化合物半导体市场整体展望 - 化合物半导体在功率、射频和光子学领域具有性能优势，发展势头持续强劲 [2] - 预计衬底市场总额将从2025年的12.9亿美元增长至2031年的27.9亿美元，年复合增长率为14% [2] - 预计开放式外延片市场将从2025年的11亿美元增长至2031年的23.9亿美元，年复合增长率同样为14% [2] 功率应用领域 - 功率应用占据主导地位，n型碳化硅是主要增长动力，受电动汽车电气化、800V架构及8英寸晶圆加速普及推动 [2] - 短期内，碳化硅面临产能过剩和汽车行业增速放缓带来的价格压力 [2] - 功率氮化镓应用已从消费级快充扩展至汽车和数据中心，但其外延晶圆市场规模仍小于碳化硅 [2] 射频与光子学市场 - 射频市场保持稳定，主要由手机领域的砷化镓及电信与国防领域的氮化镓主导，短期内增长空间有限，但向6G时代迈进 [3] - 光子学市场发展势头最为强劲，主要受人工智能数据中心和带宽升级推动，加速了磷化铟的普及、6英寸平台和高速激光器的应用 [3] 显示技术 - LED技术已成熟且价值较低 [3] - MicroLED的普及将在本世纪晚些时候在更现实的预期下重新开始，首先应用于可穿戴设备和AR领域 [3] 供应链与产业模式演变 - 电力电子是增长最强劲的驱动力，得益于对功率碳化硅的大量投资及近期在功率氮化镓领域的战略举措 [6] - 碳化硅增长得益于产能扩大及晶圆尺寸从6英寸向8英寸过渡，新的中国供应商提升了成本竞争力 [6] - 功率氮化镓正朝混合型IDM和无晶圆/代工厂模式转变，IDM厂商将其视为渗透数据中心的战略性技术 [6] - 中国厂商正构建端到端的化合物半导体供应链以满足国内外需求 [7] 技术路线图与平台演进 - 行业路线图由晶圆尺寸缩小、产能建设及成本降低努力所定义 [10] - 碳化硅加速采用8英寸晶圆，新方法旨在降低成本并提高材料利用率 [10] - 氮化镓受益于与CMOS兼容的GaN-on-Si技术，推动晶圆尺寸增大以提高可扩展性和降低成本 [10] - 在射频和光子学领域，平台过渡较慢，砷化镓保持标准化，磷化铟向6英寸发展 [10] - MicroLED发展势头增强，有望在未来十年实现快速增长，衬底演进是关键推动因素 [10]