英特尔Intel 18A制程技术 - 公司披露Intel 18A（1.8nm）制程细节，提供高性能（HP）和高密度（HD）库，具备全功能技术设计能力和增强的设计易用性 [2] - 在PPA比较中，该制程在标准Arm核心架构芯片上实现1.1V电压下25%速度提升和36%功耗降低，面积利用率优于Intel 3制程 [2] - 采用RibbonFET环绕栅极晶体管（GAA）技术实现电流精确控制，并首创PowerVia背面供电技术，展示高性能条件下更稳定的电力传输 [2] - 背面供电技术使单元封装更紧密，面积效率提升，因正面布线空间释放 [2] 市场竞争与应用前景 - 若良率达标，Intel 18A制程将成为台积电2nm制程的强有力竞争者 [3] - 该制程预计首先应用于Panther Lake SoC和Xeon的Clearwater Forest CPU，终端产品最早2026年面世 [3]

英特尔Intel 18A制程技术细节 - 公司最新Intel 18A（1.8nm）制程提供高性能（HP）和高密度（HD）库，具备全功能技术设计能力和增强的设计易用性 [2] - 在PPA比较中，该制程在1.1V电压下实现Arm核心架构芯片25%速度提升和36%功耗降低，同时面积利用率优于Intel 3制程 [4] - 采用RibbonFET环绕栅极晶体管（GAA）技术实现电流精确控制，并首创PowerVia背面供电技术，提供更稳定电力传输 [4] 技术架构创新 - 背面供电技术使单元封装更紧密，面积效率提升，主要因正面布线空间释放 [4] - 电压下降图显示高性能条件下节点稳定性显著，得益于PowerVia技术优化电力传输 [4] 市场竞争与应用前景 - 若良率达标，Intel 18A将成为台积电2nm制程的直接竞争者 [4] - 预计首批应用于Panther Lake SoC和Xeon Clearwater Forest CPU，终端产品最早2026年面世 [4]