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三星挖角台积电高管
半导体芯闻· 2025-06-03 18:39
三星代工业务挑战与高管挖角 - 三星3纳米制程良率仅50%,远低于台积电的90%,导致主要客户如Google Tensor芯片转投台积电 [1] - 高通与超微等重量级客户已将三星排除在供应商名单之外 [1] - 中芯国际在5纳米和7纳米制程取得进展,对三星代工业务形成新威胁 [1] 三星挖角台积电前高管 - 三星半导体部门聘请台积电前高管韩玛格丽特担任美国分公司副总裁,掌管代工业务 [1][2] - 韩玛格丽特曾在台积电任职21年,担任全球外部制造采购和供应商管理高级总监 [1][4] - 此次任命旨在加强北美客户参与度,提升全球代工订单竞争力 [3][4] 三星美国市场布局 - 三星在德克萨斯州泰勒市投资170亿美元兴建先进代工厂 [4] - 目标争取英伟达、AMD、特斯拉和亚马逊等美国科技大厂订单 [4] - 挖角行动显示三星希望通过引进外部人才缩小与台积电差距 [4] 高管背景信息 - 韩玛格丽特2021年离开台积电后曾短暂任职英特尔1年多 [4] - 2022年7月担任恩智浦副总裁,2023年3月被三星挖角 [4] - 三星美国分公司(DSA)今年初正式任命其担任晶圆代工部门副总裁 [4]
英特尔1.8nm制程细节曝光!
国芯网· 2025-04-21 19:12
英特尔Intel 18A制程技术 - 公司披露Intel 18A(1.8nm)制程细节,提供高性能(HP)和高密度(HD)库,具备全功能技术设计能力和增强的设计易用性 [2] - 在PPA比较中,该制程在标准Arm核心架构芯片上实现1.1V电压下25%速度提升和36%功耗降低,面积利用率优于Intel 3制程 [2] - 采用RibbonFET环绕栅极晶体管(GAA)技术实现电流精确控制,并首创PowerVia背面供电技术,展示高性能条件下更稳定的电力传输 [2] - 背面供电技术使单元封装更紧密,面积效率提升,因正面布线空间释放 [2] 市场竞争与应用前景 - 若良率达标,Intel 18A制程将成为台积电2nm制程的强有力竞争者 [3] - 该制程预计首先应用于Panther Lake SoC和Xeon的Clearwater Forest CPU,终端产品最早2026年面世 [3]
英特尔1.8nm制程细节曝光!
国芯网· 2025-04-21 19:12
英特尔Intel 18A制程技术细节 - 公司最新Intel 18A(1.8nm)制程提供高性能(HP)和高密度(HD)库,具备全功能技术设计能力和增强的设计易用性 [2] - 在PPA比较中,该制程在1.1V电压下实现Arm核心架构芯片25%速度提升和36%功耗降低,同时面积利用率优于Intel 3制程 [4] - 采用RibbonFET环绕栅极晶体管(GAA)技术实现电流精确控制,并首创PowerVia背面供电技术,提供更稳定电力传输 [4] 技术架构创新 - 背面供电技术使单元封装更紧密,面积效率提升,主要因正面布线空间释放 [4] - 电压下降图显示高性能条件下节点稳定性显著,得益于PowerVia技术优化电力传输 [4] 市场竞争与应用前景 - 若良率达标,Intel 18A将成为台积电2nm制程的直接竞争者 [4] - 预计首批应用于Panther Lake SoC和Xeon Clearwater Forest CPU,终端产品最早2026年面世 [4]