文章核心观点 - 应用材料公司为应对2纳米及更先进制程节点，推出了一系列全新的沉积、蚀刻及材料改质系统，旨在通过对晶体管进行原子尺度的改良，以大幅提升人工智能芯片的运算能力和能源效率 [1] 新处理系统实现GAA晶体管纳米片精准工程 - 环绕式闸极晶体管的核心是水平堆叠的纳米片，其物理结构需要极高的精准度，原子级的粗糙或污染都会显著影响电性表现和芯片效能 [2] - 洁净且高度均匀的纳米片表面可大幅提升通道的电子迁移率，这对决定晶体管开关速度至关重要，能制造出更快、能效更高的晶体管以满足AI芯片需求 [2] - 公司推出的Producer™ Viva™自由基处理系统可对纳米片表面进行埃米级的精准工程化处理，其专利供给架构能产生超高纯度自由基，结合远端电浆源与硬件创新，可形成温和、无损伤的处理环境，实现均匀的表面处理 [2] 新蚀刻设备实现埃米级3D沟槽结构 - 环绕式闸极晶体管的垂直3D架构要求以极高精准度蚀刻深而狭窄的沟槽，微小偏差会影响晶体管速度、能效与整体效能，先进电浆蚀刻技术变得不可或缺 [3] - 公司推出Centris™ Sym3™ Z Magnum™蚀刻系统，供埃米级3D沟槽轮廓控制，其平台已将脉冲电压技术导入大规模量产，成为2纳米逻辑制程的主力设备，并已在全球部署超过250个制程腔体 [4] - 该系统首次导入第二代脉冲电压技术，可独立调控离子入射角度和能量，结合新型电浆源技术，能蚀刻出干净、精确的沟槽，形成更均匀的纳米片和更快速的晶体管，全面提升芯片效能 [4][5] - 该系统也推动DRAM和高频宽记忆体的技术发展，提供打造更高密度阵列与更高堆叠结构所需的精准蚀刻轮廓，已获多家领先芯片制造商快速采用 [5] 新原子层沉积设备降低接点电阻 - 随着制程微缩至2纳米以下，连接晶体管与布线网络的微小金属接点变薄，对芯片整体电阻的影响日益显著，成为效能与能效的关键瓶颈 [6] - 相较于传统钨，钼可在更薄的情况下仍维持良好的电子传导能力，成为埃米节点中新一代接点的理想替代材料 [6] - 公司推出的Centris™ Spectral™钼原子层沉积系统可选择性沉积单晶钼，在晶体管与铜布线网络关键连结处降低电阻，关键接点电阻最多可降低15% [6] - Spectral系统采用四座反应器设计，具备高精度化学供给、多功能电浆与热处理能力，可制作多样化的先进薄膜，为新一代AI芯片发展提供关键技术支援 [6]