新产品发布概况 - 公司于9月4日推出六款半导体设备新产品 覆盖等离子体刻蚀 原子层沉积及外延等关键工艺领域 [2] - 新产品为公司向高端设备平台化转型注入新动能 预计对半导体设备市场拓展和业绩成长产生积极影响 [2][6] 刻蚀技术新产品 - 推出新一代极高深宽比等离子体刻蚀设备PrimoUD-RIE® 基于PrimoHD-RIE®架构升级 配备六个单反应台反应腔 通过更低频率更大功率射频偏压电源提供更高离子轰击能量 满足极高深宽比刻蚀严苛要求 [3] - PrimoUD-RIE®采用动态边缘阻抗调节系统提高晶圆边缘合格率 上电极多区温控系统优化散热管理 全新温度可切换多区控温静电吸盘和主动控温边缘组件提升抗电弧放电能力和晶圆边缘良率 [3] - 推出Primo Menova™ 12寸ICP单腔刻蚀设备 专注于金属刻蚀领域 适用于功率半导体 存储器件及先进逻辑芯片制造 在刻蚀均一性控制 高速率 高选择比及低底层介质损伤方面表现卓越 [4] - Primo Menova™设备配备高效腔体清洁工艺减少腔室污染延长运行时间 集成高温水蒸气除胶腔室清除表面残留光刻胶及副产物 主刻蚀腔体与除胶腔体可灵活组合满足高生产效率要求 [4] 薄膜沉积技术新产品 - 推出四款薄膜沉积设备 包括三款原子层沉积产品和一款外延产品 [5] - 12英寸原子层沉积产品PreformaUniflash®金属栅系列包含TiN TiAl及TaN三大产品 满足先进逻辑与先进存储器件金属栅应用需求 [5] - PreformaUniflash®采用双反应台设计 可配置多达五个双反应台反应腔 搭载多级匀气混气系统 基于模型算法的加热系统设计及高效反应腔流导设计 在薄膜均一性 污染物控制及生产效率方面达到世界先进水平 [5] 外延设备新产品 - 推出双腔减压外延设备PRIMIOEpita®RP 采用市场独有的双腔设计 反应腔体积为全球最小 可灵活配置多达六个反应腔 显著降低生产成本与化学品消耗同时实现高生产效率 [6] - PRIMIOEpita®RP搭载自主知识产权双腔设计 多层独立控制气体分区及多径向调节能力温场温控设计 确保优秀流场与温场均匀性 满足从成熟到先进节点的逻辑 存储和功率器件外延工艺需求 [6]