AI服务器/数据中心、电动汽车充电站、半导体继电器、电子保险丝) [6] EcoSiC™ 品牌与技术优势 - EcoSiC™ 是一个利用碳化硅器件的品牌,其性能超越硅,在功率器件领域备受关注 [6] - 公司独立开发了从晶圆制造、生产工艺到封装和质控方法等对碳化硅发展至关重要的技术 [6] - 公司已在制造全过程建立了集成生产体系,巩固了其作为领先碳化硅供应商的地位 [6] 相关产品新闻 - TRCDRIVE pack™ 2 合 1 碳化硅塑封模块显著减小了电动汽车逆变器的尺寸 [11] - HSDIP20 高功率密度碳化硅功率模块采用紧凑的高散热设计,为车载充电器树立了新标准 [12] - DOT-247 2 合 1 碳化硅塑封模块实现了高度的设计灵活性和功率密度 [13]
ROHM Builds the Future of AI with Optimized Solutions for NVIDIA 800V Architecture
Globenewswire· 2025-06-13 01:00
文章核心观点 随着人工智能发展,数据中心基础设施需同步演进,罗姆作为功率半导体技术领导者,为英伟达新800V高压直流(HVDC)架构提供关键硅技术支持,助力更高效、可扩展和可持续的人工智能工厂建设 [1] 公司产品组合 - 公司功率器件组合涵盖硅和宽带隙技术,包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),为数据中心设计师提供战略路径 [2] - 公司硅MOSFET已广泛应用于汽车和工业领域,能平衡价格、效率和可靠性,适合人工智能基础设施发展过渡阶段 [2] 公司产品案例 - RY7P250BM是一款100V功率MOSFET,获全球主要云服务提供商认可,专为48V电源系统热插拔电路设计,可降低功率损耗、提高系统可靠性 [3] 公司产品与英伟达架构契合点 - 公司SiC器件在工业级低损耗整流方面表现出色,契合英伟达大规模部署800V HVDC数据中心架构以驱动1MW计算机架及以上的计划 [4] - 公司SiC MOSFET在高压、高功率环境中性能优越,能降低开关和传导损耗,提高效率,与英伟达800V HVDC架构要求完美契合 [5] 公司氮化镓技术进展 - 公司以EcoGaN™品牌推进氮化镓技术,在100V至650V范围内性能卓越,其专有纳米脉冲控制技术可进一步改善开关性能 [6] 公司高功率模块情况 - 公司提供一系列高功率SiC模块,如HSDIP20,适用于英伟达架构中的集中式电源系统,具备强大热性能和可扩展性 [7] 公司合作态度 - 公司致力于与英伟达等行业领导者、数据中心运营商和电源系统设计师密切合作,为下一代人工智能工厂提供基础硅技术 [8]