PERSYST MRAM
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Everspin Launches New Generation of Unified Memory for Embedded Systems
Businesswire· 2026-03-10 15:00
公司产品发布与战略 - Everspin Technologies, Inc. (NASDAQ: MRAM) 发布了新一代统一内存产品系列UNISYST MRAM,该产品旨在从根本上改变嵌入式系统存储和访问代码与数据的方式 [1] - UNISYST MRAM是一种统一代码与数据的MRAM架构,桥接了传统配置内存和更高密度的持久存储,将MRAM技术延伸至传统NOR闪存应用领域 [1] - 该产品是公司现有PERSYST MRAM平台的自然延伸,为客户提供了从当前串行MRAM器件向更高密度统一内存迁移的实用、简单路径,无需更改系统架构或软件 [1] - 此次发布代表了公司MRAM产品组合的平台级扩展,标志着其角色从一个利基内存供应商转变为主流内存供应商,服务于一个价值数十亿美元的市场 [1] 产品规格与性能 - UNISYST系列初始提供的密度范围从128兆比特到2千兆比特,采用标准xSPI接口,最高支持八线SPI模式,频率达200MHz [1] - 产品计划具备AEC-Q100 Grade 1认证,在极端温度下保证至少10年的数据保持期 [1] - 其写入耐久性比典型NOR闪存高出高达10倍 [1] - 读取带宽高达400 MB/s,写入带宽约为90 MB/s,比NOR闪存快400倍以上 [1] - 该产品提供高带宽读写速度,支持快速启动、快速更新和可预测的性能 [1] 目标市场与应用场景 - 目标应用领域包括工业物联网、数据中心和其他数据持久性至关重要的关键任务应用 [2] - 具体目标用例包括工业与赌场游戏(高流量日志记录和配置)、汽车(需满足Grade 1温度要求和长期数据保持的控制、日志和配置内存)、军事与航空航天(如低地球轨道卫星等关键任务系统的FPGA配置和代码存储)以及边缘人工智能(快速AI权重更新、边缘关键存储、本地代码与数据存储) [1] - 产品旨在满足软件定义系统日益增长的需求,这些系统需要更快的启动时间、频繁更新以及在长运行寿命内的可预测行为 [1] 市场背景与客户需求 - 系统设计者正面临NOR闪存在物理和性能上的极限,尤其是当工艺节点移至40纳米以下且工作负载要求更高时 [1] - 随着生成式AI模型从云端迁移至嵌入式系统,需要处理大小达数十甚至数百兆字节的资产,快速更新这些模型与存储它们同样重要 [1] - UNISYST MRAM通过消除与传统闪存相关的写入瓶颈,改变了边缘AI系统的实用性 [1] 发布与上市计划 - UNISYST工程样品预计在2026年第四季度提供,后续将推出更多密度和选项 [1] - UNISYST产品线将在Embedded World 2026上正式发布 [1] - 公司近期在其高可靠性PERSYST xSPI STT-MRAM产品组合中取得持续进展,包括完成64Mb MRAM的全面量产认证并将产品系列扩展至新的256Mb密度 [2]
Everspin Expands PERSYST MRAM Family With High-Reliability Devices for Aerospace, Defense, Automotive and Industrial Applications
Businesswire· 2025-11-18 19:00
公司产品发布 - 公司宣布推出其PERSYST MRAM产品线的最新高可靠性新增产品EM064LX HR和EM128LX HR设备 [1] - 新产品专为极端操作环境设计 [1] - 新产品提供业界最稳健的耐久性、温度性能和数据保留组合 [1] 行业地位 - 公司是全球领先的持久性磁阻随机存取存储器解决方案开发商和制造商 [1]
Everspin Technologies(MRAM) - 2024 Q4 - Earnings Call Transcript
2025-02-27 13:16
