新一代内存级存储芯片NM111 - 采用全自主知识产权三维集成技术，具备64Gb超大容量、低延迟及高耐久性等核心指标，达到国际领先水平 [1] - 通过三维垂直堆叠架构与纳米级互联技术实现64Gb容量，存储密度较传统DRAM提升数倍 [1] - 支持内存语义访问和随机读写操作，读取延时低至百纳秒，带宽高达3.2Gbps [1] - 具备突破性非易失特性，可实现断电数据保护，在元数据存储等关键领域提升系统性能 [1] 产品性能与技术优势 - 耐久度较前作提升超10倍，抗干扰能力大幅增强 [3] - 采用创新架构设计，为AI大模型推理提供多维度优化方向，提升计算与存储融合效率 [3] - 赋能高性能模组，支持超大容量内存空间，为系统解决方案提供更多可能 [3] - 可广泛应用于服务器内存扩展、数据库缓存等场景 [1] 产品迭代与市场应用 - 2024年9月和2025年初分别发布64Gb的NM101和128Gb的NM102，NM111属于全新持久内存芯片系列 [3] - 将与大算力数据中心和云服务基础设施深度结合，提升存储效率 [3] - 未来将持续推出更多系列芯片产品，与上下游合作伙伴共同发掘新型存储芯片应用场景 [4] 行业影响 - 为我国构建自主可控的存储产业生态注入强劲动能 [1] - 在人工智能与大数据技术驱动存储需求指数级增长的产业变革期推出 [1] - 将携手推进新型存储器生态的蓬勃发展 [4]