文章核心观点 - 公司凭借与pSemi合作的论文获行业奖项，彰显其在射频前端创新的领先地位及技术突破 [1][2] 获奖情况 - 公司与pSemi合作的论文“A Low-Loss, Wideband, 0–110 GHz SPDT Using PCM RF Switches with Integrated CMOS Drivers”获2025年IEEE国际微波研讨会行业论文竞赛奖，于6月19日展示并获类别最佳论文奖 [1] 技术优势 - 获奖认可公司PCM RF开关是射频开关技术重大创新，能实现带宽（DC - 110 GHz）、插入损耗（<2 dB）、功率处理（30 dBm）和线性度（比RFSOI CMOS解决方案提高+15 - 20 dB）的破纪录组合，其他射频开关技术未达此成果 [2] - 公司专有的BEOL集成和集成数字控制使超低损耗宽带性能、功率处理和全CMOS集成结合，简化终端用户实施，为5G、未来6G、卫星通信、波束成形和毫米波应用实现先进电路 [2] 公司人员表态 - 公司RF业务部门副总裁兼总经理Dr. Ed Preisler称获奖强化推进下一代无线设备射频前端集成的承诺，凸显与pSemi战略伙伴关系的力量 [3] - pSemi销售和营销副总裁Rodd Novak表示与公司一同获认可，反映团队推动宽带射频开关研究和设计边界的奉献精神 [3] 公司概况 - 公司是高价值模拟半导体解决方案领先代工厂，为消费、工业、汽车、移动、基础设施、医疗、航空航天和国防等增长市场客户提供技术、开发和工艺平台 [4] - 公司专注通过长期合作和先进创新模拟技术产生积极可持续影响，拥有多种可定制工艺平台，还提供设计支持和工艺转移服务 [4] - 公司为客户提供多晶圆厂采购和扩展产能，在以色列、美国、日本有运营设施，与意法半导体共享意大利工厂，可使用英特尔新墨西哥工厂300mm产能 [4]

文章核心观点 Tower Semiconductor宣布参加2025年国际微波研讨会，展示先进RF & HPA技术平台和RF开关技术进展，其与pSemi联合开发的白皮书被提名为最佳行业论文奖，该白皮书介绍的开关技术有诸多优势并适用于多个领域 [1][2] 公司动态 - 公司宣布参加2025年6月16 - 21日在旧金山举行的国际微波研讨会，展示先进RF & HPA技术平台和RF开关技术进展 [1] - 公司将在会议技术环节展示与pSemi联合开发的白皮书，该白皮书被提名为IMS2025最佳行业论文奖 [1] - 白皮书介绍的开关利用公司在RFSOI CMOS工艺中的单片集成PCM RF开关，有超宽带性能、数字控制等特点，适用于5G、6G等应用 [2] - 白皮书演讲时间为2025年6月19日上午8:20，地点为205室，可到公司展位655与工程团队交流 [3] 公司介绍 - 公司是高价值模拟半导体解决方案领先代工厂，为消费、工业等增长市场客户提供技术、开发和工艺平台 [4] - 公司专注通过长期合作和先进创新模拟技术产生积极可持续影响，拥有多种可定制工艺平台 [4] - 公司为IDMs和无晶圆厂公司提供设计支持和工艺转移服务，拥有多个运营设施以提供多工厂采购和扩展产能 [4] 联系方式 - 公司联系人为Orit Shahar，电话+972 - 74 - 7377440，邮箱oritsha@towersemi.com [8] - 投资者关系联系人为Liat Avraham，电话+972 - 4 - 6506154，邮箱liatavra@towersemi.com [8]