财务数据和关键指标变化 - 第四季度营收1320万美元,高于预期,每股收益0.05美元,处于指引区间高端 [10] - 全年总营收5040万美元,同比下降21%,主要因产品发货量减少 [35] - 第四季度MRAM产品销售额1100万美元,低于2023年第四季度的1240万美元,但较2024年第三季度的1040万美元有所增长 [35] - 第四季度许可、版税、专利及其他收入降至220万美元,低于2023年第四季度的430万美元,因部分项目完成 [36] - 第四季度GAAP毛利率为51.3%,高于第三季度的49.2%,低于2023年第四季度的58.1%;全年GAAP毛利率为51.8%,低于2023年的58.4%,均因销量降低 [36][37] - 2024年第四季度GAAP运营费用为840万美元,高于2023年第四季度的810万美元 [37] - 2024年第四季度GAAP净利润为120万美元,即每股摊薄收益0.05美元,处于指引区间高端;全年GAAP净利润为80万美元,即每股摊薄收益0.04美元 [39] - 调整后EBITDA在2024年第四季度为320万美元,低于2023年第四季度的360万美元;2024年全年为920万美元,低于2023年的1530万美元 [40] - 截至季度末,现金及现金等价物为4210万美元,较上季度末的3960万美元增加250万美元;第四季度运营现金流为380万美元 [40] - 预计2025年第一季度总营收在1200 - 1300万美元之间,GAAP基本每股净亏损在0.10 - 0.05美元之间;非GAAP基本每股净亏损在0.05美元至盈亏平衡之间 [43] 各条业务线数据和关键指标变化 - 产品收入方面,第四季度产品收入因产品营收高于预期及RadHard项目额外提升而超预期 [10] - 许可、版税、专利及其他收入方面,第四季度该部分收入减少,因部分项目完成 [36] 各个市场数据和关键指标变化 - LEO市场预计到2029年将从约100亿美元增长至230亿美元,复合年增长率为13%,公司预计其MRAM产品将支持并参与该市场,推动PERSYST X5产品的广泛应用 [20] 公司战略和发展方向和行业竞争 - 公司认为STT - MRAM是替代或扩展256兆比特以上NOR闪存设备的最佳选择,正在设计1千兆比特STT - MRAM产品,目标是在2025年提供早期样品 [25][26] - 公司参与相关联盟以满足市场需求,部分处于前沿地位;还在调整STT - MRAM技术,使终端设备类似SRAM或DRAM [27] - 公司预计随着主要参与者开始采用STT - MRAM作为离散芯片或封装解决方案中的小芯片,该细分市场未来几年将显著增长 [29] - 公司正在展示Computer Express Link(CXL)STT - MRAM,组装512兆字节和1千兆字节的小外形双列直插式内存模块(SO - DIMM)和DIMM,以提供持久内存功能 [30][31] 管理层对经营环境和未来前景的评论 - 公司对第四季度业绩表示满意,得益于产品收入优势和RadHard项目的推动;未来将保持财务纪律,专注业务拓展和将更多设计订单转化为收入 [10][44] - 预计2025年业务重心将更多偏向下半年,因季节性因素和亚洲客户库存消耗,年初业务启动较慢 [32][43] 其他重要信息 - 公司欢迎Bill Cooper担任首席财务官,他于1月初从Advanced Micro Devices加入 [8][9] - 公司感谢Matt Tenorio在过去几个月担任临时首席财务官 [10] - 2025年公司将非GAAP指标从调整后EBITDA转变为非GAAP每股收益,以更好符合行业标准,为利益相关者提供更清晰的可比性 [41][42] 问答环节所有提问和回答 问题1: 第一季度每股亏损预期的原因及其他收入的节奏 - 第一季度每股亏损预期主要因其他收入减少,第一季度相关项目收入比第四季度显著降低超100万美元,全年来看,收入将在下半年更多实现;2024年已获得1460万美元合同中的610万美元,2025年将记录接近但略少的金额 [49][51][54] 问题2: Lattice Semiconductor合作对产品营收的影响 - 与Lattice的合作是联合为客户提供解决方案,无直接收入交换;该合作将加速设计订单和产品认证,但无法直接给出具体营收数字 [59][60] 问题3: 工业市场何时触底反弹 - 公司认为宏观经济情况难以预测,从订单情况看库存已处于底部,预计2025年下半年市场情况将比上半年更乐观 [62] 问题4: 与Purdue University合作项目的营收情况 - 该项目为期四年,DOD每年审查进展以决定是否续约;项目总价值约1050万美元,第一年约400万美元;营收按里程碑确认,并非均匀分布 [66][67][68] 问题5: RadHard项目的风险与机遇 - 公司对政策走向能见度低,目前现有项目进展正常,预计QuickLogic等项目将继续推进;新项目可能需等待新政府政策决策 [71][72]